MCT8316Z-Q1 為驅動汽車 12V 無刷直流電機的客戶提供單芯片無代碼傳感器梯形解決方案。MCT8316Z-Q1集成了三個1/2-H電橋，具有40 V絕對最大能力和95 mOhms（高側和低側組合）的極低RDS（ON），以實現高功率驅動能力。使用集成電流檢測功能檢測電流，無需外部檢測電阻。可調降壓穩壓器和LDO的電源管理功能為器件生成必要的電壓軌，并可用于為外部電路供電。

MCT8316Z-Q1在固定功能狀態機中實現了有傳感器的梯形控制，因此不需要外部微控制器來旋轉無刷直流電機。MCT8316Z-Q1器件集成了三個用于位置傳感的模擬霍爾比較器，以實現有傳感器的梯形BLDC電機控制。控制方案可通過硬件引腳或寄存器設置進行高度配置，范圍從電機電流限制行為到故障響應。速度可以通過PWM輸入進行控制。

MCT8316Z-Q1 中集成了大量保護功能，旨在保護設備、電機和系統免受故障事件的影響。
*附件：mct8316z-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用
  • 溫度等級 1：–40°C ≤ TA ≤ 125°C
• 集成傳感器梯形控制的三相BLDC電機驅動器
  • 基于霍爾傳感器的斜方 （120°） 換向
  • 支持模擬或數字霍爾輸入
  • 可配置的PWM調制：同步/異步
  • 逐周期電流限制以限制相電流
  • 支持高達 200kHz 的 PWM 頻率
  • 主動退磁以減少功率損耗
• 4.5V 至 35V 工作電壓（最大 40V 絕對值）
• 高輸出電流能力：8A 峰值
• 低 MOSFET 導通電阻
  • 95 mΩ R DS（開） （HS + LS） 在 T 處 一個 = 25°C
• 低功耗睡眠模式
  • 1.5μA（V時） 虛擬機 = 24伏，T 一個 = 25°C
• 集成內置電流檢測
  • 不需要外部電流檢測電阻
• 靈活的設備配置選項
  • MCT8316ZR-Q1：用于器件配置和故障狀態的 5 MHz 16 位 SPI 接口
  • MCT8316ZT-Q1：基于硬件引腳的配置
• 支持 1.8V、3.3V 和 5V 邏輯輸入
• 內置 3.3V （5%）、30mA LDO 穩壓器
• 內置3.3V/5V、200mA降壓穩壓器
• 延遲補償可減少占空比失真
• 集成保護功能套件
  • 電源欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 電機鎖保護
  • 熱警告和關斷 （OTW/OTSD）
  • 故障狀態指示引腳 （nFAULT）
  • 通過 SPI 接口進行可選故障診斷

參數

方框圖

?1. 產品概述?
MCT8316Z-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級（AEC-Q100認證）三相無刷直流（BLDC）電機驅動器，集成霍爾傳感器梯形控制方案。核心特性包括：

• ?高集成度?：內置95mΩ（HS+LS總阻值）MOSFET半橋、柵極驅動、電荷泵、電流檢測及3.3V LDO穩壓器。
• ?工作電壓?：4.5V至35V（峰值40V），支持12V/24V汽車電池系統。
• ?輸出能力?：8A峰值電流，支持高達200kHz PWM頻率。
• ?控制模式?：支持硬件/SPI配置，提供7種PWM控制模式（含同步/異步調制）。

?2. 關鍵特性?

• ?無MCU控制?：內置梯形換向狀態機，無需外部微控制器。
• ?霍爾接口?：兼容模擬/數字霍爾傳感器，支持差分或單端輸入。
• ?智能整流?：主動消磁（ASR/AAR模式）降低二極管導通損耗。
• ?保護功能?：過流（OCP）、欠壓（UVLO）、過熱警告/關斷（OTW/OTSD）、電機堵轉檢測等。

?3. 型號與封裝?

• ?MCT8316ZR-Q1?：SPI接口（40引腳VQFN，7mm×5mm）。
• ?MCT8316ZT-Q1?：硬件接口（電阻配置參數）。

?4. 應用場景?

• 汽車LIDAR、小型風扇/水泵、前大燈調平、伺服驅動等。
• 適用于1S至4S電池系統（12V/24V典型應用）。

?5. 功能模塊?

• ?電源管理?：集成3.3V LDO（30mA）和可調Buck穩壓器（200mA，輸出3.3V/5V/4V/5.7V）。
• ?電流檢測?：內置相位電流檢測，無需外部分流電阻。
• ?動態控制?：可調超前角（0°-33°）、4級壓擺率（25-200V/μs）。

?6. 保護機制?

• ?電源保護?：VM/AVDD/Buck欠壓鎖定，電荷泵監控（CPUV）。
• ?故障管理?：OCP支持自動重試或鎖存模式，熱關斷閾值185°C（典型值）。
• ?診斷輸出?：nFAULT引腳指示故障，SPI版本支持寄存器級診斷。

?7. 設計支持?

• ?典型電路?：需外接電荷泵電容（1μF）、Buck電感（47μH/22μH）及去耦電容。
• ?布局建議?：分離功率地（PGND）與模擬地（AGND），優化熱焊盤設計（RθJA 25.7°C/W）。