TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態繼電器，專為高壓汽車和工業應用而設計。TPSI2260-Q1 采用 TI 的高可靠性增強型電容隔離技術，結合內部背對背 MOSFET，形成完全集成的解決方案，無需次級側電源。TPSI2260-Q1 提高了系統可靠性，因為 TI 的電容隔離技術不會受到機械繼電器和光繼電器組件中常見的機械磨損或光衰減故障模式的影響。

該器件的初級側僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了一個故障安全 EN 引腳，可防止為 VDD 電源供電。在大多數應用中，器件的VDD引腳應連接到4.5V–20V之間的系統電源，器件的EN引腳應由邏輯低電平在2.1V–20V之間的GPIO輸出驅動。
*附件：tpsi2260-q1.pdf

次級側由背對背 MOSFET 組成，從 S1 到 S2 的隔離電壓為 ±600V。TPSI2260-Q1 MOSFET 雪崩穩健性和耐熱封裝設計使其能夠穩健地支持系統級介電耐受測試 （HiPot） 和高達 1mA 的直流快速充電器浪涌電流，而無需任何外部組件。

特性

• 符合汽車應用標準
  • AEC-Q100 1 級：–40 至 125°C TA
• 低 EMI：
  • 滿足CISPR25 5 級性能，無需額外組件
• 集成雪崩級 MOSFET
  • 專為介電耐受測試（耐壓）而設計并符合可靠性要求
    • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA，60s 脈沖
    • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA，60s 脈沖
  • 600V 隔離電壓
  • RON = 65Ω （TJ = 25°C）
  • IOFF = 1.22μA，500V 時 （TJ = 105°C）
• 低初級側電源電流
  • 9mA ON 狀態電流
• 堅固的隔離屏障：

  • 1000VRMS / 1500VDC 工作電壓下的預計使用壽命為 38 年

  • 增強型隔離額定值，VISO，高達 5000VRMS
• SOIC 11引腳（DWQ）封裝，具有寬引腳，可提高熱性能
  • 爬電距離和間隙 ≥ 8mm（初級-次級）
  • 爬電距離和間隙 ≥ 6mm（跨開關端子）
• 安全相關認證
  • （計劃中）DIN VDE V 0884-17：2021-10
  • （計劃中）UL 1577 組件認可計劃

參數

方框圖

?1. 產品概述?
TPSI2260-Q1是德州儀器（TI）推出的600V/50mA汽車級強化固態繼電器，采用電容隔離技術集成背對背MOSFET，適用于高壓汽車和工業應用。關鍵特性包括：

• ?高可靠性隔離?：38年壽命預期（1000VRMS/1500VDC工作電壓），強化隔離等級達5000VRMS。
• ?低EMI設計?：符合CISPR25 Class 5標準，無需額外組件。
• ?集成雪崩保護?：支持1mA（標準版）/3mA（T版）雪崩電流，耐受60秒脈沖。
• ?寬溫操作?：AEC-Q100 Grade 1認證（-40°C至125°C）。

?2. 核心功能?

• ?電氣參數?：
  • 導通電阻65Ω（25°C），關斷漏電流1.22μA（500V/105°C）。
  • 初級側供電電流9mA（開啟狀態），靜態電流低至4μA（5V供電）。
• ?安全認證?：計劃通過DIN VDE V 0884-17和UL 1577認證。
• ?封裝?：SOIC-11（DWQ）寬引腳封裝，爬電距離≥8mm（初級-次級）。

?3. 典型應用?

• 電動汽車：電池管理系統（BMS）、車載充電器、充電基礎設施。
• 工業領域：太陽能逆變器、絕緣監測（如TI參考設計TIDA-010232）。
• 替代方案：可替代機械繼電器和光耦，提升系統可靠性。

?4. 設計支持?

• ?布局建議?：優先放置VDD去耦電容（100nF，距離<10mm），保持高壓引腳間距。
• ?耐壓測試?：支持1mA雪崩電流的HiPot測試，需配合外部電阻限制電流。
• ?熱管理?：通過PCB散熱設計（如EVM布局示例）控制結溫≤150°C。