在FPGA設計過程中，使用好雙口RAM，也是提高效率的一種方法。

官方將雙口RAM分為簡單雙口RAM和真雙口RAM。

簡單雙口RAM只有一個寫端口，一個讀端口。

真雙口RAM分別有兩個寫端口和兩個讀端口。

無論是簡單雙口RAM還是真雙口RAM，在沒有讀操作的情況下，應將讀使能rden信號拉成低電平，節(jié)省功耗。

在兩種情況下，都應當避免read-during-write，雖然可在軟件中進行設置，但是，作為設計者，應當盡量避免此種情況。

對于真雙口RAM，還應當避免兩個讀端口或者兩個寫端口同時操作同一個地址，RAM中并沒有此種沖突解決電路，設計者應該避免這種沖突。

無論是那種雙口RAM，讀時序圖是相同的。

當讀使能有效時，數(shù)據(jù)會在時鐘下一個上升沿從Q端輸出。

真雙口RAM給設計帶來很多便利。在高速存儲中，需要對連續(xù)的數(shù)據(jù)同時處理，使用簡單雙口RAM只能讀取一個數(shù)據(jù)，而使用真雙口RAM可以同時讀取兩個數(shù)據(jù)，這樣明顯提高讀取速度以及處理速度。

調用真雙口RAM，如圖設置。

這里可以設置時鐘方案，而讀使能rden并非必須信號。當使用rden信號時，此信號高電平有效，當不使用rden信號時，給定地址，下一個脈沖數(shù)據(jù)從q端口送出。

這里的設置非常重要，當選中read output ports時，q端會增加一級寄存器。雖然這樣增加流水線能夠提高電路的速度，但同時從讀使能有效到最終數(shù)據(jù)有效將會多延遲一個時鐘周期。在設計中要格外注意。根據(jù)設計自行設置。

上面兩張圖是指定對同一地址操作時的輸出。作為設計者，應盡量在自己的設計中避免這種情況發(fā)生。

真雙口RAM用好了是非常省時間的。之前我們文章中提到硬件FFT的實現(xiàn)，在實現(xiàn)過程中，使用基2的設計方案，需要同時讀取兩個RAM數(shù)據(jù)，這種情況下可以使用真雙口RAM提高效率。