中微愛芯為AiP9P35X系列芯片提供一份產品開發指南和一個可以供客戶調用的高可靠性庫文件，幫助用戶快速掌握芯片性能，降低用戶觸控按鍵開發難度和產品開發周期，提高開發效率。

1.中斷中變量處理

凡是在中斷中使用到的變量必須設置固定地址。如下圖，中斷用到了變量為r100us_base，r1ms_tk，r1ms_respons，r1ms_bell，F_bellOn共5個變量。則必須對這個5個變量設定固定地址即可，地址范圍BANK0-BANK3。

中斷程序

變量固定地址

2.中斷標志位判斷

判斷某外設中斷標志位是否響應，建議同時判斷該外設的中斷使能位和中斷標志位，這樣有利用程序的穩定性。可參考DEMO程序，如T0中斷處理函數如下：

中斷處理函數

3.系統時鐘

AiP9P351芯片系統時鐘建議采用8M，該頻率下芯片EFT性能大大提高，可通過4800V試驗。

4.常量CONST定義

一般Ram空間足夠的情況下，不建議定義CONST常量，因為變量和常量的尋址方式不同，這樣會導致程序空間增大。

如需要定義CONST常量，則必須添加地址，否則出現編譯出錯現象。如下：

CONST常量地址定義

編譯出錯，無法識別CDS文件

5.Switch語句使用

不建議使用Switch語句，建議采用if語句替代。

6.觸摸提高靈敏度方法

6.1. 降低觸摸閾值

如需要降低TK1按鍵的閾值，則將tkFingerThreshold[]值降低，以此類推其他按鍵。

6.2. 提高噪聲值

在TK9PSingleCTC_Vx.xh文件中，適當提高噪聲值C_SetNoiseThreshold。

6.3. 提高觸摸內部比較器參考電壓（推薦）

參考電壓越高，則觸摸靈敏度越好，但相應的可靠性也會稍微變差。

設置方法： 在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中，設定不同的CTC_VREF值則選擇不同的比較器參考電壓。如將內部參考電壓從0.50VDD電壓提高到0.6VDD，則將CTC_VREF的值設定為CTC_0P6_VDD。如圖

0.5VDD比較器電壓

0.6VDD比較器電壓

7.觸摸提高可靠性方法

7.1. 提高觸摸閾值

參考6.1方法

7.2. 降低噪聲值

參考6.2方法

7.3. 降低觸摸內部比較器參考電壓

參考6.3方法，降低比較器參考電壓，則可以降低抖動噪聲，提高可靠性，但相應的靈敏度也會降低。

如將內部參考電壓從0.6VDD電壓降低到0.4VDD，則將CTC_VREF的值設定為CTC_0P4_0VDD。（如初始設定就是0.4VDD，則無需修改)。

7.4. 開啟自動跳頻（推薦）

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中，將C_AutoFrequenceGet的值設置為1.

7.5. 提高消抖次數

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中，增加C_ConfirmFilterCount的值，同時反應時間也會變長。

8.觸摸提高EMC方法

8.1. 開啟自動跳頻

在TouchKey9PCTC_V1.0.h文件中，將C_AutoFrequenceGet的值設置為1.

8.2. 增大觸摸盤與芯片引腳的串聯電阻

增大電阻阻值，可提高抗電磁干擾效果，理論上該阻值不超過5.1K。

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