Texas Instruments TPS766低壓差（LDO）線性穩壓器支持高達250mA的負載電流，輸入電壓范圍為2.5V至16V（新芯片）。該器件的輸入電壓高達16V（新芯片），使其非常適用于穩壓電源軌（如10V或12V）和變壓器次級繞組供電。此外，該器件具有寬輸出電壓范圍，因此能夠為碳化硅（SiC）柵極驅動器和麥克風產生偏置電壓，并為微控制器（MCU）和處理器供電。

數據手冊：*附件：Texas Instruments TPS766 LDO線性穩壓器數據手冊.pdf

高帶寬PSRR性能在1kHz時大于70dB，在1MHz時大于46dB（新芯片），因此有助于衰減上游DC/DC轉換器的開關頻率，并最大限度地減少后置穩壓器濾波。新芯片支持內部軟啟動電路機制，可減小啟動期間的浪涌電流，從而降低輸入電容。傳統芯片可在整個負載電流范圍內提供恒定的靜態電流（對于0mA至250mA的整個輸出電流范圍，通常為35μA）。

Texas Instruments TPS766 LDO還具有睡眠模式。在該模式下，向EN（使能）施加TTL高電平信號可關閉穩壓器。在禁用模式下，新芯片的靜態電流約為1.6μA（典型值），而傳統芯片的靜態電流小于1μA（典型值）。電源正常（PG）為高電平有效輸出，可用于實現上電復位或低電池電量指示器。后綴M3是采用TI最新工藝技術全新設計的新芯片代號。TPS766采用8引腳SOIC封裝。

特性

• 輸入電壓范圍
  • 傳統芯片：2.7V至10V（絕對最大值為13.5V)
  • 新芯片：2.5V至16V（絕對最大值為18V）
• 輸出電壓范圍
  • 傳統芯片：1.5V至5V（固定）和1.25V至5.5V（可調）
  • 新芯片：1.2V至12V（固定）和0.8V至14.6V（可調）
• 輸出電流：高達250mA
• 輸出精度
  • 傳統芯片：3%（整個負載和溫度范圍內）
  • 新芯片：1%（整個負載和溫度范圍內）
• 低靜態電流（I Q ）
  • 傳統芯片：空載時典型值為35μA
  • 新芯片：空載時典型值為55μA
• I Q （禁用狀態）
  • 傳統芯片：10μA（最大值）
  • 新芯片：4μA（最大值）
• 壓差（新芯片）
  • 250mA時高達225mV（典型值）(TPS76650)
• 高PSRR：46dB（1MHz時）（新芯片）
• 內部軟啟動時間：750μs（典型值）（新芯片）
• 過流限制和熱保護
• 與2.2μF或更高電容器搭配使用時可保持穩定（新芯片）
• 開漏電源良好
• 封裝：8引腳、4.9mm × 6mm SOIC (D)

功能框圖

TPS766系列LDO線性穩壓器技術解析與應用指南

一、產品概述與核心特性

TPS766是德州儀器(TI)推出的高性能低壓差(LDO)線性穩壓器系列，最新版本于2024年3月修訂(SLVS237E)。該系列器件提供250mA輸出電流能力，具有超低靜態電流和出色的電源抑制比(PSRR)特性。

?關鍵技術創新?：

• ?寬輸入電壓范圍?：2.5V至16V(新芯片)，兼容多種電源架構
• ?高精度輸出?：新芯片輸出電壓精度達±1%(全溫度范圍)
• ?超低靜態電流?：工作模式下僅55μA(典型值)，關斷模式下低至1.6μA
• ?先進保護功能?：集成過流保護、熱關斷和反向電流保護
• ?溫度適應性?：工作溫度范圍-40°C至125°C

二、電氣特性深度分析

1. 關鍵參數對比(新芯片vs傳統芯片)

2. 動態性能指標

• ? 壓降電壓(VDO) ?：225mV@250mA(典型值，TPS76650型號)
• ?電源抑制比?：70dB@1kHz，46dB@1MHz
• ?啟動時間?：750μs(帶內部軟啟動)
• ?輸出噪聲?：165μVRMS(10Hz-100kHz帶寬)

三、熱設計與PCB布局指南

1. 熱管理要點

• ?熱阻參數?：
  • RθJA = 126.5°C/W(SOIC-8封裝)
  • ΨJT = 18°C/W(結到頂部特征參數)
• ?功率計算?：
  PD = (VIN - VOUT) × IOUT
• ?結溫估算?：
  TJ = TA + (RθJA × PD)

2. PCB布局建議

1. ?電源處理?：
   • 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
   • 使用寬銅箔降低寄生電感
2. ?信號完整性?：
   • 敏感走線遠離功率路徑
   • 反饋電阻就近布局
3. ?熱優化?：
   • 增加散熱過孔陣列
   • 使用2oz銅厚設計大電流路徑

四、選型與版本對比

?型號命名規則?：
TPS766[XX][Y][Z][M3]

• XX：輸出電壓(如33表示3.3V)
• Y：封裝代碼
• Z：包裝數量
• M3：新工藝版本標識

?推薦選型?：

• 工業應用：TPS76633DR(3.3V固定輸出)
• 高溫環境：TPS76650DRM3(5V輸出，新工藝)
• 空間受限：TPS76601DDF(可調輸出，SOT-23封裝)

五、可靠性設計考量

1. ?反向電流保護?：
   • 當VOUT > VIN時可能發生
   • 建議方案：在IN-OUT之間添加肖特基二極管
2. ?穩定性設計?：
   • 輸出電容ESR范圍需滿足：
     • 傳統芯片：300mΩ-20Ω
     • 新芯片：最高支持2Ω(與負載電流相關)
3. ?故障保護?：
   • 過流保護閾值：0.8A(典型值)
   • 熱關斷溫度：150°C(觸發)，125°C(恢復)

六、應用案例分享

1. 工業傳感器供電

• ?需求特點?：需要低噪聲、高PSRR
• ?方案優勢?：
  • 利用70dB@1kHz的PSRR特性抑制開關電源噪聲
  • 165μVRMS低噪聲適合高精度傳感器

2. 電池供電設備

• ?設計要點?：
  • 選擇新芯片版本(4μA關斷電流)
  • 配置EN引腳實現電源管理
  • 利用內部軟啟動限制浪涌電流