Texas Instruments TPS766低壓差（LDO）線性穩(wěn)壓器支持高達(dá)250mA的負(fù)載電流，輸入電壓范圍為2.5V至16V（新芯片）。該器件的輸入電壓高達(dá)16V（新芯片），使其非常適用于穩(wěn)壓電源軌（如10V或12V）和變壓器次級(jí)繞組供電。此外，該器件具有寬輸出電壓范圍，因此能夠?yàn)樘蓟瑁⊿iC）柵極驅(qū)動(dòng)器和麥克風(fēng)產(chǎn)生偏置電壓，并為微控制器（MCU）和處理器供電。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS766 LDO線性穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

高帶寬PSRR性能在1kHz時(shí)大于70dB，在1MHz時(shí)大于46dB（新芯片），因此有助于衰減上游DC/DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率，并最大限度地減少后置穩(wěn)壓器濾波。新芯片支持內(nèi)部軟啟動(dòng)電路機(jī)制，可減小啟動(dòng)期間的浪涌電流，從而降低輸入電容。傳統(tǒng)芯片可在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)提供恒定的靜態(tài)電流（對(duì)于0mA至250mA的整個(gè)輸出電流范圍，通常為35μA）。

Texas Instruments TPS766 LDO還具有睡眠模式。在該模式下，向EN（使能）施加TTL高電平信號(hào)可關(guān)閉穩(wěn)壓器。在禁用模式下，新芯片的靜態(tài)電流約為1.6μA（典型值），而傳統(tǒng)芯片的靜態(tài)電流小于1μA（典型值）。電源正常（PG）為高電平有效輸出，可用于實(shí)現(xiàn)上電復(fù)位或低電池電量指示器。后綴M3是采用TI最新工藝技術(shù)全新設(shè)計(jì)的新芯片代號(hào)。TPS766采用8引腳SOIC封裝。

特性

輸入電壓范圍
- 傳統(tǒng)芯片：2.7V至10V（絕對(duì)最大值為13.5V)
- 新芯片：2.5V至16V（絕對(duì)最大值為18V）
輸出電壓范圍
- 傳統(tǒng)芯片：1.5V至5V（固定）和1.25V至5.5V（可調(diào)）
- 新芯片：1.2V至12V（固定）和0.8V至14.6V（可調(diào)）
輸出電流：高達(dá)250mA
輸出精度
- 傳統(tǒng)芯片：3%（整個(gè)負(fù)載和溫度范圍內(nèi)）
- 新芯片：1%（整個(gè)負(fù)載和溫度范圍內(nèi)）
低靜態(tài)電流（I Q ）
- 傳統(tǒng)芯片：空載時(shí)典型值為35μA
- 新芯片：空載時(shí)典型值為55μA
I Q （禁用狀態(tài)）
- 傳統(tǒng)芯片：10μA（最大值）
- 新芯片：4μA（最大值）
壓差（新芯片）
- 250mA時(shí)高達(dá)225mV（典型值）(TPS76650)
高PSRR：46dB（1MHz時(shí)）（新芯片）
內(nèi)部軟啟動(dòng)時(shí)間：750μs（典型值）（新芯片）
過流限制和熱保護(hù)
與2.2μF或更高電容器搭配使用時(shí)可保持穩(wěn)定（新芯片）
開漏電源良好
封裝：8引腳、4.9mm × 6mm SOIC (D)

功能框圖

TPS766系列LDO線性穩(wěn)壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述與核心特性

TPS766是德州儀器(TI)推出的高性能低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器系列，最新版本于2024年3月修訂(SLVS237E)。該系列器件提供250mA輸出電流能力，具有超低靜態(tài)電流和出色的電源抑制比(PSRR)特性。

?關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新?：

?寬輸入電壓范圍?：2.5V至16V(新芯片)，兼容多種電源架構(gòu)
?高精度輸出?：新芯片輸出電壓精度達(dá)±1%(全溫度范圍)
?超低靜態(tài)電流?：工作模式下僅55μA(典型值)，關(guān)斷模式下低至1.6μA
?先進(jìn)保護(hù)功能?：集成過流保護(hù)、熱關(guān)斷和反向電流保護(hù)
?溫度適應(yīng)性?：工作溫度范圍-40°C至125°C

二、電氣特性深度分析

1. 關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比(新芯片vs傳統(tǒng)芯片)

參數(shù)	傳統(tǒng)芯片	新芯片	改進(jìn)幅度
輸入電壓范圍	2.7-10V	2.5-16V	+60%
輸出電壓范圍(可調(diào))	1.25-5.5V	0.8-14.6V	+165%
輸出精度	±3%	±1%	提高3倍
靜態(tài)電流(IQ)	35μA	55μA	-
關(guān)斷電流	10μA	4μA	降低60%
PSRR@1MHz	-	46dB	-

2. 動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)

? 壓降電壓(VDO) ?：225mV@250mA(典型值，TPS76650型號(hào))
?電源抑制比?：70dB@1kHz，46dB@1MHz
?啟動(dòng)時(shí)間?：750μs(帶內(nèi)部軟啟動(dòng))
?輸出噪聲?：165μVRMS(10Hz-100kHz帶寬)

三、熱設(shè)計(jì)與PCB布局指南

1. 熱管理要點(diǎn)

?熱阻參數(shù)?：
- RθJA = 126.5°C/W(SOIC-8封裝)
- ΨJT = 18°C/W(結(jié)到頂部特征參數(shù))
?功率計(jì)算?：
PD = (VIN - VOUT) × IOUT
?結(jié)溫估算?：
TJ = TA + (RθJA × PD)

2. PCB布局建議

?電源處理?：
- 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
- 使用寬銅箔降低寄生電感
?信號(hào)完整性?：
- 敏感走線遠(yuǎn)離功率路徑
- 反饋電阻就近布局
?熱優(yōu)化?：
- 增加散熱過孔陣列
- 使用2oz銅厚設(shè)計(jì)大電流路徑

四、選型與版本對(duì)比

?型號(hào)命名規(guī)則?：
TPS766[XX][Y][Z][M3]

XX：輸出電壓(如33表示3.3V)
Y：封裝代碼
Z：包裝數(shù)量
M3：新工藝版本標(biāo)識(shí)

?推薦選型?：

工業(yè)應(yīng)用：TPS76633DR(3.3V固定輸出)
高溫環(huán)境：TPS76650DRM3(5V輸出，新工藝)
空間受限：TPS76601DDF(可調(diào)輸出，SOT-23封裝)

五、可靠性設(shè)計(jì)考量

?反向電流保護(hù)?：
- 當(dāng)VOUT > VIN時(shí)可能發(fā)生
- 建議方案：在IN-OUT之間添加肖特基二極管
?穩(wěn)定性設(shè)計(jì)?：
- 輸出電容ESR范圍需滿足：
  - 傳統(tǒng)芯片：300mΩ-20Ω
  - 新芯片：最高支持2Ω(與負(fù)載電流相關(guān))
?故障保護(hù)?：
- 過流保護(hù)閾值：0.8A(典型值)
- 熱關(guān)斷溫度：150°C(觸發(fā))，125°C(恢復(fù))

六、應(yīng)用案例分享

1. 工業(yè)傳感器供電

?需求特點(diǎn)?：需要低噪聲、高PSRR
?方案優(yōu)勢(shì)?：
- 利用70dB@1kHz的PSRR特性抑制開關(guān)電源噪聲
- 165μVRMS低噪聲適合高精度傳感器

2. 電池供電設(shè)備

?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：
- 選擇新芯片版本(4μA關(guān)斷電流)
- 配置EN引腳實(shí)現(xiàn)電源管理
- 利用內(nèi)部軟啟動(dòng)限制浪涌電流

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