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AMEYA360:ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器

皇華ameya ? 來源:年輕是一場(chǎng)旅行 ? 作者:年輕是一場(chǎng)旅行 ? 2025-07-30 11:40 ? 次閱讀
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運(yùn)算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動(dòng)的便攜式測(cè)量儀、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測(cè)器等小型應(yīng)用中的測(cè)量放大器

近年來,隨著便攜式測(cè)量儀和可穿戴設(shè)備等由電池驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用對(duì)控制精度要求的不斷提高,用于 量化溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來放大傳感器信號(hào)的運(yùn)算放大器的重要性日益凸顯。另一方面,在致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)等大背景下,應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成為當(dāng)務(wù)之急,對(duì)單個(gè)器件也提出了同樣的要求。在這種背景下,ROHM通過進(jìn)一步優(yōu)化多年來積累的 “工藝技術(shù)”、“封裝技術(shù)”和“Nano Energy?電路技術(shù)”,開發(fā)出滿足“小型化”、“低靜態(tài)電流”和“高精度”三大需求的運(yùn)算放大器。

新產(chǎn)品通過采用引腳間距縮小至0.35mm的WLCSP*1封裝,實(shí)現(xiàn)1mm2以下的超小尺寸,同時(shí)兼具超低靜態(tài)電流特性,工作時(shí)的電路電流可控制在業(yè)界超低的160nA(Typ.)。由此,該新產(chǎn)品不僅能在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高密度安裝,還能大大延長電池壽命和應(yīng)用產(chǎn)品的續(xù)航時(shí)間。

另外,新產(chǎn)品的輸入失調(diào)電壓*2在低靜態(tài)電流運(yùn)算放大器中表現(xiàn)尤為突出,最大僅為0.55mV,比普通產(chǎn)品減少約45%。輸入失調(diào)電壓溫漂*3也能保證最大僅7μV/℃,即使在易受外部溫度影響的設(shè)備中也能實(shí)現(xiàn)高精度工作。

此外,若搭配ROHM的超小型通用電阻器MCR004(0402尺寸)和MCR006(0603尺寸)作為運(yùn)算放大器的增益調(diào)節(jié)等外圍元件使用,可進(jìn)一步提升設(shè)計(jì)的靈活性。0402尺寸還提供環(huán)保型無鉛電阻產(chǎn)品MCR004E。

新產(chǎn)品已于2025年6月開始暫以2萬個(gè)/月的規(guī)模投入量產(chǎn)。此外,新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進(jìn)行銷售(樣品價(jià)格300日元/個(gè),不含稅)。為便于客戶進(jìn)行初期評(píng)估和替換研究,ROHM還提供可支持 SSOP5封裝的裝有IC的轉(zhuǎn)接板。

未來,ROHM將持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品的小型化,同時(shí)利用自有的超低靜態(tài)電流技術(shù)進(jìn)一步降低運(yùn)算放大器的功耗。另外,ROHM還將持續(xù)致力于提升產(chǎn)品在低噪聲、低失調(diào)電壓和擴(kuò)大電源電壓范圍等方面的性能,并通過提升應(yīng)用產(chǎn)品的控制精度為解決社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。

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<產(chǎn)品主要特性>

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<應(yīng)用示例>

?消費(fèi)電子:可穿戴設(shè)備、智能設(shè)備、人體感應(yīng)傳感器等

?工業(yè)設(shè)備:氣體探測(cè)器、火災(zāi)報(bào)警器、便攜式測(cè)量儀、各種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備用的環(huán)境傳感器等

<電商銷售信息>

發(fā)售時(shí)間:2025年6月起

電商平臺(tái):新產(chǎn)品在電商平臺(tái)將逐步發(fā)售。比如AMEYA360

?產(chǎn)品型號(hào):TLR1901GXZ-E2

?裝有IC的轉(zhuǎn)接板:TLR1901GXZ-EVK-001

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<關(guān)于Nano Energy?>

Nano Energy?是指通過融合ROHM垂直整合型生產(chǎn)體制中的“電路設(shè)計(jì)”、“布局”和“工藝”三大先進(jìn)模擬技術(shù),實(shí)現(xiàn)了納安(nA)級(jí)電路電流的超低靜態(tài)電流技術(shù)。該技術(shù)不僅可以延長電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和移動(dòng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,還有助于不希望增加功耗的工業(yè)設(shè)備等實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。

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?Nano Energy?是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

<術(shù)語解說>

*1)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package)

在晶圓狀態(tài)下完成引腳成型和布線,隨后切割成芯片的超小型封裝。與將晶圓切割成芯片后通過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同,這種封裝可以做到與內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片相同大小,因此可以縮減封裝的尺寸。

*2)輸入失調(diào)電壓

運(yùn)算放大器輸入引腳間產(chǎn)生的誤差電壓。

*3)輸入失調(diào)電壓溫漂

溫度升降導(dǎo)致輸入失調(diào)電壓的波動(dòng)。該波動(dòng)量越小,運(yùn)算放大器的精度越高。

審核編輯 黃宇

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