Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1雙向ESD保護二極管設計用于鉗位ESD和浪涌等有害瞬態。ESD851/ESD851-Q1的額定ESD沖擊消散值高達 ±30kV（接觸放電和氣隙放電），超過了IEC 61000-4-2國際標準中規定的最高級別（4級）。對于浪涌，根據IEC 61000-4-5標準，該器件可以鉗制峰值電流高達6.5A的8/20μs浪涌。

數據手冊：

*附件：ESD851數據手冊.pdf

*附件：ESD851-Q1數據手冊.pdf

該器件還具有4.3pF（典型值）IO電容，能夠保護數據線。其低動態電阻和低鉗位電壓可為瞬態事件提供系統級保護。Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1采用行業通用的引線式SOD-323封裝，便于焊接操作。ESD851-Q1器件符合AEC-Q100標準，適用于汽車應用。

特性

• IEC 61000-4-2 ESD保護
  • ±30kV接觸放電
  • ±30kV氣隙放電
• IEC 61000-4-5浪涌保護
  • 6.5 A (8/20μs)
  • 在6.5A (8/20μs) 的鉗位電壓：71V
• IO電容：4.3pF（典型值）
• 直流擊穿電壓：37.8V（最小值）
• 超低漏電流：10nA（最大值）
• 在16A TLP的ESD鉗位電壓：56V
• 工業溫度范圍：-55°C至+150°C
• 行業標準SOD-323引線式封裝 (2.5mm × 1.2mm)

應用

• I/O保護
• 醫療和保健
• 電器
• 照明
• 測試與測量

功能框圖