美國商務部當地時間4月16日發布命令，禁止美國企業向中興通訊銷售元器件，時間長達7年。這份出口權拒絕令（Denial Order）立即生效。關于這一相當于全面封殺的禁令，美國商務部在官方發布的文件中，介紹了美國商務部工業和安全局（Bureau of industry and Security, U.S. Department of Commerce，BIS）作出這一決定的全過程。

點評：

1. 事件詳細背景：2016年至今的達摩克利斯之劍

2016年3月8日，美國商務部由于中興通訊涉嫌違反美國對伊朗的出口管制政策，對中興實行禁運。中興通過內控整改及更換管理層，最終于2017年3月7日就美國商務部、司法部及財政部海外資產管理辦公室的制裁調查達成協議，公司支付8.9 億美元罰款。還被處于暫緩執行的7年出口禁運（seven-year suspended denial of export privileges），如協議有任何方面未滿足或公司再次違反了出口管制條例，則該禁令會再度激活。

在本次的禁運聲明中，美國商務部官員認定中興通訊做了多次虛假陳述（ZTE made false statements to BIS in 2016, during settlement negotiations, and 2017, during the probationary period）。據協議，中興通訊承諾解雇4名高級雇員，并通過減少獎金或處罰等方式處罰35名員工。但中興通訊只解雇了4名高級雇員，未處罰或減少35名員工的獎金。（欲加之罪何患無辭）

2. 雙方籌碼及后續解決方案

本次禁運事件發生在貿易戰的特殊背景下，我們認為美國此舉更多是希望增強自己在談判桌上的籌碼。考慮到中國目前已在4月4日采取反制措施對美國大豆、汽車、化工品等14類106項商品加征25%的關稅。除此之外，中國商務部還在審核高通對NXP的并購案，該并購案耗時日久，為商務部近年來首次使用兩個180天期限沒有審核完成的案例。我們認為，美政府此舉可能有部分用意在于向中方施壓，從而推動并購案的進展。

后續的解決方案可以參考2016年的禁運審查，2016年，禁運事件爆發后，在雙方政府協調下，美國商務部給中興頒布了臨時許可證（Temporary General License），從而保證中興通訊可以正常采購美國元器件和軟件。而今年禁運之矛再度舉起，我們預計，后續中興及美國商務部之間將通過斡旋達成二次和解。

3. 缺芯軟肋，深度解析基站/光通信/手機的芯片框架！

中興通信的主營業務有基站，光通信及手機。其中，基站中部分射頻器件如腔體濾波器（武漢凡谷、大富科技），光模塊廠商（光迅科技等），手機內的結構件模組等均可基本滿足自給需求。

唯有芯片，在三大應用領域均一定程度的自給率不足，我們將下文展開詳細分析。

（1）RRU基站：技術更迭快，門檻高企，自給率最低。

RRU基站這一產品，我們要分為發射端和接收端兩種情況來討論。

發射段的框圖如下，其主要作用是將基帶信號(BB)，轉化為中頻（IF），再進一步調制到高頻（RF）并發射出去。目前能夠實現國產替代并大規模商用的，只有主處理器，即框圖中的FPGA，DSP。主要是海思自研的ASIC。

除此之外，國產芯片廠商中，南京美辰微電子在正交調制器，DPD接收機，ADC等芯片產品上已有可量產方案。并參與了國家重大專項《基于SiP RF技術的TD-LTE TD-LTE-Advanced TD-SCDMA基站射頻單元的研發》，目前在ZTE處于小批量驗證中。

RRU發射端框圖

接收端的框圖如下，和發射端類似，目前只有海思的主處理器可以實現大規模商用替代。而南京美辰微電子的混頻器，VGA，鎖相環，ADC 處于小批量驗證中。

RRU 接收端框圖

通過和產業人士的第一時間溝通，我們了解到，“基站芯片的成熟度和高可靠性和消費級芯片不可同日而語，從開始試用到批量使用起碼需要兩年以上的時間”。目前在中頻領域，主要玩家有TI，ADI，IDT等廠商；而射頻領域，主要是Qorvo等。

同時，TI，ADI還在推動單芯片解決方案，以實現微基站對于RRU體積大小的要求。如下圖中的TI AFE75XX系列，及ADI的AD936X等。單芯片Transceiver方案進一步提升了基站芯片的門檻，使得國產廠商更加難以切入。基站芯片的自給率過低，成為了中興通訊本次禁運事件里最為棘手的問題。

TI AFE75XX芯片內部架構示意圖

（2）光通信領域：自給率尚可，高端芯片仍需突破

光模塊從應用領域要分為接入網（PON）和數傳網（DT）兩大類，二者芯片方案不同，封裝也大相徑庭。以下以接入網光模塊為例，討論芯片方案。光模塊內主要采用的芯片有MCU，TIA（跨阻放大器），APD（雪崩光二極管），LA (Limiting Amplifier)，LD（Laser Driver），激光器芯片（Vcsel，DFB，EML），DWDM等。

10G接入網光模塊結構圖

目前光迅科技的光通信芯片產品主要有DFB、Vcsel、APD等；博創科技則是PLC 光分路器和 DWDM 器件龍頭；而南京美辰微電子及廈門優訊則在TIA，LA，LD領域有產品已實現大規模量產。該領域的國際競爭對手主要有Semtech，Micrel（被Microchip收購），Mindspeed（被Marcom收購）等。

雖然光通信芯片自給率尚可，但在一些高端產品，如數傳網100G及以上光模塊中，國產芯片方案仍待突破，建議關注非上市公司芯耘光電，公司預計在2019年完成100G芯片方案研發。

除此之外，接入網光模塊上還會用到小容量SLC NAND（1GB），兆易創新在2017年年底推出的相關產品在各大光模塊廠商處已經形成銷售。

（3）智能機產業鏈：自給率稍高，各大領域不乏亮點。

最后，讓我們回到電子研究員最為熟悉的手機領域。參考TI的資料圖，我們可以看出，智能手機內芯片方案極為復雜。除了主處理器之外，有數十顆模擬/數模混合芯片。且圖中還有指紋識別芯片及射頻芯片尚未標明（TI不研發相關產品，所以圖中沒有）。

手機芯片方案框圖

如此繁雜的芯片方案初看無從下手，那讓我們按照主處理器，電源管理，無線芯片，音頻，顯示，傳感器，攝像頭，指紋這一順序逐個梳理。

主處理器芯片，目前國內主要有華為海思以及展訊科技。小米亦在2017年成功推出松果系列手機處理器。

電源管理芯片，圣邦股份和韋爾股份具有較強的競爭力，其中圣邦股份的背光驅動芯片在業內領先，而韋爾股份的DCDC，LDO等芯片優勢明顯。除此之外，還有臺股上市公司矽力杰在該領域亦頗有造詣。

無線芯片方面，國內有三大射頻PA公司，分別是中科漢天下，唯捷創新，國民飛驤。而射頻開關則主要有正在IPO的卓勝微。射頻芯片是增速最快的細分領域之一，2016年-2022年復合增長率高達14%。但國內要想實現進軍高端手機，還需要一定時間。

手機射頻芯片市場規模及增速預測

音頻芯片領域，國內的主要玩家是一家三板上市公司，艾為電子。

顯示屏相關芯片里，***廠商奕力,矽創,奇景,聯詠等在顯示屏驅動IC方面是行業龍頭，且目前也有不少國內廠商在布局這一領域。

傳感器方面：士蘭微的加速度計目前已經進入了展訊的參考設計，18年加快向手機其他傳感器的拓展。

攝像頭CMOS芯片：豪威科技在2015年全球CMOS芯片市場中，占有約12%的市場份額，排名全球第三。預計2017年營收在8-10億美元之間。

指紋芯片：主要是匯頂科技和思立微（兆易創新子公司），匯頂的指紋識別芯片在2017年底一舉超越FPC，成為全球市場份額第一。而思立微也在2017年實現了市占率的翻倍。

指紋識別全球出貨量及市占率

綜合上述分析，我們可以看出，中興通訊的三大應用領域里，芯片門檻最高的板塊是RRU基站，這一領域要想實現國產替代，需要較長時間。光通信和手機產業鏈門檻相對較低，一些細分領域的國產芯片方案甚至于成為了國際龍頭，但整體來看，還是偏低端應用。

本次中興通訊的禁運事件，對于通信產業沖擊較大，也敲響了半導體產業的警鐘，自主可控不僅僅是口號，而是涉及到國家安全，國計民生的要務。我們不單要行遠志，大張旗鼓建設晶圓廠，更要韜光養晦，從小處著力，支持本土芯片設計公司。

雖然當前國內芯片設計產業仍屬薄弱，但我們相信全國這1380家芯片設計公司里，終歸會走出巨頭廠商。無論是TI模式的收并購整合，還是Linear的學術研究派，都值得我們本土的芯片設計公司借鑒。衷心希望可以在未來盡早解決中國電子產業的缺芯之痛。