三極管優(yōu)點(diǎn)：耐壓高；缺點(diǎn)：電流驅(qū)動(dòng)

MOS管優(yōu)點(diǎn)：開關(guān)速度快，電壓驅(qū)動(dòng)

一、一鍵開關(guān)機(jī)電路（小魚冠名）

（知識(shí)點(diǎn)不多，但是電路設(shè)計(jì)很巧妙）

1.1效果

按下按鍵松開→

再次按下按鍵松開→

1.2電路過程及原理

1.2.1上電，開關(guān)斷開

上電時(shí)，開關(guān)斷開→通過，給電容充電→電容上方電壓達(dá)到→三極管基級(jí)電壓為0→三極管斷開→MOS管柵極電壓為→不小于負(fù)的→MOS管關(guān)斷→

1.2.2按下開關(guān)

電容電壓為→三極管基級(jí)電壓為，三極管導(dǎo)通；同時(shí)通過放電→MOS管柵極經(jīng)三極管導(dǎo)通至地，MOS管柵極電壓為0→小于負(fù)的→MOS管導(dǎo)通→，電路處于開機(jī)狀態(tài)。

1.2.3松開按鍵

當(dāng)電容電壓放電到等于三極管BE之間的開啟電壓，約0.7v時(shí)，三極管飽和導(dǎo)通電流由通過提供，三極管一直開啟。這時(shí)即使松開按鍵，電路仍處于開機(jī)狀態(tài)。

三極管導(dǎo)通時(shí)，集電極的電壓約0，所以電容的電壓也會(huì)接近于0。

1.2.4再次按下按鍵

按下按鍵→電容上端電壓為0，三極管基級(jí)電壓為0→三極管斷開，MOS管柵極電壓為→MOS管關(guān)閉→

其中，由于電阻選取的非常大，使不能通過，使三極管導(dǎo)通，而且電容的電壓也不能升高。

1.2.5松開按鍵

松開按鍵，通過，給電容充電→電容上方電壓達(dá)到，再次按下按鍵后，電路又處于開機(jī)狀態(tài)。

1.3器件參數(shù)

輸入電壓3~6v，器件參數(shù)可以參考下面的數(shù)值。

1.4電路缺點(diǎn)

當(dāng)輸出端連接的負(fù)載電容比較大時(shí)，容易出現(xiàn)MOS管關(guān)不斷的情況。可以在輸出端對(duì)地接一個(gè)幾百歐的限流電阻，原因如上。

1.5陳氏總結(jié)

縱觀整個(gè)電路過程：開關(guān)控制電容，電容控制三極管，三極管控制MOS管。

二、延時(shí)開關(guān)電路

（本電路知識(shí)很基礎(chǔ)，但是講解過程非常聯(lián)系單片機(jī)實(shí)際情況）

2.1效果

配合單片機(jī)程序?qū)崿F(xiàn)長按兩秒開關(guān)機(jī)，短暫按下松開其他需要的功能。

2.2電路說明

=單片機(jī)上電電壓=3.3V

單片機(jī)輸出口：單片機(jī)寫信號(hào)

單片機(jī)輸入口：給單片機(jī)信號(hào)

的作用：反饋給單片機(jī)開關(guān)S1按下與否的狀態(tài)。

D4上拉電阻接到3.3v，即單片機(jī)的一直是高電平，除非按下按鍵，D4就導(dǎo)通將拉低到0.7V。由于口寫程序的時(shí)候，有上下限，例如在1v以下都是低電平，2.5v以上都是高電平（模數(shù)轉(zhuǎn)換）。

2.3電路過程及原理

2.3.1按下和松開開關(guān)

按下開關(guān)后，電流通過→R15→D5→S1→GND將G點(diǎn)電壓下拉為二極管的管壓降0.3v。，MOS管導(dǎo)通，很小，單片機(jī)上電。接受開關(guān)關(guān)閉的信號(hào)后，單片機(jī)將設(shè)置成高電平，此時(shí)由于Q9導(dǎo)通，無論開關(guān)是按下還是沒有按下，MOS管始終導(dǎo)通。

類比上一個(gè)電路，該電路此時(shí)如果誤操作了開關(guān)也沒有事，由處的高電平來保證單片機(jī)上電，不像上一個(gè)電路利用不太可靠的電容充放電。

2.3.2延時(shí)兩秒開關(guān)機(jī)

利用對(duì)開關(guān)的監(jiān)視功能，開/關(guān)機(jī)時(shí)開關(guān)閉合兩秒，單片機(jī)系統(tǒng)做亮屏/息屏、接通/斷開傳感器、設(shè)置高/低電平等動(dòng)作，松開按鈕徹底開/關(guān)機(jī)。監(jiān)視下還可以編寫短暫開關(guān)鍵的其他作用，達(dá)到長按兩秒開關(guān)機(jī)，按一下就松開是其他功能。

三、與門電路（跟我學(xué)電腦冠名）

（本電路十分簡單，但是別出心裁的使用方法）

3.1效果

兩個(gè)三極管都給高電平導(dǎo)通才可以驅(qū)動(dòng)MOS管，輸出才有電壓。

四、H冠名

4.1效果

該電路和二中的電路有異曲同工之妙。

該電路可以實(shí)現(xiàn)軟開啟功能，增加一個(gè)電容（C1），一個(gè)電阻（R2）。

軟開啟，是指電源緩慢開啟，以限制電源啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。

4.2電路過程及原理

4.2.1不上電且Control 為低電平或高阻

控制電源開關(guān)的輸入信號(hào)Control 為低電平或高阻時(shí)→三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平→Q2不導(dǎo)通→MOS管Q1的Vgs = 0（電源沒上電）→MOS管Q1不導(dǎo)通→+5V_OUT 無輸出。

電阻R4是為了在 Control 為高阻時(shí)，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。

4.2.2剛上電且Control 為低電平或高阻（實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)）

當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時(shí)，要求控制電源開關(guān)的輸入信號(hào) Control 仍為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。

因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開向后級(jí)電路輸出。

電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。

電容上沒有充電。

4.2.3上電完成且Control 為高電平

①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：

（3.3V - 0.7V） / 基極電阻R3 = 0.26mA

②三級(jí)管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電（現(xiàn)在由于三極管可以導(dǎo)地了），即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。

③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。

④利用電容C1的充電時(shí)間實(shí)現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開（導(dǎo)通），實(shí)現(xiàn)了軟開啟的功能。

4.2.4上電完成且Control 為低電平

電源完全打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。

此時(shí)將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。

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