電子發燒友綜合報道 中國科學院2月18日宣布，上海微系統與信息技術研究所在集成光量子芯片領域取得重要進展。中國科學院表示，該研究采用“搭積木”式混合集成策略，將III-V族半導體量子點光源與CMOS工藝兼容的碳化硅（4H-SiC）光子芯片異質集成，構建出新型混合微環諧振腔。這一結構實現了單光子源的片上局域能量動態調諧，并通過微腔的Purcell效應提升了光子發射效率，為光量子芯片的大規模集成提供了全新解決方案。

該項研究成果已經同步發表在《光：科學與應用》（Light: Science & Applications）期刊上，我們通過論文來分析一下該項研究的具體細節。

在量子通信、量子計算等場景里，信息是通過一個個光子來進行傳播的，而光子就是光的最小單位。但在利用光子進行信息傳播的過程中，實際操作會遇到一些問題，比如我們生活中常見的LED燈會一次發出幾十億光子，而你無法控制LED燈發出光子的數量。但量子技術需要嚴格控制光子，一次只發射出一個光子。

另外是效率問題，如果造出了一次只能發射一個光子的光源，但也有可能因為發光效率太低，光子無法發射出芯片外，這同樣無法使用。傳統硅基材料，比如SiN、Si等，缺乏直接帶隙和電光效應，難以集成高效單光子源（SPSs）等主動器件。

而碳化硅，尤其是4H-SiC具有高折射率、低損耗、CMOS兼容性及寬透明窗口，是理想的光子集成平臺，但其自身缺乏高效量子發射材料。GaAs量子點作為固態量子發射體，可產生確定性單光子，但與其他光子平臺的集成存在挑戰。

具體來說，4H-SiC和InGaAs量子點很難融合在一起，集成在同一芯片上。所以這項研究的重要創新，就是如何將這兩種材料集成在一起，并輸出高質量的單光子。

研究團隊開發出一種混合微環諧振（HMRR），通過轉移印刷技術將含量子點的GaAs波導集成到SiC微環上，形成三維堆疊波導結構，實現耳語環模式（WGMs）的光限制與耦合。簡單來說就是讓光在SiC微環上跑圈，形成會回聲室效應，這樣能夠令光子產生Purcell效應，加快光的速度。同時能夠讓光子集中在微環附近的波導里流出芯片，便于控制光子方向。

隨后，在HMRR旁集成TiN微加熱器，通過熱光效應動態調諧量子點發射波長（調諧速率0.13 nm/mW），覆蓋一個自由光譜范圍（FSR≈4 nm），使量子點與腔模共振。這是為了量子點和微環頻率實現匹配。

在通過HMRR的結構優化后，量子點的發光速度快了5倍，原本量子點發一個光子要2.25納秒，和微環共振后縮短到0.5納秒；單光子的純度高達99.2%。同時HMRR還具備可擴展性，多裝幾個微環和加熱器，就能獨立控制多個量子點，未來可組裝成芯片上的量子網絡。

總結下來，該項研究主要的突破在于，實現了基于SiC的高質量無源器件與GaAs量子點的混合集成，無需復雜鍵合或電子束光刻。與此同時，轉移印刷技術實現低損耗異質波導耦合，促進了全固態量子電動力學系統的芯片集成。

而這些突破，將為未來大規模的量子網絡、量子計算等技術奠定基礎。