半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化是實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化芯片最關(guān)鍵的一役，近期，包括北方華創(chuàng)、電科裝備集團(tuán)分別在立式氧化爐、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備皆相繼取得生產(chǎn)階段性突破，盡管，面對(duì)國(guó)外廠(chǎng)家激烈競(jìng)爭(zhēng)與商業(yè)興訟圍堵手段，國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠(chǎng)家仍取得積極性進(jìn)展。另方面，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，中微也將極積反擊Veeco，為捍衛(wèi)自有專(zhuān)利再攻下一城。

北方華創(chuàng)12吋立式氧化爐Move In長(zhǎng)江存儲(chǔ)

近日，北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的12吋立式氧化爐THEORISO302 Move In長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)線(xiàn)，將應(yīng)用于長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)3D NANDFlash制程，擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)立式氧化爐的應(yīng)用領(lǐng)域。

THEORISO302立式氧化爐是北方華創(chuàng)微電子的一款成熟產(chǎn)品，已批量用于中芯國(guó)際、上海華力微芯片生產(chǎn)線(xiàn)，本次Move in長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)線(xiàn)，顯示其已全面覆蓋應(yīng)用于LOGIC、DRAM、NAND等產(chǎn)品工藝生產(chǎn)制程，成為客戶(hù)的POR（Process of Record）機(jī)臺(tái)（擴(kuò)產(chǎn)優(yōu)先采購(gòu)機(jī)臺(tái)）。

北方華創(chuàng)藉由半導(dǎo)體行業(yè)景氣持續(xù)提升，順利跨入晶圓廠(chǎng)主流裝備供應(yīng)商行列。目前包括12吋晶圓制造的刻蝕機(jī)、PVD、立式氧化爐、清洗機(jī)、LPCVD等設(shè)備和氣體質(zhì)量流量控制器等產(chǎn)品,都已批量進(jìn)入了國(guó)內(nèi)主流集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。北方華創(chuàng)預(yù)計(jì)，到2018年，將有40多種裝備可以通過(guò)生產(chǎn)一線(xiàn)用戶(hù)認(rèn)證，進(jìn)入采購(gòu)行列。

值得注意的是，其目前所承擔(dān)的“02專(zhuān)項(xiàng)”16/14nm工藝制程設(shè)備也正在加速研發(fā)中。

國(guó)產(chǎn)自研CMP進(jìn)入中芯大生產(chǎn)線(xiàn)

由中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“電科裝備”）研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8吋CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）設(shè)備，近日也進(jìn)入中芯天津8吋大生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證。這是國(guó)產(chǎn)CMP設(shè)備首次進(jìn)入集成電路大生產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證的空白。

CMP是集成電路硅片制造表面精細(xì)拋光的重要工藝制程，也是實(shí)現(xiàn)集成電路3D TSV封裝工藝的關(guān)鍵工藝手段。

據(jù)介紹，這套國(guó)產(chǎn)8吋CMP設(shè)備由拋光、清洗、晶圓傳輸三大模塊組成，按照國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，能夠滿(mǎn)足集成電路晶圓制造中所有復(fù)雜平坦化工藝需求，包括STI、ILD、contactor、metal line等；同時(shí)滿(mǎn)足TSV、MEMS等領(lǐng)域平坦化工藝要求，適用于主流半導(dǎo)體材料包括氧化物、氮化物、硅、鎢、銅、鉭、鋁等，以及特殊材料（如聚合物等）。

該套設(shè)備在交付前已經(jīng)進(jìn)行3個(gè)批次近一萬(wàn)片工藝試驗(yàn)，性能指標(biāo)經(jīng)中芯測(cè)試已經(jīng)達(dá)到設(shè)備進(jìn)廠(chǎng)在線(xiàn)驗(yàn)證要求，未來(lái)6個(gè)月進(jìn)廠(chǎng)后將經(jīng)受大生產(chǎn)的考驗(yàn)。

面對(duì)國(guó)際挑戰(zhàn) 國(guó)產(chǎn)設(shè)備底氣足

盡管屢傳好消息，國(guó)產(chǎn)設(shè)備在國(guó)內(nèi)晶圓廠(chǎng)的認(rèn)證與生產(chǎn)都取得長(zhǎng)足的進(jìn)展，但同樣的，也遭逢國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者的挑戰(zhàn)，并以訴訟作為商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)手段。

日前美國(guó)MOCVD（金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備）設(shè)備廠(chǎng)Veeco向美國(guó)紐約東區(qū)地方法院提出針對(duì)SGL Carbon，LLC（SGL）禁令請(qǐng)求，禁止SGL出售采用Veeco專(zhuān)利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器（即石墨盤(pán)），包括專(zhuān)為中國(guó)MOCVD設(shè)備商中微半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的石墨盤(pán)。

而中微在國(guó)內(nèi)進(jìn)行關(guān)鍵性的反擊，日前，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利復(fù)審委即作出審查決定，否決“Veeco上?！标P(guān)于中微半導(dǎo)體專(zhuān)利無(wú)效的申請(qǐng)，確認(rèn)中微半導(dǎo)體起訴Veeco上海專(zhuān)利侵權(quán)的涉案專(zhuān)利為有效專(zhuān)利。

事實(shí)上，中微半導(dǎo)體作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備的“領(lǐng)頭羊”，已非首次遭逢專(zhuān)利官司的考驗(yàn)，而且“交手”的對(duì)象還都是國(guó)際一線(xiàn)大廠(chǎng)包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、科林研發(fā)（Lam Research）。

2007年10月，應(yīng)用材料將中微半導(dǎo)體告上了美國(guó)法庭，指控中微侵權(quán)；但2010年，雙方最終達(dá)成了和解，并解決了所有未決爭(zhēng)議。其中，雙方同意專(zhuān)利族將由雙方共同擁有。

就在今年2017年，中微與科林研發(fā)歷時(shí)長(zhǎng)達(dá)8年的刻蝕機(jī)專(zhuān)利官司，中微控告其侵犯商業(yè)秘密，中微并取得了勝利。如今在LED裝備領(lǐng)域再度遭逢Veeco嚴(yán)峻的官司挑戰(zhàn)，這一次能否順利過(guò)關(guān)？

ICWise半導(dǎo)體首席分析師顧文軍則透露，中微在關(guān)于Veeco與SGL的官司上，似乎暫時(shí)判決對(duì)中微半導(dǎo)體不利，也起了業(yè)內(nèi)對(duì)中微和LED公司的擔(dān)心，但他也透露，很快就會(huì)有好消息，不必太過(guò)悲觀(guān)。