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森國科斬獲年度最具影響力獎項榮譽

森國科 ? 來源:森國科 ? 2024-06-29 17:13 ? 次閱讀
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6月28日,SEMI-e第六屆深圳國際半導體展在深圳國際會展中心4/6/8號館圓滿落幕。本次展會精心設置了三館六大區(qū),涵蓋了芯片設計、晶圓制造與封裝、半導體專用設備與零部件、先進材料、第三代半導體/IGBT以及汽車半導體等主要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。第一天就吸引了23870位來自全球各地的專業(yè)觀眾,50多場精彩的主題活動輪番上演,創(chuàng)新的火花不斷碰撞,為到場觀眾呈現(xiàn)了一場精彩紛呈的科技盛宴。

在本次盛會中,森國科攜其領先的碳化硅功率器件和高端功率IC等系列產(chǎn)品及解決方案,在4號展館璀璨亮相。展館內(nèi),參觀者絡繹不絕,森國科的專業(yè)團隊與眾多來訪的工程師進行了深入的技術(shù)交流和經(jīng)驗分享。

得益于森國科多年積累的技術(shù)沉淀與不斷創(chuàng)新的發(fā)展實力,此次成功斬獲2024SEMI-e年度最具影響力獎項榮譽,這不僅體現(xiàn)了業(yè)界對森國科強大實力的高度認可,更是對森國科在未來創(chuàng)新與發(fā)展道路上的極大鼓勵。未來,森國科也將會一如既往地堅持創(chuàng)新引領,持續(xù)為低碳、雙碳事業(yè)賦能,助力快速發(fā)展!

森國科展出產(chǎn)品往下翻更精彩SiC二極管

森國科碳化硅二極管產(chǎn)品選型是目前國內(nèi)選型最齊全、封裝最多樣化的,可為工業(yè)電源、快充、充電樁、光伏逆變器等領域提供服務。

碳化硅MOSFET

森國科推出的碳化硅MOSFET產(chǎn)品具備了高耐壓、低導通電阻、高開關速度以及低電容等特性,采用帶有單獨驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝,有利于節(jié)省開關損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。在減少寄生電感和優(yōu)化柵極驅(qū)動效率上也表現(xiàn)突出,無鹵素,符合RoHS標準。

森國科碳化硅MOSFET產(chǎn)品適用于太陽能逆變器、電動汽車電機驅(qū)動、高壓直流變換器、開關電源等多個應用場景。

碳化硅模塊

森國科推出了1200V碳化硅二極管模塊、碳化硅MOSFET模塊,憑借其超低損耗特性、高工作頻率能力、零關斷拖尾電流的高效性能以及常閉保護和高安全性能,廣泛應用于充電樁、光伏發(fā)電系統(tǒng)、高效轉(zhuǎn)換器/逆變器、電機驅(qū)動系統(tǒng)以及智能電網(wǎng)和分布式發(fā)電系統(tǒng)。這些特性使得它們在提高系統(tǒng)效率和可靠性方面表現(xiàn)出色,為用戶帶來了顯著的優(yōu)勢。

SJ MOSFET

森國科的超結(jié)MOS場效應晶體管實現(xiàn)了低導通電阻,顯著降低了開關與導通過程中的能量損耗,同時具備了較低的開關噪音。該系列產(chǎn)品已順利通過雪崩測試,驗證了其出色的性能和可靠性,非常適合應用于需要高性能功率管理的場景,如硬交換和軟交換拓撲、PFC電路、工業(yè)和消費電源中。

功率芯片&板卡&方案

森國科功率IC產(chǎn)品采用了先進的高壓特色工藝,包括功率管及模塊的驅(qū)動、BLDC電機驅(qū)動。其團隊在BCD工藝,UHV工藝、數(shù)模混合、電機驅(qū)動算法方面有深厚的積累,成功推出了MCU、預驅(qū)芯片、GateDriver、IPM功率模塊等多款產(chǎn)品,并提供配套的高性能、高性價比的多款智能小家電解決方案。

行車記錄儀板卡&方案 面向網(wǎng)約車視頻監(jiān)控市場,森國科推出了國內(nèi)領先的視頻處理芯片及4G記錄儀方案。方案采用了先進的圖像處理技術(shù)和脫敏技術(shù),能夠在各種駕駛環(huán)境下捕捉高清晰度的圖像,為駕駛場景提供了安全、可靠的記錄。同時,設計考慮到了與車輛原有系統(tǒng)的安裝對接,使得整車可以更加方便地將記錄儀功能集成到車輛中。隨著產(chǎn)品型號及方案的逐漸完善,使得森國科在AI DVR領域中的市場占有率得到了進一步的提高。

審核編輯:彭菁

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原文標題:SEMI-e第六屆深圳國際半導體展盛大落幕,森國科斬獲年度最具影響力獎項榮譽!

文章出處:【微信號:SGKS2016,微信公眾號:森國科】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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