今天在寫(xiě)外部中斷的程序的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)中斷特別容易受到干擾,我把手放在對(duì)應(yīng)的中斷引腳上,中斷就一直觸發(fā),沒(méi)有停過(guò)。經(jīng)過(guò)一天的學(xué)習(xí),找到了幾個(gè)解決方法,所以寫(xiě)了這篇筆記。如果你的中斷也時(shí)不時(shí)會(huì)誤觸發(fā),可以對(duì)照找一下原因。
1,上下拉
中斷的外圍電路,該上拉的就上拉,該下拉就下拉,如下圖:

圖中的BAT6_#CHRG和BAT6_#DONE是連接到MCU的2個(gè)中斷引腳,其中R183已經(jīng)是上拉3.3V了,D63和D64用于指示,并沒(méi)有任何作用。除了上圖的上拉,還需要一個(gè)對(duì)地的電容下拉,接到GND,這樣就可以讓信號(hào)沒(méi)有毛刺。
2,中斷延遲檢測(cè)
在觸發(fā)中斷之后,延遲一段時(shí)間,然后去處理。個(gè)人認(rèn)為不好,中斷的好處就是實(shí)時(shí)性和優(yōu)先級(jí),現(xiàn)在在中斷里面加Delay函數(shù),不是和中斷的初衷相悖嗎?

3,清除中斷標(biāo)志位或者開(kāi)關(guān)中斷源
網(wǎng)上有部分人也說(shuō),清除中斷或者開(kāi)關(guān)中斷源,這樣就可以釋放中斷,把中斷“趕”出去,等下次中斷,再讓它“進(jìn)”來(lái),但是STM32的Cortex-M內(nèi)核有一個(gè)問(wèn)題,中斷標(biāo)志位清除之后,并不是馬上清除,而是要等一會(huì),這就導(dǎo)致清除標(biāo)志位的方法不太可行,只能去開(kāi)關(guān)中斷源了。

4,施密特滯留器
這是網(wǎng)上上比較靠譜的一種方法,將施密特接到中斷之后,MCU之前,保證進(jìn)入中斷的信號(hào)都是經(jīng)過(guò)“滯留”的。施密特觸發(fā)器分為兩種類型,即反相施密特觸發(fā)器和同相施密特觸發(fā)器。反相施密特觸發(fā)器可以定義為一個(gè)輸出元件連接到運(yùn)算放大器的正端。類似地,同相施密特觸發(fā)器可以定義為輸入信號(hào)在運(yùn)算放大器的負(fù)端給出。
下圖是反向施密特觸發(fā)器的輸入和輸出的電壓波形關(guān)系,其中輸入也不一定是正弦函數(shù),有可能是三角波甚至是方波,反正輸出的電壓是通過(guò)閾值來(lái)判斷的。

使用NE555的施密特觸發(fā)器電路圖如下所示,下面的電路可以用基本的電子元件組成,但NE555是這個(gè)電路中必不可少的元件。NE555的兩個(gè)引腳(例如引腳4和引腳8)都與VCC電源相連。兩腳(如引腳2和引腳6)短接,通過(guò)電容將輸入相提供給這些腳。

在上圖中,電阻R1和R2形成的分壓器提供外部偏置電壓(VCC/2) ,閾值為1/3VCC和2/3VCC。
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