基于FRAM的微控制器的應用場景有很多，如可穿戴電子產品、工業和遠程傳感器、能量收集裝置、智能計量儀表、家庭自動化設備、數據采集系統、物聯網（IoT）以及更多需要超低功耗、靈活內存選擇和智能模擬集成的應用。

相比傳統的MCU，FRAM MCU有低功耗、讀寫操作以及讀寫次數等方面有著極大的優勢。FRAM本身不僅可當作Flash使用，也可當作SDRAM使用，所以不管是代碼還是數據都可以同時間放在FRAM里傳送，而且傳送速度很快，可讓工程師更靈活地去做復雜的產品設計。

本文主要介紹一種國產FRAMPB85RS2MC，該存儲器集成降低安全應用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開發人員為低功耗應用并提高安全性。此外，非易失性FRAM替代EEPROM或閃存為MCU提供穩健統一的存儲器架構，從而可簡化安全系統設計。

鐵電存儲器PB85RS2MC的應用優勢：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數據。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優點。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

值得一提的是，PB85RS2MC無論在待機或是運行、高溫或是低溫的應用場景下，均能保持穩定的低功耗水平，且它的小尺寸封裝可以最大限度地縮減產品尺寸并實現了無電池的世界。如有需求，國芯思辰可全程提供技術服務和供貨需求。

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