傳感新品

【中國科學院長春應化所：研究一種集成汗液傳感器同步檢測多種動脈粥樣硬化生物標志物！】

臨床上經常通過測量血液粘度、血流量和血液損傷水平來評估動脈粥樣硬化狀況。與精準醫學相結合，開發方便、無創的動脈粥樣硬化診斷方法至關重要。

中國科學院長春應用化學研究所張強和中國人民解放軍聯勤保障部隊第九八九醫院 Qi Chang 設計了一種集成的電化學傳感器，同時檢測汗液中的膽固醇、轉鐵蛋白和 K + ，這些都是動脈粥樣硬化的生物標志物指標。這傳感器顯示出對動脈粥樣硬化狀態進行常規個性化評估的良好前景，這是精確醫學的一個值得注意的科學進步。

研究要點

要點1 . 該傳感系統是通過絲網印刷技術在柔性聚對苯二甲酸乙二醇酯 ( PET ) 基板上制備的，該基板由三個工作電極、兩個參比電極和一個對電極組成。在工作電極表面連續電沉積了多壁碳納米管 ( MWCNTs ) 和碳量子點 ( C QDs ) 。固定化CQDs的MWCNTs支架提供了大量的活性位點。CQDs降低了電子轉移電阻，提高了電子轉移速率常數 ( k 0 ′ ) 。在三個電極表面上沉積了特定的分子傳感元件。

要點2 . 傳感機制 ：β-CD共價連接在電極表面，作為選擇性膽固醇識別的宿主。識別反應導致電信號隨膽固醇濃度的變化。對于轉鐵蛋白檢測，一種錨定在工作電極表面的高選擇性分子印跡聚合物 ( MIP ) 。轉鐵蛋白插入MIP分子腔會阻礙電子轉移，導致電流信號減少。通過在工作電極上沉積K + 離子選擇膜 ( ISM ) 來制備K + 傳感器。ISM的K + 選擇性 磁導率導致電極表面上與 K + 成比例的獨特電勢差。

要點3 . 該傳感 器 為痕量汗液生物標志物 ( 膽固醇、轉鐵蛋白和K + )的超靈敏檢測提供了一個高度電化學活性平臺。集成的非酶傳感器表現出優異的長期穩定性。通過同時檢測接受預先設計的日常活動的志愿者汗液中的三種動脈粥樣硬化生物標志物，成功證明了該傳感器的實用性。

研究圖文

圖1 . （ a） ( I ) M-SPE和 ( II ) C-SPE的SEM。（b）SPE、M-SPE和C-SPE在5 mM K 3 [Fe ( CN ) 6 ]溶液中以100 mV/s的掃描速率的CV。（c）電極的Nyquist圖。（d）C-SPE 在 掃描速率范圍為10-500 mV/s 內 的CV。（e）陰極和陽極峰值電流與掃描速率平方根的關系 。

圖 2. （ a）膽固醇傳感器的傳感機制示意圖。（b）傳感器在人造汗液中膽固醇0-100 μM范圍內的DPV。（c）膽固醇傳感器的相應校準曲線。（d）膽固醇傳感器的選擇性測試。I：0.1 M PBS；II、10 -7 M膽固醇；III：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿素；IV：10 -7 M膽固醇+10 -6 M葡萄糖；V：10 -7 M膽固醇+10 -6 M尿酸；VI：10 -6 M膽固醇。（e）10個獨立的膽固醇傳感器進行再現性測試。（f）膽固醇傳感器在20天內的長期穩定性。（g）膽固醇傳感器在 實際汗液中的 DPV。（h）在實際汗液中測試時的相應校準曲線。

圖 3. （ a）轉鐵蛋白傳感器的傳感機制。（b）轉鐵蛋白傳感器在人工汗液中0-10 -2 g/L濃度范圍內的安培響應。（c）相應的校準曲線。（d）轉鐵蛋白傳感器的選擇性測試。（e）10個獨立轉鐵蛋白傳感器和10 -5 g/L轉鐵蛋白進行再現性測試。（f）轉鐵蛋白傳感器在20天內的長期穩 定性。（ g）轉鐵蛋白傳感器在真實汗液中的安培響應。（h）實際汗液分析的轉鐵蛋白傳感器的相應校準曲線。

圖4 . （ a）K + 傳感器的感應機構。（b）人工汗液中K + 傳感器在10 -7 -10 -1 M濃度范圍內的OCPT響應。（c）相應的校準曲線。（d）K + 傳感器在不同pH下的OCPT響應。（e）在存在各種離子的情況下對K + 傳感器進行離子干擾測試。（f）10個K + 傳感器進行重復性測試。（g）K + 傳感器在1小時測量期間的信號穩定性。（h）K + 傳感器在20天內具有10 mM K + 的長期穩定性。（i）K + 傳感器在實際汗液中的OCPT響應和（j）相應的校準曲線。

圖5 . （ a）傳感器對攝入三個雞蛋后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉鐵蛋白的反應。（b）傳感器對攝入0.375 g KCl后汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉鐵蛋白的反應。（c）攝入2.5 mg鐵元素后，傳感器對汗液樣本中（I）膽固醇、（II）K + 和（III）轉鐵蛋白的反應。（d）三名具有不同BMI值的受試者對汗液中（I）膽固醇、（II）K+和（III）轉鐵蛋白的傳感器反應。

傳感動態

【英飛凌推出集成MEMS傳感器與ASIC的胎壓監測傳感器】

英飛凌將自身在汽車領域經驗證的專業知識與面向汽車胎壓監測系統（TPMS）市場的專利玻璃-硅-玻璃MEMS硅麥傳感器結合，推出XENSIV SP49胎壓監測傳感器。該傳感器集成了MEMS傳感器與ASIC，可提供先進的胎壓監測系統所需的智能輪胎功能。XENSIV SP49胎壓監測傳感器采用性能強大的 32位Arm M0+內核、大容量閃存和RAM，并具有低功耗監測（LPM）以及更優化的快速加速度感應功能，適用于輪胎位置自動檢測、輪胎充氣輔助、爆胎檢測、負載檢測等智能輪胎功能。

英飛凌推出XENSIV胎壓傳感器，以智能功能滿足胎壓監測系統的需求

SP49是英飛凌上一代SP40 TPMS新一代產品，與SP40引腳對引腳兼容，配備硬件主/從 I?C接口及軟件模擬UART、SPI和PWM接口，適用于1GHz以下頻率，并可擴展以用于BLE TPMS。這款傳感器達到ASIL-A級標準，集成度高且經過優化，具備現代TPMS模塊所需的所有功能。SP49集成了微控制器、傳感器和便捷的外設，因此只需要少量無源元件，即可構成完整的TPMS傳感器單元。該半導體器件采用低功耗設計，是電池供電應用的理想選擇。

除了能夠利用內部集成的間隔計時器實現喚醒功能外，SP49傳感器還適用于需要低功耗的獨立遠程壓力傳感解決方案。在這些應用中，該款具有喚醒功能和一流靈敏度的低頻接收器能夠實現按需測量。

【A股半導體加入“增持回購軍團” 華潤微實控人拋出1億元增持計劃】

今年下半年A股半導體板塊整體回調，越來越多行業龍頭上市公司加入“護盤”大軍，公布增持以及回購計劃以及更新進展。10月16日晚間，A股功率半導體IDM龍頭華潤微(688396)披露實際控制人子公司不低于1億元的增持計劃。

根據告知函，基于對公司未來發展的信心以及長期投資價值認可，中國華潤計劃自12個月內通過公司控股股東CRH (Microelectronics) Limited（華潤集團（微電子）有限公司）或中國華潤其他全資子公司增持上市公司股份，合計增持金額不低于1億元。

目前中國華潤持有CRH(Micro)100%股份，并通過CRH(Micro)持有華潤微總股本的66.58%，為公司的實際控制人，另外，本次中國華潤方面將通過自有資金或自籌資金增持公司股份。

今年上半年，華潤微實現歸屬凈利潤7.78億元，同比下降約四成。對于下半年業績增長來源，華潤微高管在9月份接受機構調研時表示，公司重慶12吋產線及封裝基地產能逐步上量，做好產能準備；另外，公司積極布局潛力賽道，新能源、汽車電子、工控通信等應用領域占比不斷提，IGBT、第三代化合物、傳感器、模塊等將是未來產品的增長點。

據預測，華潤微重慶12吋2023年底規劃產能爬坡至2萬片，目前公司封裝能力月產能8.7億顆，未來公司將以重慶封測基地項目為抓手，全面覆蓋功率半導體產品模塊封裝、晶圓中道生產線、面板級封裝、第三代半導體封裝等技術領先門類，有序推進封裝工藝升級。

同日，從事電源管理及信號鏈芯片供應商的希荻微披露完成回購。

今年8月18日，希荻微首次披露了回購股份事項；截至10月13日，公司通過集中競價交易累計回購81.1萬股，占公司總股本0.2%，回購成均價18.5元/股，支付的資金總額約1500萬元；所回購股份計劃將在未來適宜時機全部用于員工持股計劃或股權激勵計劃。

作為A股Nor Flash存儲龍頭，今年9月兆易創新拋出8000萬元至1.5億元回購計劃；最新披露，截至2023年10月16日，公司通過集中競價交易方式累計回購股份約73萬股，占公司總股本的比例為0.11%，購買的最高價格為102.44元/股，最低價格為98.33元/股，已支付的總金額約7345萬元（不含交易費用）。

A股存儲器龍頭江波龍也在今年8月31日江波龍也拋出了增持計劃，公司實際控制人、控股股東、董事長兼總經理蔡華波，董事兼副總經理王景陽，董事、副總經理兼財務負責人朱宇計劃增持公司股份總金額合計不低于1500萬元。隨后公司進一步補充增持計劃，即蔡華波計劃增持不低于700萬元，王景陽增持不低于500萬元，朱宇增持不低于不低于300萬元。

LED芯片龍頭三安光電大股東已經完成增持。9月19日晚間公告，公司間接控股股東三安集團完成增持股份計劃，累計斥資近1億元增持股份比例至5.0081%。增持完成后，控股股東三安集團以及一致行動人累計持股比例升至29.338%。

龍芯中科作為國產通用CPU龍頭，截至2023年9月30日，公司通過集中競價交易回購公司股份157,974股，占公司總股本0.04%，回購成交的最高價為87.99元/股，最低價為86.24元/股，支付的資金總額為1374.65萬元。不過，近期公司披露鼎暉華蘊及其一致行動人鼎暉祁賢合計減持約417萬股，截至10月12日上述股東持股比例由6.35%變動至5.31%。

作為A股晶圓代工巨頭之一，華虹公司也在今年8月底推出了增持計劃，公司執行董事兼總裁唐均君等高管，計劃后續6個月內通過集中競價方式增持公司股份，合計增持金額不低于225萬元且不超過450萬元。

同時，華虹公司間接控股股東上海華虹（集團）也計劃6個月內增持公司股份，合計增持金額不低于5000萬元且不超過1億元。

【美計劃進一步收緊對華芯片出口措施，阿斯麥CEO：實際會削弱西方自己】

美國彭博社15日援引知情人士的消息稱，在限制對華出口先進芯片一年后，美國計劃進一步收緊相關措施，以阻止中國獲得可能有助于其軍事發展的尖端技術，新規可能會在本周發布。中國外交部發言人毛寧16日在例行記者會上強調，美方應當停止將經貿科技問題政治化、工具化、武器化，停止擾亂全球產供鏈穩定。中方將密切關注有關動向，堅決維護自身權益。

彭博社援引知情人士的消息稱，相關措施旨在彌補去年10月限制措施的漏洞，拜登政府將尋求加強對向中國公司出售用于人工智能（AI）的圖形芯片和先進芯片制造設備的控制。此外，白宮還將對試圖通過其他國家運輸以規避出口限制的中國企業實施額外檢查，并將中國芯片設計公司列入貿易限制名單，要求美國海外的芯片制造商必須獲得華盛頓的許可證才能為這些公司供貨。

路透社披露的消息則顯示，新限制措施將阻止一些恰好滿足當前技術參數限制的AI芯片的對華出口。報道稱，在美國去年發布對華芯片出口限制后，英偉達公司就針對中國市場推出了H800芯片，以代替被禁售的H100型號AI芯片。而H800被普遍認為是華盛頓希望阻止對華出口的對象之一。路透社稱，美國還計劃取消用于限制AI芯片出口的“帶寬參數”，用其他標準取而代之，以擴大限制范圍。

彭博社稱，近期，中國華為公司發布了新款智能手機，其搭載芯片所展現的制造能力“遠遠超出美國試圖阻止其進步的范圍……這一成就讓華盛頓打壓北京的能力遭到懷疑，并引發拜登政府對華為及其合作伙伴實施更多制裁的政治壓力”。

此外，拜登政府對中國持續不斷的打壓也遭到業界反對。彭博社稱，英偉達、高通和英特爾這三大美國本土芯片巨頭的首席執行官一直在警告美國政府不要對華采取高壓手段。在減少中國獲得高尖端技術的同時，他們擔心對向中國出口非尖端芯片的新限制將剝奪他們的大量收入來源。美國商會估計，如果出現最糟糕的情況，即對中國的銷售完全停止，美國芯片公司每年可能會損失830億美元、12.4萬個工作崗位，相關研發支出每年將減少120億美元。

香港半導體行業分析師林子恒16日對《環球時報》記者分析稱，拜登政府在芯片領域的限制行動意圖明顯，就是想“扼殺”中國芯片產業，削弱中國在未來全球高科技領域競爭中的實力，并維護自身的科技霸權。林子恒認為，媒體報道的新限制措施更有針對性，可能會為中國芯片行業以及人工智能行業的發展帶來新挑戰，但也會激發出中國科研機構和企業的攻關動力。

荷蘭***制造商阿斯麥CEO溫寧克近期接受外媒采訪時表示，試圖通過禁止技術移民和出口管制等方式孤立中國，實際上會削弱西方自己。“中國有14億人，其中很多人都很聰明。他們會提出我們還沒想到的解決方案。你在迫使他們變得非常善于創新。”《紐約時報》報道稱，近幾個月，美國芯片公司一直在發出警告，美國（的限制）可能加快中國發展獨立自主的芯片產業，從而為中國制造的芯片主導世界鋪平道路。

在彭博社看來，美國芯片企業幾個月來的呼吁，多少得到了白宮的回應。根據新規定，除最強大的消費級圖形芯片之外，美國企業將被允許向中國出口所有其他產品。此外，美國官員稱，更新后的規定將不包括限制中國企業使用美國或其盟友的云計算服務。美國政府將發布意見征詢，以更好地了解與此相關的可能的國家安全風險以及潛在的解決方案。美國還延長了對韓國三星電子、SK海力士等企業的豁免，從而讓它們可以繼續向自己在中國（大陸）的工廠供應含有美國技術的半導體生產設備。

【消息稱三星西安半導體工廠開啟工藝升級，正采購新設備備產 236 層 NAND】

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進口美國芯片設備。

對于三星來說這無疑是一個好消息，而且他們在取得豁免后也確實在采取相應措施。據 Business Korea 報道，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并已開始大規模擴張。

消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND 的設備，這也被業界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產能下降的戰略步驟。

公開資料顯示，三星（中國）半導體有限公司 2012 年落戶西安高新區，而三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導體生產基地。

該工廠于 2020 年增設了第二期工廠項目，目前已發展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據了三星 NAND 總產量的 40% 以上。

三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元（當前約 1096.5 億元人民幣）。

外媒認為，三星決定升級其西安工廠的原因有兩個。其一主要在全球 NAND 市場環境沒有表現出明顯的復蘇跡象，而在這種情況下三星需要保持其在 NAND 市場的全球領導地位；另一個原因就是美國剛剛發布的無限期豁免。

由于產能嚴重過剩，再加上去年年底以來全球 IT 市場需求嚴重低迷，半導體市場疲軟嚴重影響了三星的 NAND 業務，導致庫存水位一直增加，進而導致虧損不斷擴大。即使在通過減產政策略降低產量后略有改善，但目前三星依然需要盡快實現工藝升級。

通過升級最新的第 8 代 NAND 產品，三星不僅可以確保價格競爭力，而且考慮到第 8 代 NAND 相比第 6 代晶圓投入減少約 30%，更能平衡市場供應和需求。

據稱，作為第 6 代（128 層）V-NAND 主要生產基地，西安工廠自三星 4 月份宣布減產以來，其開工率也出現了大幅下降，目前整體開工率已降至 20% 左右。

外媒認為，美國雖然暫時放寬了對中國半導體設備的限制，但這對于三星和 SK 海力士來說僅僅只是一個暫時的喘息機會。

審核編輯 黃宇