來源：半導體芯科技編譯

CEA-Leti和英特爾宣布了一項聯合研究項目，旨在開發二維過渡金屬硫化合物（2D TMD）在300mm晶圓上的層轉移技術，目標是將摩爾定律擴展到2030年以后。

2D層半導體，如鉬基和鎢基TMD，是擴展摩爾定律并確保MOSFET晶體管最終成為有希望的候選材料，因為2D-FET提供固有的亞1nm晶體管溝道厚度。它們適用于高性能和低功耗平臺，因為它們具有良好的載流子運輸和移動性，即使是原子薄層也是如此。此外，它們的器件主體厚度和適中的能帶間隙增強了靜電控制，從而降低關態電流。

這些特性使2D-FET堆疊納米片器件成為2030年以后晶體管縮放的有前途的解決方案，這將需要高質量的2D溝道生長，適應性轉移和穩健的工藝模塊。為此，這個為期多年的項目將開發一種可行的層轉移技術，將高質量2D材料（生長在300mm優選基板上）轉移到另一個器件基板上，用于晶體管工藝集成。英特爾為該項目帶來了數十年的研發和制造專業知識，CEA-Leti還提供鍵合和轉移層專業知識以及大規模表征。

“隨著我們不斷推動摩爾定律，2D TMD材料是未來擴展晶體管擴展極限的有前途的選擇，”英特爾技術開發高級研究員兼英特爾歐洲研究總監Robert Chau說。“該研究計劃的重點是開發一種可行的基于300mm的2D TMD技術，用于未來的摩爾定律晶體管。

英特爾利用其在半導體和封裝研究和技術方面的實力和專業知識，與歐洲合作伙伴合作，開發摩爾定律創新技術，并推動歐洲微電子技術的發展。2022 年，Chau 從美國調往歐洲，領導英特爾歐洲研究院，并與歐洲大陸的合作伙伴一起推動英特爾的研發。英特爾和CEA-Leti在半導體設計、工藝和封裝技術方面有著悠久的密切合作歷史。

最近，他們于 2022 年 6 月宣布了一項新型裸片到晶圓鍵合技術的研究突破，該技術使用自組裝工藝進行未來的芯片集成。Chau于6月16日訪問了CEA-Leti的格勒諾布爾總部，強調他們合作和項目啟動的重要性，他一直是兩個實體之間多年研究合作的堅定支持者。

CEA-Leti首席執行官Sebastien Dauvé表示，行業路線圖顯示，二維材料將集成到未來的微電子器件中，而300毫米晶圓的轉移能力將是集成的關鍵。

"由于二維材料的生長溫度超過700°C，并且在優選基底上高質量生長，因此二維材料很難像普通薄層一樣堆疊沉積。Dauvé說："因此，轉移最有希望將它們集成到未來的器件中，而CEA-Leti在這方面的優勢在于其在轉移開發和表征方面的專業知識和專有技術。

審核編輯 黃宇