作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。

近年來隨著物聯網應用的普及，針對RFID的方案，鐵電存儲器低功耗、高速度和高性能特性與無線接入技術可以很好地結合在一起，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于RFID方案中，該存儲器的性能能夠完美的替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯），并且價格也有優勢。

RFID傳感器標簽結構

傳統RFID應用通常采用EEPROM存儲器，與之相比鐵電存儲器有諸多優勢。例如PB85RS2MC超低功耗特性使得同樣使用普通紐扣電池壽命可以延長2000倍，在寫入數據時EEPROM需要內部升高電壓，所以寫人速度非常慢，而PB85RS2MC在寫和讀方面的性能一樣，同時速度比前者快六倍，能夠實現整個存儲區塊的寫入操作，更快地存儲更多的數據，并且沒有“預備時間”限制。

PB85RS2MC在RFID中的應用優勢：

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以保持數據。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快（最高100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優點。

3、PB85RS2MC最低低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作頻率25兆赫茲，并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環境溫度范圍-40℃至85℃，封裝為8引腳SOP封裝，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

另外鐵電存儲器和EEPROM方案的讀寫距離不同，寫入距離要比讀取短很多，這就限制了一些需要寫人數據的應用空間范圍，而FRAM的讀寫距離都是一樣，可以很好地解決這一問題。

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