碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

基本半導體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

性能方面：

更低的比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。

更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。

更高的可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。

更高的工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。

應用方面：

第二代碳化硅MOSFET系列新品主要應用在新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、光儲一體機、充電樁以及UPS、PFC電源等領域。

碳化硅MOSFET選型

除此，基本半導體在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，能夠更好的應用到多樣化的行業場景中；國芯思辰有非常充足的碳化硅MOSFET庫存，該產品價格也非常有優勢，如需樣品，可以在國芯思辰官網進行申請。

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