本文幫助準(zhǔn)備與Maxim非易失性SRAM(NVSRAM)配合使用的系統(tǒng)存儲器時序。
Maxim的NVSRAM模塊采用Maxim非易失性控制器、低功耗CMOS靜態(tài)RAM存儲器元件和紐扣鋰電池。在正常工作條件下,讀或?qū)懖僮髟诠δ苌吓c獨立SRAM相同。使用并行I/O結(jié)構(gòu),用戶可以輕松地將數(shù)據(jù)存儲到地址總線寬度定義的任何內(nèi)存位置或從中獲取數(shù)據(jù)。后續(xù)內(nèi)存周期可以在此位置或任何其他位置以所需的任何順序發(fā)生,沒有占空比或?qū)懭胫芷谟嫈?shù)限制。

圖1.典型的NVSRAM電路。
如果系統(tǒng)電源高于指定的寫保護(hù)電壓(V衛(wèi)生紙),三個控制輸入引腳(/CE、/WE和/OE)定義了要執(zhí)行的存儲器操作,如表1所示。寫入命令優(yōu)先于讀取命令。最大電流消耗(I抄送) 在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表的直流電氣特性表中指定每種狀態(tài)。
| V抄送 | /CE有效 | /WE | /OE有效 | 地址總線 | DQ總線 | 功能 | 我抄送 |
| < V衛(wèi)生紙 | x | x | x | x | 高阻抗 | 寫保護(hù) | 不適用 |
| > V衛(wèi)生紙 | 1 | x | x | x | 高阻抗 | 待機(jī) | 我CCS1或我CCS2 |
| 0 | 1 | 1 | 穩(wěn)定 | 高阻抗 | 讀 | 我CCO1 | |
| 0 | 1 | 0 | 穩(wěn)定 | 輸出數(shù)據(jù) | 讀 | 我CCO1 | |
| 0 | 0 | x | 穩(wěn)定 | 輸入數(shù)據(jù) | 寫 | 我CCO1 | |
|
x = 不在乎 我CCS1或我CCS2取決于輸入電壓電平(VIH/V伊利諾伊州) 使用。 |
|||||||
穩(wěn)健功能操作的建議規(guī)則
必須始終將三個主要規(guī)則應(yīng)用于任何有效的內(nèi)存操作:
V抄送必須大于指定的寫保護(hù)電壓(V衛(wèi)生紙) 在整個活動內(nèi)存周期中。
地址總線在整個活動內(nèi)存周期中必須穩(wěn)定。
活動內(nèi)存周期的周期時間 (t鋼筋混凝土或 t廁所) 應(yīng)達(dá)到或超過數(shù)據(jù)手冊中列出的最小指定時間。
了解時序圖
重要的是要記住,數(shù)據(jù)手冊的時序圖通常只顯示描述中的一條數(shù)據(jù)線或地址線。實際上,您至少提供了八條數(shù)據(jù)線和十幾條地址線,這些數(shù)據(jù)線可能在系統(tǒng)板上具有不同的信號路徑長度,并且每個信號可能具有不同的負(fù)載特性。使用純靜態(tài)存儲器時,到達(dá)器件輸入引腳的最后一個地址和/或數(shù)據(jù)信號是唯一真正重要的地址和/或數(shù)據(jù)信號。在此存儲器操作結(jié)束時更改的第一個地址和/或數(shù)據(jù)信號也是唯一真正重要的地址和/或數(shù)據(jù)信號。因此,為了避免經(jīng)典的計時比賽,請在計時定義中采取一些簡單的預(yù)防措施。
在定義系統(tǒng)存儲器時序時,同樣重要的是要記住,SRAM的作用類似于“深度鎖存器”。在啟用控制時鐘信號之前,您必須提供輸入(地址和數(shù)據(jù))。這被定義為“設(shè)置時間”。您還必須保持該輸入條件(地址和數(shù)據(jù)),直到“鎖存”操作完成。這被定義為“保持時間”。保持時間可能因選擇哪個時鐘輸入作為控制信號而異。
寫入周期
如表1所示,當(dāng)((/CE = 0)和(/WE = 0))時存在有效寫入。
要成功執(zhí)行寫入操作,必須滿足以下條件:
必須在所選地址啟用設(shè)備最短時間(寫入周期)。
寫入功能必須啟用最短時間(寫入脈沖寬度)。
I/O 引腳(DQ0 到 DQ7)1) 必須在(數(shù)據(jù)設(shè)置)之前驅(qū)動到有效條件,并在(數(shù)據(jù)保持)終點之后保持穩(wěn)定一段時間。
當(dāng)有效寫入變?yōu)?TRUE 時,寫入周期開始。它是在地址引腳上顯示的地址處執(zhí)行的。起點定義為/CE的較晚下降沿2或/WE3.
當(dāng)有效寫入變?yōu)?FALSE 時,寫入周期結(jié)束。終點定義為/CE的較早上升沿2或/WE3.
請記住條件 #2,在有效寫入期間不允許更改地址。地址時序必須滿足相對于起點的地址設(shè)置時間要求,即/CE或/WE的后下降沿。所有地址行必須至少保持穩(wěn)定,直到終點。
使用NVSRAM時,內(nèi)部傳播延遲僅通過/CE路徑。如果使用/WE定義起點和/或終點,請遵循寫入周期1圖示數(shù)據(jù)手冊中的最小時序要求。如果使用/CE定義起點和/或終點,請遵循數(shù)據(jù)手冊中寫入周期2圖示中的最小時序要求。
還要記住,數(shù)字信號不會像時序圖中有時描述的那樣,從邏輯 0 瞬間跳到邏輯 1。在系統(tǒng)設(shè)計階段,輸入信號轉(zhuǎn)換時間可能難以預(yù)測,因為負(fù)載特性在很大程度上取決于PC板元件的放置、布線和材料。為了提高最終應(yīng)用中的工作抗擾度,建議系統(tǒng)設(shè)置和保持時間延遲超過數(shù)據(jù)手冊的最小值。
讀取周期
如表1所示,當(dāng)((/CE = 0)和(/WE = 1))時存在有效讀數(shù),但除非/OE = 0,否則不會出現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出。
要成功執(zhí)行讀取操作,必須滿足以下條件:
必須在所選地址啟用設(shè)備最短時間(讀取周期)。
必須禁用寫入功能。
I/O 引腳(DQ0 到 DQ7)1) 必須在預(yù)期讀取訪問時間(/CE 至輸出有效)或之后的最短時間內(nèi)(/OE 至輸出有效)門控。
當(dāng)有效讀取變?yōu)?TRUE 時,讀取周期開始。它是在地址引腳上顯示的地址處執(zhí)行的。如果/OE也為低電平,則I/O引腳變?yōu)榈妥杩?.
當(dāng)有效讀取變?yōu)?FALSE 時,讀取周期結(jié)束。如果/OE也為低電平,則I/O引腳變?yōu)楦咦杩?.
在有效讀取期間,在預(yù)期讀取訪問時間(/CE至輸出有效)之后發(fā)生的任何地址更改都將終止此內(nèi)存周期(條件#2)。當(dāng)?shù)刂沸性俅畏€(wěn)定時,顯示的新地址將觸發(fā)“新”讀取周期的開始。來自第一個地址的數(shù)據(jù)在地址更改后的一段時間內(nèi)在I/O引腳上保持有效(輸出保持)。來自“新”地址的數(shù)據(jù)將通過地址激活的訪問時間(訪問時間)顯示在I/O引腳上,從最后一個地址輸入變得穩(wěn)定的點開始。
在有效讀取期間,在預(yù)期讀取訪問時間(/CE至輸出有效)之前發(fā)生的任何地址更改都會過早終止此內(nèi)存周期。當(dāng)?shù)刂沸性俅畏€(wěn)定時,顯示的新地址將觸發(fā)“新”讀取周期。來自第一個地址的數(shù)據(jù)不保證顯示在I/O引腳上。來自“新”地址的數(shù)據(jù)將通過地址激活的訪問時間(訪問時間)顯示在I/O引腳上,從最后一個地址輸入變得穩(wěn)定的點開始。
I/O引腳僅在((有效讀取)和(/OE = 0))時驅(qū)動數(shù)據(jù)。這對于功耗可能很重要,因為降低器件占空比和延遲輸出門控可以降低元件的電流消耗。
審核編輯:郭婷
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