今天看到一份其他公司的晶圓芯片的制作工藝流程，其中有一道工藝是采用亞硫酸金鈉溶液經過低溫成膜形成黃金層。

我們都知道晶圓在進行金屬層沉積的時候，常用濺射或者蒸發(fā)的工藝，因此鍍膜層厚度一般都不高，特別是鍍金子的時候，100g金真的到晶圓上的不會超過20g，浪費啊。流程原文對這兩步工序的介紹如下：

“金屬膜沉積：

金屬蒸鍍是在真空環(huán)境下，在光刻后的晶圓表面上蒸鍍金屬層。本項目采用真空蒸發(fā)法，是采用電子束加熱將金屬原料蒸發(fā)沉積到外延片上的一種成膜方法。蒸發(fā)原料的分子或原子平均自由程較高，在真空中幾乎不予其他分子碰撞和直接到達外延片。到達外延片的原料分子不具有表面移動的能量，立即凝結在晶圓片表面。金屬蒸鍍使用的主要材料為鈦、鉑、金、鍺、鎳。

低溫成膜：低溫成膜工藝是在表面沉積一層金屬膜，其中，原料金、硫代硫酸鈉鹽、氫氧化銨，該工藝工程會產生成膜廢液，委外處理。”

用電鍍鍍金確實是個鍍厚膜的好方法，鍍它100個um，芯片打線效果相當好的。但是電鍍前必須有一層導電層。今天詳細了解一下晶圓電鍍金的原理和工藝。

1、電鍍到底是如何玩的呢？

電鍍是一種電化學過程，也是一種氧化還原過程．電鍍的基本過程是將零件浸在金屬鹽的溶液中作為陰極，金屬板作為陽極，接直流電源后，在零件上沉積出所需的鍍層。鍍金陽極一般采用鉑金鈦網材料。當電源加在鉑金鈦網（陽極）和硅片（陰極）之間時，溶液會產生電流，并形成電場。陽極發(fā)生氧化反應釋放出電子，同時陰極得到電子發(fā)生還原反應。陰極附近的絡合態(tài)金離子與電子結合，以金原子的形式沉積在硅片表面。鍍液中的絡合態(tài)金離子在外加電場的作用，向陰極定向移動并補充陰極附近的濃度消耗。

對于LD晶圓用到的鍍液就是亞硫酸金鈉。當然也有其他電鍍用的藥水，比如氰化物電鍍液，就是有劇毒。但是比亞硫酸鹽做出的膜要好，溶液也穩(wěn)定很多。

亞硫酸金鈉也是用化學方法采用純金溶于溶液中，金以氯酸金或雷酸金的形式加入到鍍液中。在溶液中形成亞硫酸金絡合離子和檸檬酸金絡合離子。市場上有專門賣的。關于這個溶液可以看下面的注解：

審核編輯 ：李倩