GaN材料主要應用于偏低壓應用例如800V以下的應用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強性高電子遷移率異質節晶體管（HEMT）和600V HEMT混合串聯開關。當然現在也有800V以上的一些應用也是用GaN材料的。在這些應用中需要選用高壓差分探頭進行測試。

SiC材料測試中高溫測試需求增多，需要寬溫度范圍的探頭。

SiC材料主要偏向高壓的應用。因其具有承受高溫（300℃左右溫度是沒有問題的）的特點主要應用場景是在汽車和光伏逆變器等領域。這些器件的應用會對整個電源系統有很大的改進。

綜上所訴，針對寬禁帶材料功率器件的測試，我們需要的是包括示波器、示波器探頭以及測試軟件的一套完整的測試系統。其中，對示波器探頭的具體要求如下：

01電氣性能符合要求-帶寬、輸入電壓范圍(單端還是差分)、低噪聲、高輸入阻抗以及高共模抑制比；

02探頭前端滿足規范要求；

03探頭易用性；

04探頭有沒有過載保護；

05溫度范圍滿足規范要求，例如汽車測試需要在85℃左右；

06高共模抑制比，防止共模信號對輸出有影響；

對于電源工程師來說，除了器件本身的測試之外，更關注器件在電路板中的性能，例如器件在工作過程中Vds電壓以及損耗。器件損耗的原因主要有兩個方面：（1）耐壓擊穿；（2）損耗。在測試過程中需要注意的幾個問題是：

器件損耗測試注意的問題

除了以上提到的問題，浮地測量時地的選取以及不能和損耗&SOA同時測試也是需要我們注意的問題。

以上就是測試GaN材料MOSFET管對高帶寬高壓差分探頭要求的相關介紹，如您使用中還有其他問題，歡迎登錄西安普科電子科技。

審核編輯：湯梓紅