在電力電子設備中，開關非常重要，最開始的有機械開關，需要人工來進行操作，隨著微型化的發展，電子開關開始走入人們視野，它們在電路中充當固態開關，但沒有任何機械人工作用。主要有以下幾種：

1.功率二極管

2.金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）

3.雙極結型晶體管（BJT）

4.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

5.晶閘管（SCR，GTO，MCT）

功率二極管，功率晶體管，MOSFET，晶閘管及其雙晶體管模型為三端雙向可控硅開關，柵極截止晶閘管（GTO），絕緣柵雙極晶體管（IGBT）會有的截止特性使得在電力電子電路中，這些開關在飽和區和功率放大器和線性穩壓器等模擬電路中的線性區域工作，使得開關非常高效，在功率處理過程中損耗較小。

功率二極管

與具有PN結構的信號二極管相比，功率二極管具有PN結構。有一定單向導通性，在固有的層面上缺點是在正向偏置條件下會增加明顯的電阻，因此功率二極管需要適當的冷卻裝置來處理大功率損耗。功率二極管被用于許多應用中。包括整流器，電壓鉗位器，電壓倍增器等。

MOSFET

MOSFET是壓控多數載波（或單極）三端器件。與用于低功率信號的簡單橫向溝道MOSFET相比，功率MOSFET具有不同的結構。它具有垂直溝道結構，其中源極和漏極位于硅晶片的相對側，源極和漏極的這種相對放置提高了功率MOSFET處理更大功率的能力。

MOSFET結構中襯底都是內部連接的，但是在外部連接的情況下，方向將發生變化，電子遷移率較高，在MOSFET體內二極管在大多數應用中具有足夠的電流和開關速度，但在某些應用中需要使用超快二極管，在這種情況下，外部快速恢復二極管以反并聯方式連接。但是，還需要一個慢速恢復二極管來阻止體二極管的動作。

功率雙極結型晶體管（BJT）

功率BJT傳統上用于許多應用，但是IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）已在大多數應用中代替了它，但由于某些原因，它們仍在某些領域使用IGBT和MOSFET的輸入電容比BJT高，因此，在IGBT和MOSFET的情況下，驅動電路必須能夠對內部電容進行充電和放電。

盡管與MOSFET或IGBT相比，BJT的輸入電容較低，但由于輸入阻抗低，BJT的響應速度明顯降低.BJT在相同的驅動性能下使用更多的硅。在較早研究的MOSFET中，功率BJT與簡單的平面BJT的配置不同。在平面BJT中，集電極和發射極在晶片的同一側，而在功率BJT中，集電極和發射極在相對的邊緣，這樣做是為了增加BJT的電源處理能力。

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

IGBT結合了BJT和功率MOSFET的物理特性，從而獲得了兩者的優勢，它受柵極電壓控制，與功率MOSFET一樣具有高輸入阻抗，并且與BJT一樣具有低的導通狀態功率損耗。與BJT相比，甚至沒有二次擊穿且開關。由于具有雙極性特性，它與MOSFET相比具有更好的導電特性;與MOSFET相比，它沒有體二極管，但是這可以看作是一個優勢在特定的應用中使用外部快速恢復二極管，它們正在以更低的傳導損耗取代大多數高壓應用中的MOSFET。IGBT上有三個端子，分別稱為集電極，發射極和柵極。

晶閘管（SCR，GTO，MCT）

晶閘管與固態器件系列相似，廣泛用于電力電子電路，SCR（可控硅整流器），DIAC（交流二極管），TRIAC（交流二極管），GTO（柵極關斷晶閘管），MCT（ MOS控制晶閘管），RCT，PUT，UJT，LASCR，LASCS，SIT，SIth，SIS，SBS，SUS，SBS等。SCR是該家族中最老的成員，通常稱為“晶閘管” ”。

它們作為雙穩態開關工作，可在非導通或導通狀態下工作。傳統晶閘管的設計沒有柵極控制的關斷能力，當只有陽極電流低于此值時，晶閘管可從導通狀態變為非導通狀態。其中GTO具有柵極控制的關斷能力。