DS18B20是一款常用的高精度的單總線數字溫度測量芯片。具有體積小，硬件開銷低，抗干擾能力強，精度高的特點。

DS18B20原理

傳感器參數

• 測溫范圍為-55℃到+125℃，在-10℃到+85℃范圍內誤差為±0.4°

• 返回16位二進制溫度數值

• 主機和從機通信使用單總線，即使用單線進行數據的發送和接收

• 在使用中不需要任何外圍元件，獨立芯片即可完成工作

• 掉電保護功能 DS18B20 內部含有 EEPROM ，通過配置寄存器可以設定數字轉換精度和報警溫度，在系統掉電以后，它仍可保存分辨率及報警溫度的設定值

• 每個DS18B20都有獨立唯一的64位-ID，此特性決定了它可以將任意多的DS18b20掛載到一根總線上，通過ROM搜索讀取相應DS18B20的溫度值

• 寬電壓供電，電壓2.5V~5.5V

• DS18B20返回的16位二進制數代表此刻探測的溫度值，其高五位代表正負。如果高五位全部為1，則代表返回的溫度值為負值。如果高五位全部為0，則代表返回的溫度值為正值。后面的11位數據代表溫度的絕對值，將其轉換為十進制數值之后，再乘以0.0625即可獲得此時的溫度值

傳感器引腳及原理圖

DS18B20一共有三個引腳，分別是：

• GND：電源地線

• DQ：數字信號輸入／輸出端

• VDD：外接供電電源輸入端

單個DS18B20接線方式：VDD接到電源，DQ接單片機引腳，同時外加上拉電阻，GND接地。

注意這個上拉電阻是必須的，就是DQ引腳必須要一個上拉電阻。

DS18B20上拉電阻

首先來看一下什么是場效應管（MOSFET）。

MOS管是電壓控制型元器件，只要對柵極施加一定電壓，DS就會導通，MOS基礎相關文章:MOS管基本認識。

漏極開路：MOS管的柵極G和輸入連接，源極S接公共端，漏極D懸空（開路）什么也沒有接，直接輸出 ，這時只能輸出低電平和高阻態，不能輸出高電平。

那么這個時候會出現三種情況：

• 下圖a為正常輸出（內有上拉電阻）：場效應管導通時，輸出低電位輸出低電位，截止時輸出高電位

• 下圖b為漏極開路輸出，外接上拉電阻：場效應管導通時，驅動電流是從外部的VCC流經電阻通過MOSFET到GND，輸出低電位，截止時輸出高電位

• 下圖c為漏極開路輸出，無外接上拉電阻：場效應管導通時輸出低電位，截止呈高阻態(斷開)

總結一下：

開漏輸出只能輸出低電平，不能輸出高電平。漏極開路輸出高電平時必須在輸出端與正電源（VCC）間外接一個上拉電阻。否則只能輸出高阻態。

DS18B20 是單線通信，即接收和發送都是這個通信腳進行的。其接收數據時為高電阻輸入，其發送數據時是開漏輸出，本身不具有輸出高電平的能力，即輸出0時通過MOS下拉為低電平，而輸出1時，則為高阻，需要外接上拉電阻將其拉為高電平。因此，需要外接上拉電阻，否則無法輸出1。

外接上拉電阻阻值：

DS18B20的工作電流約為1mA，VCC一般為5V，則電阻R=5V/1mA=5KΩ，所以正常選擇4.7K電阻，或者相近的電阻值。

DS18B20寄生電源

DS18B20的另一個特點是不需要再外部供電下即可工作。當總線高電平時能量由單線上拉電阻經過DQ引腳獲得。高電平同時充電一個內部電容，當總線低電平時由此電容供應能量。這種供電方法被稱為“寄生電源”。另外一種選擇是DSl8B20由接在VDD的外部電源供電。

DS18B20內部構成

主要由以下3部分組成：

• 64 位ROM

• 高速暫存器

• 存儲器

64位ROM存儲獨有的序列號，ROM中的64位序列號是出廠前被光刻好的，它可以看作是該DS18B20的地址序列碼，每個DS18B20的64位序列號均不相同。這樣就可以實現一根總線上掛接多個DS18B20的目的。

高速暫存器包含：

• 溫度傳感器

• 一個字節的溫度上限和溫度下限報警觸發器(TH和TL)

• 配置寄存器允許用戶設定9位，10位，11位和12位的溫度分辨率，分別對應著溫度的分辨率為：0.5°C，0.25°C，0.125°C，0.0625°C，默認為12位分辨率

存儲器：由一個高速的RAM和一個可擦除的EEPROM組成，EEPROM存儲高溫和低溫觸發器(TH和TL)以及配置寄存器的值，(就是存儲低溫和高溫報警值以及溫度分辨率)

DS18B20溫度讀取與計算

DS18B20采用16位補碼的形式來存儲溫度數據，溫度是攝氏度。當溫度轉換命令發布后，經轉換所得的溫度值以二字節補碼形式存放在高速暫存存儲器的第0和第1個字節。

高字節的五個S為符號位，溫度為正值時S=1,溫度為負值時S=0。

剩下的11位為溫度數據位，對于12位分辨率，所有位全部有效，對于11位分辨率，位0(bit0)無定義，對于10位分辨率，位0和位1無定義,對于9位分辨率，位0，位1，和位2無定義。

對應的溫度計算：

當五個符號位S=0時，溫度為正值，直接將后面的11位二進制轉換為十進制，再乘以0.0625(12位分辨率)，就可以得到溫度值。

當五個符號位S=1時，溫度為負值，先將后面的11位二進制補碼變為原碼(符號位不變，數值位取反后加1)，再計算十進制值。再乘以0.0625(12位分辨率)，就可以得到溫度值。

舉兩個例子：

• 數字輸出07D0(00000111 11010000)，轉換成10進制是2000，對應攝氏度：0.0625x2000=125°C

• 數字輸出為 FC90，首先取反，然后+1，轉換成原碼為：11111011 01101111，數值位轉換成10進制是870，對應攝氏度：-0.0625x870=-55°C

上述例子，用C語言來實現的代碼，如下：

unsignedintTemp1,Temp2,Temperature;//Temp1低八位，Temp2高八位unsigned char Minus Flag=0;  //負溫度標志位
if（Temp2＆0xFC）//判斷符號位是否為1{  Minus Flag=l; //負溫度標志位置1  Temperature=((Temp2<<8)|Temp1); //高八位第八位進行整合  Temperature=((Temperature)+1); //講補碼轉換為原碼，求反，補1  Temperature*=0.0625;//求出十進制}else   //溫度為正值{  Minus Flag=0;  //負溫度標志位置0  Temperature =((Temp2<<8) |Temp1)*0.0625;}

DS18B20工作步驟

DS18B20的工作步驟可以分為三步：

• 初始化DS18B20

• 執行ROM指令

• 執行DS18B20功能指令

其中第二步執行ROM指令，也就是訪問每個DS18B20，搜索64位序列號，讀取匹配的序列號值，然后匹配對應的DS18B20，如果我們僅僅使用單個DS18B20，可以直接跳過ROM指令。而跳過ROM指令的字節是0xCC。

初始化DS18B20

任何器件想要使用，首先就是需要初始化，對于DS18B20單總線設備，首先初始化單總線為高電平，然后總線開始也需要檢測這條總線上是否存在DS18B20這個器件。如果這條總線上存在DS18B20，總線會根據時序要求返回一個低電平脈沖，如果不存在的話，也就不會返回脈沖，即總線保持為高電平。

初始化具體時序步驟如下:

• 單片機拉低總線至少480us，產生復位脈沖，然后釋放總線（拉高電平）

• 這時DS8B20檢測到請求之后，會拉低信號，大約60~240us表示應答

• DS8B20拉低電平的60~240us之間，單片機讀取總線的電平，如果是低電平，那么表示初始化成功

• DS18B20拉低電平60~240us之后，會釋放總線

DS18B20的初始化代碼如下:

/*****初始化DS18B20*****/unsigned int Init_DS18B20(void){unsigned int x=0;  DQ = 1;      //DQ復位  delay(4);    //稍做延時  DQ = 0;      //單片機將DQ拉低  delay(60);   //精確延時，大于480us  DQ = 1;      //拉高總線  delay(8);  x = DQ;      //稍做延時后，如果x=0則初始化成功，x=1則初始化失敗  delay(4); return x;}

寫時序

總線控制器通過控制單總線高低電平持續時間從而把邏輯1或0寫DS18B20中。每次只傳輸1位數據。

單片機想要給DS18B20寫入一個0時，需要將單片機引腳拉低，保持低電平時間要在60~120us之間，然后釋放總線。

單片機想要給DS18B20寫入一個1時，需要將單片機引腳拉低，拉低時間需要大于1us，然后在15us內拉高總線。

在寫時序起始后15μs到60μs期間，DS18B20處于采樣單總線電平狀態。如果在此期間總線為高電平，則向DS18B20寫入1;如果總線為低電平，則向DSl8B20寫入0。

注意：2次寫周期之間至少間隔1us。

DS18B20寫時序的代碼如下:

/*****寫一個字節*****/void WriteOneChar(unsigned char dat){unsigned char i=0;for (i=8; i>0; i--)  {    DQ = 0;    DQ = dat&0x01;  //與1按位與運算，dat最低位為1時DQ總線為1，dat最低位為0時DQ總線為0  delay(4);    DQ = 1;    dat>>=1;   }  delay(4);}

采用多個DS18B20時，需要寫ROM指令來控制總線上的某個DS18B20。如果是單個DS18B20，直接寫跳過ROM指令0xCC即可。DS18B20寫入ROM功能指令如下表：

DS18B20的一些RAM功能指令如下表。其中常用的是溫度轉換指令，開啟溫度讀取轉換，讀取好的溫度會存儲在高速暫存器的第0個和第一個字節中。另一個常用的是讀取溫度指令，讀取高速暫存器存儲的數據。

讀時序

讀時隙由主機拉低總線電平至少1μs然后再釋放總線，讀取DS18B20發送過來的1或者0。

DS18B20在檢測到總線被拉低1微秒后，便開始送出數據，若是要送出0就把總線拉為低電平直到讀周期結束。若要送出1則釋放總線為高電平。

注意：所有讀時隙必須至少需要60us，且在兩次獨立的時隙之間至少需要1ps的恢復時間。

同時注意：主機只有在發送讀暫存器命令(0xBE)或讀電源類型命令(0xB4)后，立即生成讀時隙指令，DS18B20才能向主機傳送數據。也就是先發讀取指令，再發送讀時隙。

最后一點：寫時序注意是先寫命令的低字節，比如寫入跳過ROM指令0xCC(11001100),寫的順序是“零、零、壹、壹、零、零、壹、壹”。

讀時序時是先讀低字節，在讀高字節，也就是先讀取高速暫存器的第0個字節(溫度的低8位)，在讀取高速暫存器的第1個字節(溫度的高8位) 我們正常使用DS18B20讀取溫度讀取兩個溫度字節即可。

STM32例程

DS18B20.c代碼：

#include "ds18b20.h"#include "delay.h"
//復位DS18B20void DS18B20_Rst(void){                   DS18B20_IO_OUT();   //SET PG11 OUTPUT    DS18B20_DQ_OUT=0;   //拉低DQ    delay_us(750);      //拉低750us    DS18B20_DQ_OUT=1;   //DQ=1   delay_us(15);       //15US}//等待DS18B20的回應//返回1:未檢測到DS18B20的存在//返回0:存在u8 DS18B20_Check(void){     u8 retry=0;  DS18B20_IO_IN();  //SET PG11 INPUT   while (DS18B20_DQ_IN&&retry<200)  {    retry++;    delay_us(1);  };   if(retry>=200)return 1;else retry=0;while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<240)  {    retry++;    delay_us(1);  };if(retry>=240)return 1;      return 0;}//從DS18B20讀取一個位//返回值：1/0u8 DS18B20_Read_Bit(void){    u8 data;  DS18B20_IO_OUT();  //SET PG11 OUTPUT    DS18B20_DQ_OUT=0;   delay_us(2);    DS18B20_DQ_OUT=1;   DS18B20_IO_IN();  //SET PG11 INPUT  delay_us(12);if(DS18B20_DQ_IN)data=1;else data=0;       delay_us(50);           return data;}//從DS18B20讀取一個字節//返回值：讀到的數據u8 DS18B20_Read_Byte(void){            u8 i,j,dat;    dat=0;for (i=1;i<=8;i++)   {        j=DS18B20_Read_Bit();        dat=(j<<7)|(dat>>1);    }                return dat;}//寫一個字節到DS18B20//dat：要寫入的字節void DS18B20_Write_Byte(u8 dat){                 u8 j;    u8 testb;  DS18B20_IO_OUT();  //SET PG11 OUTPUT;for (j=1;j<=8;j++)   {        testb=dat&0x01;        dat=dat>>1;if (testb)         {            DS18B20_DQ_OUT=0;  // Write 1            delay_us(2);                                        DS18B20_DQ_OUT=1;            delay_us(60);                     }else        {            DS18B20_DQ_OUT=0;  // Write 0            delay_us(60);                         DS18B20_DQ_OUT=1;            delay_us(2);                                  }    }}//開始溫度轉換void DS18B20_Start(void){                                  DS18B20_Rst();         DS18B20_Check();       DS18B20_Write_Byte(0xcc);  // skip rom    DS18B20_Write_Byte(0x44);  // convert} 

//初始化DS18B20的IO口 DQ 同時檢測DS的存在//返回1:不存在//返回0:存在       u8 DS18B20_Init(void){   GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;
   RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);   //使能PORTG口時鐘 
   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11;        //PORTG.11 推挽輸出   GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_Out_PP;          GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;   GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

   GPIO_SetBits(GPIOG,GPIO_Pin_11);    //輸出1

   DS18B20_Rst();

return DS18B20_Check();}  //從ds18b20得到溫度值//精度：0.1C//返回值：溫度值 （-550~1250） short DS18B20_Get_Temp(void){    u8 temp;    u8 TL,TH;short tem;    DS18B20_Start ();        // ds1820 start convert    DS18B20_Rst();    DS18B20_Check();       DS18B20_Write_Byte(0xcc);  // skip rom    DS18B20_Write_Byte(0xbe);  // convert          TL=DS18B20_Read_Byte();   // LSB       TH=DS18B20_Read_Byte();   // MSB  
if(TH>7)    {        TH=~TH;        TL=~TL;         temp=0;          //溫度為負      }else temp=1;        //溫度為正            tem=TH;           //獲得高八位    tem<<=8;        tem+=TL;          //獲得底八位    tem=(float)tem*0.625;    //轉換     if(temp)return tem;     //返回溫度值else return -tem;    }

DS18B20.h代碼：

#ifndef __DS18B20_H #define __DS18B20_H #include "sys.h"

//IO方向設置#define DS18B20_IO_IN()  {GPIOG->CRH&=0XFFFF0FFF;GPIOG->CRH|=8<<12;}#define DS18B20_IO_OUT() {GPIOG->CRH&=0XFFFF0FFF;GPIOG->CRH|=3<<12;}//IO操作函數                         #define  DS18B20_DQ_OUT PGout(11) //數據端口  PA0 #define  DS18B20_DQ_IN  PGin(11)  //數據端口  PA0 
u8 DS18B20_Init(void);//初始化DS18B20short DS18B20_Get_Temp(void);//獲取溫度void DS18B20_Start(void);//開始溫度轉換void DS18B20_Write_Byte(u8 dat);//寫入一個字節u8 DS18B20_Read_Byte(void);//讀出一個字節u8 DS18B20_Read_Bit(void);//讀出一個位u8 DS18B20_Check(void);//檢測是否存在DS18B20void DS18B20_Rst(void);//復位DS18B20    #endif