作者：Xavier Ramus德州儀器

由于我們必須采用多個功率級，因而同時實現高增益（1000 V/V 或更高）和高帶寬（數十 MHz）可能是一種挑戰。除了高增益與高帶寬的電路要求外，還需要重點關注噪聲與穩定性問題。

每個逐次放大器產生的噪聲與前一級產生的噪聲加總為 RMS 的和，然后用較后功率級的增益進行加權。對于一個三級架構而言，其噪聲可表示為：

到目前為止，我們有了電路架構和兩個方程式，但還未詳細介紹其實施方案。根據噪聲方程式，第一級將成為限制性因素。

大家明白，我們現在需要選擇一款電壓噪聲盡可能低的放大器。由于我們想在保持良好帶寬的同時，在第一級實現盡可能高的增益，所以我們將把目光投向具有最高增益帶寬積 (GBWP) 的、電壓噪聲盡可能低的放大器。快速進行參數搜索，可獲得以下結果。

由于我們希望開發 +5V 系統，因而我們可為第一級選擇LMH6629。在獲得 50V/V 增益的情況下，隨后我們將實現 78MHz。

當然，我們也可為任何其它級選擇相同的LMH6629，但由于輸入電壓噪聲規范不必像第一級那樣嚴格，因而我們可進一步擴大搜索范圍，獲得所有能夠實現高帶寬和高增益的器件。電流反饋放大器以及幾乎獨立于增益的帶寬保持在這里無疑是最佳選擇。參見下表，了解詳情。

在這里，我們可根據放大器及所需的帶寬考慮是選擇反相還是非反相增益電路。OPA695可在反相配置中實現更低噪聲，而OPA683和OPA684則可在非反相配置中實現更低噪聲。

由于我們計劃在單級上實現高增益 (100-V/V)，因而增益電阻器可低至 10W。在反相拓撲中，這可能會給驅動級帶來更多的制約。增益電阻器應維持在 10W 和 50W 之間，而反饋電阻器則應不超過 1.5KW。切記，頻率響應將受反饋電阻器 (RF) 限制，而反饋電容器 (CF) 極點則會因組件與布局等原因實施一款寄生反饋電容器。

在各級之間插入 RC 濾波器，最大限度降低了所產生的噪聲。我們可將整體頻率響應與 -3dB 帶寬粗略估計為 6 個一階極點。

閱讀原文, 請參見:http://e2e.ti.com/blogs_/b/analogwire/archive/2013/01/25/high-gain-high-bandwidth-how-can-i-get-it-all.aspx
編輯：jq