Sony音頻產品WF-1000XM4泄漏
泄漏的圖像已在線出現，聲稱是未發(fā)布的Sony音頻產品WF-1000XM4。據報道該圖像是WF-1000XM4包裝盒套筒的圖像，雖然圖像有點模糊，但看起來確實合法。但是，與任何泄漏的圖像一樣，不能排除該圖像是騙局。
在圖片頂部附近，可以看到一個橢圓形的孔，看起來有點像USB-C充電端口，但很可能是麥克風的開口。耳塞側面的徽標位置有些奇怪，因為將耳塞插入耳朵時很難看到。
我們希望Sony徽標位于平坦的表面，因此在佩戴耳塞時可以輕松查看。大多數類似產品的表面上都沒有醒目的徽標，因此也許索尼正在效仿。在此特定圖像中，插入耳道的尖端似乎是由記憶泡沫制成的。
金色的圓形區(qū)域大概是用于消除噪音的外部麥克風。索尼制造了一些最受歡迎的降噪耳機，這項技術在耳塞上也很有意義。這些耳塞的圓形設計可以允許使用更大的內部電池，以延長運行時間。
雖然我們不能肯定地說這是Sony的新產品，但是顏色肯定看起來像其他Sony產品的設計。假設泄漏的圖像是真實的，則沒有跡象表明耳塞何時可以上市或它們可能要花費多少。索尼的音頻產品確實傾向于高端產品，而WF-1000XM4可能會效仿。
責任編輯：lq
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
Sony
+關注
關注
6文章
263瀏覽量
74508 -
耳塞
+關注
關注
0文章
42瀏覽量
14508 -
USB-C
+關注
關注
2文章
391瀏覽量
36513
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深入解析TPSM8287A1xM：高效電源模塊的設計與應用
和廣泛的應用場景，成為眾多工程師的首選。本文將深入剖析TPSM8287A1xM的特點、功能及應用設計，為電子工程師們提供全面的參考。 文件下載： tpsm8287a15m.pdf 一、產品概述 TPSM8287A1xM是德州儀器
TPA2054D4：高性能音頻子系統(tǒng)的設計與應用
TPA2054D4：高性能音頻子系統(tǒng)的設計與應用 在音頻設備的設計領域，高性能音頻子系統(tǒng)的選擇至關重要。德州儀器（TI）的TPA2054D4
NF WF1973多功能信號發(fā)生器：精密波形生成的靈活平臺
在電子電路設計、傳感器激勵、音頻測試及教育科研領域，一款能夠提供高精度、低失真且功能靈活的通用信號源是研發(fā)與測試的基石。NF公司（NF Corporation）的WF1973多功能信號發(fā)生器以其出色的波形純度、豐富的調制功能及高分辨率設置能力，成為要求嚴苛的模擬信號應用中
探索Littelfuse CH1P01xM電流傳感器：特性、應用與設計要點
探索Littelfuse CH1P01xM電流傳感器：特性、應用與設計要點 在電子工程師的日常工作中，電流傳感器是一個至關重要的元件。今天，我們就來深入了解一下Littelfuse的CH1P01xM
?NVMFWS0D45N04XM功率MOSFET技術解析與應用指南
安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET，采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、469A連續(xù)漏極電流，符合AECQ101標準。安森美
基于NVMFWS4D0N04XM MOSFET數據手冊的技術解析與應用指南
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標準的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、80A連續(xù)漏極電流
onsemi NVMFWS1D7N04XM功率MOSFET技術深度解析
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET，采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、154A連續(xù)漏極電流，符合AEC-Q101標準。安森美
XM3半橋電源模塊系列CREE
在電池儲能系統(tǒng)中實現高效雙向功率轉換，降低充放電損耗，延長系統(tǒng)壽命。
XM3 半橋電源模塊系列產品SKU封裝配置阻斷電壓額定電流25°C 時的 RDS（ON）在 25°C 時代Tjmax模塊尺寸資格
發(fā)表于 09-11 09:48
35WR10WF波導連接器Anritsu
測試效率與穩(wěn)定性的理想選擇。特征頻率覆蓋范圍為 75 GHz 到 110 GHzW1 Connector? 兼容尺寸為 1 毫米低SWR產品特性精密設計：35WR10WF 波導連接器采用精密制造工藝
發(fā)表于 07-24 08:46
索尼發(fā)布新款頭戴式降噪耳機WH-1000XM6
近日，索尼（中國）有限公司正式發(fā)布新款雙芯超旗艦頭戴降噪耳機——WH-1000XM6。
DA150-1000S35G1N4 DA150-1000S35G1N4
電子發(fā)燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)DA150-1000S35G1N4相關產品參數、數據手冊，更有DA150-1000S35G1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
發(fā)表于 03-19 18:34
DA40-1000S37G2D4 DA40-1000S37G2D4
電子發(fā)燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)DA40-1000S37G2D4相關產品參數、數據手冊，更有DA40-1000S37G2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DA40-
發(fā)表于 03-18 18:55
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
發(fā)表于 03-17 09:59
工商網監(jiān)
評論