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維安內(nèi)置絕緣封裝高壓MOSFET

我快閉嘴 ? 來源:維安 ? 作者:維安 ? 2021-01-08 09:15 ? 次閱讀
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近年來,新一代電動汽車的進一步普及,促進了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。同時,在電動汽車領域,為延長續(xù)航里程,車載電池的容量呈日益增加趨勢,隨著新能源汽車續(xù)航里程不斷提升,相應的電池容量日益提高,如特斯拉Modle S 2021款長續(xù)航升級版(719km)電池容量100kWh,與此同時,還要求縮短充電時間, Modle S 2021款快充時間1小時。為了解決這些問題,能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓和低損耗的功率元器件被寄予厚望。

高功率、高效率就意味著需要更低導通電阻的MOSFET,目前TO-247封裝是高功率充電機、充電樁電源模塊應用中使用最多的封裝形式。但常規(guī)TO-247封裝框架和漏極直接相連,非絕緣特性使得應用的時候必須外部安裝絕緣片,復雜的生產(chǎn)過程容易造成外部絕緣片破裂,導致絕緣強度下降甚至短路,使得產(chǎn)品整體可靠性下降。

功率器件安裝到散熱器使用時,系統(tǒng)熱阻包括封裝芯片Rthj-c和散熱器到環(huán)境電阻Rth(h-a),結(jié)到環(huán)境總熱阻Rth(j-a) = Rth(j-c) + Rth(c-h) + Rth(h-a)。

硅芯片通過預成型件連接到框架,整個結(jié)構(gòu)封裝在樹脂中,由于樹脂的熱導率非常低,因此硅芯片散熱的首選路徑是熱導率較高的銅質(zhì)背面,管芯內(nèi)產(chǎn)生的功率會改變器件的溫度,并根據(jù)所涉及層的熱電容和電阻(從硅到封裝背面)使器件溫度升高。

維安創(chuàng)新的內(nèi)置絕緣封裝可將陶瓷絕緣片封裝到內(nèi)部,降低散熱器到環(huán)境電阻Rth(h-a),內(nèi)部陶瓷絕緣材料緩沖了功率MOSFET封裝中硅片和銅框架的熱膨脹系數(shù)的差異,顯著減少相鄰層之間的熱失配,提高了功率循環(huán)耐受性,進而降低器件結(jié)溫給應用帶來諸多優(yōu)點。

優(yōu)點一 熱阻低

采用恒功率模塊電路進行驗證測試,對比實測數(shù)據(jù)得出結(jié)論:相比外部絕緣片,內(nèi)部絕緣結(jié)到散熱器熱阻更低,故而內(nèi)置絕緣整體熱阻比普通封裝加外置絕緣片的系統(tǒng)熱阻低。

優(yōu)點二 溫升低

低熱阻也使得實際應用過程中器件溫升較低,如下150W LED電源驗證測試對比數(shù)據(jù),在220VAC 輸入條件下內(nèi)置絕緣產(chǎn)品WMC53N60F2表面溫度比常規(guī)TO-247 WMJ53N60F2低5.1℃,且低溫升還能提高器件的使用壽命。

優(yōu)點三 高可靠性

3.1 簡化生產(chǎn)工藝,避免生產(chǎn)工藝導外部致絕緣片破裂導致的故障,提高可靠性。

3.2封裝的銅框架和半導體硅芯片熱膨脹系數(shù)差異較大,使用陶瓷絕緣片可以減低二者熱膨脹系數(shù)差異,提高功率循環(huán)的可靠性。

3.3外部異常應力導致炸機,絕緣特征依然存在,即異常失效后仍有絕緣特征。

3.4 常規(guī)TO-247的封裝安裝孔和框架的絕緣距離是3.7mm, 在某些要求較高的應用中,安全距離可能不滿足要求,內(nèi)置絕緣封裝有更大的安規(guī)要求距離。

內(nèi)置絕緣器件絕緣耐壓測試>2500VAC。

業(yè)內(nèi)領先的深溝槽工藝與獨創(chuàng)的內(nèi)絕緣封裝結(jié)合,使得SJMOSFET具有業(yè)內(nèi)領先的超高功率密度,可大大提升電源的總體功率密度,節(jié)省空間。目前內(nèi)置絕緣封裝產(chǎn)品主要面向高功率電源模塊,比如新能源汽車地面充電樁模塊電源,充電機高功率和電子負載類儀表儀器行業(yè)。

維安(WAYON)是電路保護元器件及功率半導體提供商。WAYON始終堅持“以客戶為導向,以技術(shù)為本,堅持艱苦奮斗精神”的核心價值觀。致力于通過技術(shù)創(chuàng)新引領市場,努力成為全球電路保護元器件及功率半導體的領先品牌。
責任編輯:tzh

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