日前，國家信息光電子創新中心和中信科集團光纖通信技術與網絡國家重點實驗室在超高速硅光芯片技術方向取得重要進展，首次利用硅光微環調制器產生了200 Gb/s PAM4光信號（此前最高水平為Intel的128Gb/s），并成功實現2km單模光纖傳輸。該成果為下一代800G光模塊和共封裝（co-packaged）光子引擎提供了超低功耗超高集成度的芯片技術方案。

國家信息光電子創新中心（NOEIC）的這項成果在ECOC 2020會議上作為PDP（post-deadline paper，在截稿日期之后被接收的論文）論文發表，這也是繼去年之后，NOEIC連續第二年發表ECOC PDP報告。ECOC大會PDP論文旨在發布光通信領域的最新技術進展和紀錄性成果，代表著業內當前最高技術水平。本屆ECOC會議的PDP文章僅有7篇，而NOEIC的論文是本屆會議上唯一1篇光芯片類的PDP文章，也是唯一一個完全依托中國單位和研究人員完成的工作。

隨著5G、物聯網和人工智能等的快速發展，下一代數據中心光互連亟需將單通道速率從當前的100Gb/s升級到200Gb/s。而本工作中的超高速硅基微環調制器由于具有高帶寬、小尺寸、低驅動電壓和低功耗等眾多優點，為下一代低成本、低功耗的高速光互連提供了非常有競爭力的解決方案。

此次NOEIC和中國信科的研發人員基于帶寬大于67GHz（受限于測試設備，外推帶寬為79GHz）的硅基微環調制器，結合自主開發的奈奎斯特整形和自適應均衡算法，成功演示了單通道120Gb/s OOK和200Gb/s PAM4高速光信號的產生，實現了目前國際上速率最高的硅光調制器。

NOEIC和中信科在ECOC2020(歐洲光纖通訊展覽會)發表的PDP論文

作為工信部批復的國家級創新研發機構，國家信息光電子創新中心一直以來十分重視硅光技術的研發和標準化工作。先后取得國內首款100G硅基相干光收發芯片等突破性成果，多款光芯片產品實現了國產化替代。近日，創新中心聯合中信科集團、中國信息通信研究院、中興通訊等國內優勢單位，圍繞800Gb/s光器件及硅光技術共提交多項光器件行業標準和研究課題，均獲得立項。面向硅光技術帶來的重大產業變革，國家信息光電子創新中心將充分發揮行業引領示范作用，聯合國內科研和產業重點單位，全力推動高端光電子芯片的技術攻關、產業轉化和標準化工作。

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