10月9日，《新能源汽車產(chǎn)業(yè)規(guī)劃》（以下簡(jiǎn)稱《規(guī)劃》）在國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議上正式通過，該《規(guī)劃》的出臺(tái)開啟了新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展新熱潮，作為新能源汽車核心的IGBT也受到了更多的關(guān)注。

IGBT，英文全稱Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種新型電力電子器件，也是實(shí)現(xiàn)將高壓轉(zhuǎn)換成低壓、低壓轉(zhuǎn)換成高壓的必不可少的器件。

對(duì)于新能源汽車來說，由于新能源汽車需要將低壓電轉(zhuǎn)換成高壓電，逆變器是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵器件，而IGBT單元又是逆變器和驅(qū)動(dòng)電路的核心，IGBT相當(dāng)于新能源汽車核心的核心。

從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，雖然目前IGBT器件主要由歐洲、美國(guó)、日本等地區(qū)或國(guó)家的廠商提供，且占據(jù)了大約 70%的市場(chǎng)份額，但由于中國(guó)龐大的功率半導(dǎo)體需求量，國(guó)內(nèi)廠商發(fā)展仍具有自身優(yōu)勢(shì)。

東興證券數(shù)據(jù)顯示，全球 IGBT 市場(chǎng)成長(zhǎng)迅速，年復(fù)合增長(zhǎng)率維持在7%-9%之間，中國(guó)成為IGBT 需求上升最快的國(guó)家之一。

此外，僅考慮車規(guī)級(jí)IGBT市場(chǎng)，招銀國(guó)際預(yù)計(jì)2020年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到28億元，到2025年將達(dá)到183億元。

從產(chǎn)業(yè)鏈看，IGBT產(chǎn)業(yè)鏈可以分為四部分，分別為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊設(shè)計(jì)以及制造封測(cè)。其中，IGBT器件設(shè)計(jì)及制造存在IDM模式和Fabless模式。目前不少國(guó)內(nèi)IDM廠商也持續(xù)在該領(lǐng)域展開布局，并取得了不錯(cuò)成效。

株洲中車時(shí)代：作為中車時(shí)代電氣股份有限公司下屬全資子公司，是一家同時(shí)掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術(shù)的IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式企業(yè)，擁有芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)完整產(chǎn)業(yè)鏈。

從發(fā)展歷程上看，株洲中車時(shí)代很早以前就已經(jīng)開始了IGBT的研發(fā)。2009年，株洲中車時(shí)代6英寸器件生產(chǎn)線、國(guó)內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線建成投產(chǎn)。

2013年，8英寸IGBT產(chǎn)業(yè)化基地調(diào)試運(yùn)行；2014年，IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)IGBT芯片國(guó)產(chǎn)化；2017年，株洲中車時(shí)代IGBT進(jìn)入汽車領(lǐng)域。

今年9月，中車株洲所汽車及工業(yè)用新一代功率半導(dǎo)體項(xiàng)目成果匯報(bào)會(huì)在湖南株洲召開，項(xiàng)目首批產(chǎn)品正式下線。該生產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年將新增24萬片中低壓IGBT的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)可滿足240萬臺(tái)新能源汽車的需求。

比亞迪半導(dǎo)體：是比亞迪集團(tuán)旗下的獨(dú)立子公司，2020年4月，由“深圳比亞迪微電子”正式更名為“比亞迪半導(dǎo)體”，是國(guó)內(nèi)第一家自主研發(fā)、生產(chǎn)車用IGBT芯片并成功大批量應(yīng)用的IDM企業(yè)，其業(yè)務(wù)涵蓋封裝材料、芯片設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試及應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈。

自2005年，比亞迪就布局IGBT產(chǎn)業(yè)。2009年9月，比亞迪半導(dǎo)體自研的IGBT 1.0芯片成功通過中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)組織的科技成果鑒定。

2012年，IGBT 2.0芯片問世，基于這款芯片，比亞迪成功打造出了車規(guī)級(jí)IGBT模塊。2015年，該芯片升級(jí)為2.5版本。

2018年，比亞迪半導(dǎo)體成功研發(fā)出全新的車規(guī)級(jí)產(chǎn)品IGBT 4.0芯片，成為車規(guī)級(jí)IGBT的標(biāo)桿。

今年4月，總投資10億元的比亞迪IGBT項(xiàng)目在長(zhǎng)沙正式動(dòng)工，據(jù)悉，該項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)25萬片8英寸晶圓的生產(chǎn)線，投產(chǎn)后可滿足年裝50萬輛新能源汽車的產(chǎn)能需求。

據(jù)當(dāng)時(shí)媒體報(bào)道，比亞迪IGBT芯片晶圓的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到5萬片/月，預(yù)計(jì)2021年可達(dá)到10萬片/月，一年可供應(yīng)120萬輛新能源車，也就是相當(dāng)于2019年新能源汽車銷量的總數(shù)。

士蘭微電子：是一家集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)，公司產(chǎn)品包括：分立器件、IGBT及其他功率模塊、IPM智能功率模塊等。

2019年，士蘭微電子推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350VRC-IGBT系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品是基于士蘭微電子獨(dú)立自主開發(fā)的第三代場(chǎng)截止（Field-StopIII）工藝平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)在場(chǎng)截止型IGBT器件內(nèi)部集成了續(xù)流二極管結(jié)構(gòu)。

據(jù)集微網(wǎng)今年2月消息，士蘭微的IGBT器件已經(jīng)推進(jìn)到第五代Field-Stop工藝，采用了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的Narrow mesa元胞設(shè)計(jì)，將器件的功率密度較上一代產(chǎn)品提升了30%，最大單芯片電流提升至270A。

華微電子：是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷為一體的高新技術(shù)企業(yè)。

2019年3月，華微電子發(fā)布公告稱，公司擬向全體股東按照每10股配售3股的比例配售A股股份，配股價(jià)格為3.90元/股。據(jù)披露，本次募資的凈額擬全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目（二期）的建設(shè)，該項(xiàng)目產(chǎn)品包括重點(diǎn)應(yīng)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，形成600V-1700V各種電壓、電流等級(jí)的IGBT芯片；同時(shí)包括應(yīng)用于各領(lǐng)域的具有成熟產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的MOSFET芯片；以及與公司主流產(chǎn)品配套的IC芯片。

此外，今年年初，吉林省商務(wù)廳發(fā)布了《吉林市華微電子股份有限公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目》，項(xiàng)目說明，華微電子將投資102億在吉林省吉林市建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。

公開內(nèi)容顯示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目由吉林華微電子股份有限公司現(xiàn)有廠區(qū)（30萬平米用地）和高新北區(qū)（80萬平方米用地）組成：華微電子作為產(chǎn)業(yè)園芯片生產(chǎn)基地，主要進(jìn)行4、5、6、8英寸外延片、SiC外延片、IGBT、MOSFET等芯片生產(chǎn)制造。

華潤(rùn)微：屬于華潤(rùn)集團(tuán)，是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運(yùn)營(yíng)能力的半導(dǎo)體企業(yè)。

據(jù)了解，華潤(rùn)微IGBT產(chǎn)品主要應(yīng)用為逆變焊機(jī)、感應(yīng)加熱、UPS、逆變器、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。

2017年11月，國(guó)務(wù)院國(guó)資委批復(fù)同意將中航航空電子系統(tǒng)有限責(zé)任公司所持中航（重慶）微電子有限公司的股權(quán)劃轉(zhuǎn)給華潤(rùn)微電子，中航（重慶）微電子正式并入華潤(rùn)微電子。

中航（重慶）微電子前身為成立于2007年的渝德科技（重慶）有限公司，公司主要產(chǎn)品包括：高可靠性的高壓MOS和IGBT功率器件等。

在此背景下，去年12月28日，華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司正式揭牌成立。根據(jù)簽約，華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司成立后，將設(shè)立國(guó)家級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)中心、建設(shè)國(guó)內(nèi)最大的功率半導(dǎo)體制造中心，同時(shí)完善上下游產(chǎn)業(yè)鏈等。協(xié)議的簽署，不僅能將晶圓制造升級(jí)擴(kuò)產(chǎn)，還將帶來從原材料制造、IC設(shè)計(jì)到封裝測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈條，帶動(dòng)重慶集成電路產(chǎn)業(yè)基地升級(jí)。

2018年11月，華潤(rùn)微電子與重慶西永微電園公司簽署協(xié)議，華潤(rùn)微電子將在重慶西永微電園投資約100億元建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

今年10月，對(duì)于投資者提出的“華潤(rùn)微的IGBT是否在自己的產(chǎn)線上生產(chǎn)，是在6英寸還是8英寸線上生產(chǎn)？”華潤(rùn)微表示，公司IGBT芯片研發(fā)和生產(chǎn)是獨(dú)立自主的，目前主要是6英寸產(chǎn)線，正逐步往8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)移。
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