來源：羅姆半導體社區

什么是IGBT

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。

簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。

而平時我們在實際中使用的IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

為什么要重視IGBT？

IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。

IGBT的應用領域

按電壓分布的應用領域

IGBT各代之間的技術差異

要了解這個，我們先看一下IGBT的發展歷程。

工程師在實際應用中發現，需要一種新功率器件能同時滿足：·驅動電路簡單,以降低成本與開關功耗；通態壓降較低，以減小器件自身的功耗。

回顧他們在1950-60年代發明的雙極型器件SCR,GTR和GTO通態電阻很小；電流控制，控制電路復雜且功耗大；1970年代推出的單極型器件VD-MOSFET通態電阻很大；電壓控制，控制電路簡單且功耗小；因此到了1980年代，他們試圖把MOS與BJT技術集成起來的研究，導致了IGBT的發明。1985年前后美國GE成功試制工業樣品（可惜后來放棄）。自此以后， IGBT主要經歷了6代技術及工藝改進。

而經過這么多年的發展，我們清楚明白到，從結構上看，IGBT主要有三個發展方向，分別是IGBT縱向結構、IGBT柵極結構和IGBT硅片加工工藝。而在這三個方面的改良過程中，廠商聚焦在降低損耗和降低生產成本兩個方面。

在一代代工程師的努力下，IGBT芯片在六代的演變過程中，經歷了許多變化。

而前面我們已經提到，開發者一般在實際設計中都是使用IGBT模塊應用到實際產品中，所以我們簡略對這個介紹一下。

IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

隨著IGBT芯片技術的不斷發展，芯片的最高工作結溫與功率密度不斷提高， IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進。模塊技術發展趨勢：無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

審核編輯黃昊宇