2019年中國(guó)集成電路行業(yè)，僅前五個(gè)月股權(quán)投資事件已達(dá)120起，超過(guò)2018年同期一倍以上。

近年來(lái)，中國(guó)集成電路行業(yè)備受關(guān)注，該行業(yè)的VC/PE投資也隨之升溫。2018年，中國(guó)集成電路VC/PE投資總額已超越美國(guó)。2019年這種趨勢(shì)更為明顯，僅前五個(gè)月股權(quán)投資事件已達(dá)120起，超過(guò)2018年同期一倍以上。

中國(guó)集成電路VC/PE投資在2001年也曾超過(guò)美國(guó)，彼時(shí)的投資主要受中芯國(guó)際這一單筆大額投資事件驅(qū)動(dòng)。相比之下，2018年中國(guó)集成電路VC/PE投資顯得更加遍地開(kāi)花。

總體而言，全球集成電路股權(quán)投資受行業(yè)自身的技術(shù)迭代、宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境等因素的影響，呈現(xiàn)與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高度相關(guān)的周期性。半導(dǎo)體行業(yè)的外在驅(qū)動(dòng)力依次經(jīng)歷了1998年-2000年手機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)崛起，2002年-2004年個(gè)人電腦普及，以及近年的智能手機(jī)、汽車(chē)電子、比特幣礦機(jī)和服務(wù)器等需求的演進(jìn)。

但總體來(lái)講，晶圓產(chǎn)能是這一歷史時(shí)間驅(qū)動(dòng)周期改變最核心的因素。

投資標(biāo)的的演進(jìn)

過(guò)去三年是中國(guó)集成電路行業(yè)VC/PE投資爆發(fā)的年份，這三年發(fā)生的投資總額幾乎占?xì)v年投資總額的一半。其中，三成VC/PE投資集中在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，這與集成電路行業(yè)愈發(fā)分化的垂直分工模式關(guān)系密切。

將相對(duì)輕資產(chǎn)的設(shè)計(jì)和重資產(chǎn)的制造及封測(cè)分離有利于各個(gè)環(huán)節(jié)集中研發(fā)投入，加速技術(shù)發(fā)展，提升了整個(gè)產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作效率，給新玩家一個(gè)進(jìn)入行業(yè)的切入點(diǎn)。以Fabless（沒(méi)有制造業(yè)，專(zhuān)注設(shè)計(jì)）模式經(jīng)營(yíng)的IC（芯片）設(shè)計(jì)公司資產(chǎn)較輕，初始投資規(guī)模小，創(chuàng)業(yè)難度相對(duì)較小，運(yùn)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)較低，投資盈利回報(bào)率要?jiǎng)龠^(guò)IDM。

后摩爾時(shí)代，集成電路結(jié)構(gòu)愈加復(fù)雜，設(shè)計(jì)制造投資不斷提高。單顆IC產(chǎn)品僅設(shè)計(jì)費(fèi)用就由32nm的5000萬(wàn)-9000萬(wàn)美元，升至22nm的1.2億-5億美元。相應(yīng)的，IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的VC/PE單筆投資，千萬(wàn)級(jí)別至數(shù)億的投資案例比例逐漸提高。

近五年，進(jìn)入壁壘較高的IC制造環(huán)節(jié)也得到更多VC/PE機(jī)構(gòu)關(guān)注，投資案例有近十倍的增長(zhǎng)。投資主要集中在具有一定研發(fā)實(shí)力的成長(zhǎng)期IC制造企業(yè)，以及人工智能芯片（如FPGA/A－SIC）領(lǐng)域的創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目。

IC設(shè)計(jì)企業(yè)主要集中在北京；全國(guó)大部分的芯片制造企業(yè)分布在上海、江蘇在內(nèi)的長(zhǎng)江三角洲地區(qū)；珠江三角洲則在芯片封裝測(cè)試和半導(dǎo)體/其他半導(dǎo)體領(lǐng)域占有較高份額。

2018年，全球范圍內(nèi)的集成電路企業(yè)也通過(guò)大量圍繞5G、物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的并購(gòu)，進(jìn)行戰(zhàn)略布局。半導(dǎo)體材料、傳感器、被動(dòng)元件是業(yè)內(nèi)并購(gòu)的重要標(biāo)的。

新一代化合物半導(dǎo)體材料

在2018年的并購(gòu)事件中，圍繞化合物半導(dǎo)體的案例層出不窮。

華燦光電16.5億元收購(gòu)美新半導(dǎo)體，實(shí)現(xiàn)上市公司由LED業(yè)務(wù)向化合物半導(dǎo)體的延伸；科瑞以27億人民幣收購(gòu)英飛凌射頻功率業(yè)務(wù)，拓展電動(dòng)汽車(chē)、自動(dòng)駕駛、可再生能源領(lǐng)域。在金額上，影響力最大的還屬聞泰科技斥資269億元收購(gòu)安世半導(dǎo)體事件，聞泰科技宣稱(chēng)計(jì)劃憑借后者出色的氮化鎵生產(chǎn)能力，打造萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的系統(tǒng)解決方案。

隨著集成電路制程的演進(jìn)和技術(shù)的革新，摩爾定律接近極限，因而在傳統(tǒng)的技術(shù)手段之外，行業(yè)發(fā)展出更多的新型技術(shù)以適應(yīng)愈發(fā)膨脹的性能需求。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其特殊的寬禁帶結(jié)構(gòu)造成的擊穿電壓高等特性而被視為新一代的半導(dǎo)體材料，在通訊、軍事、汽車(chē)電子和人工智能等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用空間。

新一代化合物半導(dǎo)體材料巨額且密集的并購(gòu)和快速發(fā)展的市場(chǎng)，背后的驅(qū)動(dòng)力量是5G時(shí)代的提速和汽車(chē)電子等領(lǐng)域的發(fā)展。

當(dāng)前砷化鎵（GaAs）是制造小型基站射頻功率放大器（PA）和射頻開(kāi)關(guān)的主要材料，預(yù)計(jì)5G基站建設(shè)將會(huì)成為砷化鎵市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。加之5G的頻率較高，其跳躍式的反射特性使其傳輸距離較短。由于毫米波對(duì)于功率的要求非常高，而氮化鎵具有體積小功率大的特性，被證實(shí)在基站PA制造中是比砷化鎵更加高效節(jié)能的材料，是目前最適合5G時(shí)代的PA材料。

在汽車(chē)電子方面，電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)將是碳化硅器件成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)YoleDevelopment預(yù)測(cè)，未來(lái)幾年新能源汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鐵路對(duì)碳化硅器件市場(chǎng)增長(zhǎng)影響較大，其中增量?jī)r(jià)值最高的為新能源汽車(chē)，包括汽車(chē)本身以及由此帶動(dòng)的各類(lèi)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

盡管氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體是更適應(yīng)未來(lái)需求的選擇。但由于二者材料成本昂貴，而且碳化硅晶圓生長(zhǎng)中易出現(xiàn)材料的晶格錯(cuò)位，導(dǎo)致器件的可靠性下降，目前仍然處在發(fā)展的初期階段。

傳感器

物聯(lián)網(wǎng)也稱(chēng)傳感網(wǎng)，是指通過(guò)信息傳感設(shè)備將任何物品與互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)系起來(lái)，實(shí)現(xiàn)智能化識(shí)別、定位、跟蹤、監(jiān)控和管理的一種網(wǎng)絡(luò)，由此可見(jiàn)新型傳感器在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的重要性。

2018年業(yè)內(nèi)有近十起與傳感器相關(guān)的并購(gòu)案例。其中，不乏并購(gòu)金額數(shù)百億的大額項(xiàng)目，如韋爾股份發(fā)行約4.43億股股份（折合150億元）收購(gòu)北京豪威96.08%股權(quán)，思比科42.27%股權(quán)以及視信源 79.93%股權(quán)。瑞薩以約410億元收購(gòu)IDT，以拓展汽車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。從物聯(lián)網(wǎng)布局來(lái)看，并購(gòu)意圖主要集中在MEMS傳感器和CIS（CMOS圖像傳感器）兩個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。

MEMS指的是以集成電路制造技術(shù)和微加工技術(shù)，將傳感器、執(zhí)行器以及周邊信號(hào)處理電路制造在一塊或者多塊芯片上的微型集成系統(tǒng)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。

與傳統(tǒng)傳感器相比，MEMS主要有微型化、重量輕、能耗輕、可以批量生產(chǎn)的特點(diǎn)，因而可以契合AR/VR、可穿戴設(shè)備、汽車(chē)電子、智能醫(yī)療等應(yīng)用，被認(rèn)為是未來(lái)構(gòu)筑物聯(lián)網(wǎng)傳感層的主要選擇之一。

被動(dòng)元件

不同于化合物半導(dǎo)體和傳感器直接應(yīng)用于5G或物聯(lián)網(wǎng)，被動(dòng)元件領(lǐng)域受到關(guān)注則是受益于科技新應(yīng)用引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局的調(diào)整而帶來(lái)的供求變化。

電路器件可以分為主動(dòng)器件（有源器件）和被動(dòng)器件（無(wú)源器件）。一般來(lái)說(shuō)，主動(dòng)器件是智能的、需要電源的、可以控制電流電壓或在電路中創(chuàng)造轉(zhuǎn)換的動(dòng)作的元件，如二極管、芯片、晶振、傳感器等。而被動(dòng)器件則是非智能的、無(wú)源的、不實(shí)施控制不要求任何輸入器件就可以完成自身功能，如電阻、電容、電感和連接器等。

隨著科技產(chǎn)品的新形態(tài)應(yīng)用層面延伸，被動(dòng)元件的市場(chǎng)需求大增，加上供給結(jié)構(gòu)調(diào)整以及上游廠商理性擴(kuò)產(chǎn)，被動(dòng)元件一反過(guò)去供過(guò)于求的情況。自2017年，被動(dòng)元件開(kāi)始進(jìn)入持續(xù)缺貨漲價(jià)階段，其中以積層陶瓷電容（ML－CC）、晶片電阻（RC）和鋁制電解電容最為明顯。

在此背景下，部分企業(yè)通過(guò)收購(gòu)被動(dòng)原價(jià)廠商，以追趕當(dāng)前非均衡狀態(tài)下的超額收益，將被動(dòng)元件納入經(jīng)營(yíng)范圍以提高產(chǎn)品毛利率。代表并購(gòu)事件有英唐智控收購(gòu)首科電子、吉利通和前海首科等。但是，被動(dòng)元件總體技術(shù)附加值偏低，對(duì)于股權(quán)投資機(jī)構(gòu)的投資吸引力有限。
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