安森美半導體是領先的寬禁帶半導體制造商，是該技術的先鋒，并創建了最低RDSon的SiC MOSFET之一。 我們提供同類最佳的封裝技術，全面的高能效電源方案，包括先進的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二極管、SiC和氮化鎵(GaN)驅動器及集成模塊。

安森美半導體推出了兩個新系列：1200伏(V)和900V N溝道 SiC MOSFET，擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。

本文介紹該技術，您可了解我們介紹的新的SiC MOSFET的用例，以及哪些終端應用將得益于我們新的SiC方案。

1200V SiC MOSFET

問

1200V，20mΩ N溝道SiC MOSFET

NTHL020N120SC1的主要特性是什么？

答

NTHL020N120SC1的設計旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導通損耗。此外，它被設計為以低內部門極電阻（Rg =1.81Ω）和低輸出電容（Coss = 260pF）快速驅動。

問

相較安森美半導體現有的SiC MOSFET(在推出NTHL020N120SC1前)，NTHL020N120SC1有哪些改進的特性?

答

這是我們的第一代SiC MOSFET，因此不能與以前的器件進行比較。但是，我們的器件相對于市場上的其他器件具有一些優勢-強大的氧化物性能（VGS額定值為+25V/-15V），無Vth漂移，無體二極管漂移，高開關速度，具有dv/dt控制的平滑門極驅動以及強大的體二極管用于硬開關。

問

NTHL020N120SC1提供什么有競爭力的規格？

答

我們的1200V SiC MOSFET器件在市場上非常有競爭力，滿足或超越大多數客戶的規格。每個應用都關注不同的參數，但總的來說，我們將我們的器件設計為可快速運行，從而減少了開關和導通損耗。為此，我們實現了較低的RDSon，并選擇了低的內部門極電阻以快速開關。我們設計的器件強固耐用，具有超過100V/ns的快速瞬態抗擾度。

問

SiC的優勢是什么？

答

SiC的優勢在于材料本身具有比硅高10倍的介電擊穿場強，高2倍的電子飽和速率，高3倍的導熱率。系統優勢是降低功率損耗，提高功率密度、工作頻率，耐受的工作溫度，降低EMI，最重要的是降低系統尺寸和成本，從而提供最高能效。

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終端應用：

問

有哪些終端應用將充分利用NTHL020N120SC1的主要特性？

答

有多種終端應用將顯著得益于減少物料單(BOM)成分以及增加功率密度。兩個尤為明顯的特定應用是太陽能逆變器以及電動汽車(EV)充電樁。

問

為什么SiC MOSFET產品特別有利于太陽能逆變器和電動汽車充電樁？這些應用是否有強烈的尺寸/外形要求？如果是這樣，您能告訴我們背景或需求嗎？

答

大多數PFC級通常都很復雜，頻率有限，能效從未超過98％。使用SiC可以減少器件數(減少復雜性)，減少無源器件，實現更好的散熱以及高于98％的能效。

問

對更小的太陽能逆變器和充電樁有很大的需求嗎？原因是什么？

答

太陽能逆變器：

當前，太陽能逆變器市場領域有兩個趨勢。安森美半導體估計占總目標市場(TAM)的30％。

1）每排面板的多個小于20kW的小型逆變器將直流電轉換為交流電，然后饋入大型兆瓦級逆變器

1. 小于20kW的小型逆變器通常會在PCF級中使用分立SiC。對于LLC，視乎時間表、成本和能效目標，結合使用超級結(SJ)和SiC。 2. 如果客戶轉向SiC，則有很多優點，但是門極驅動電壓較高，因此必須重新設計電路是個缺點。

2）一些大于20kW的大型逆變器會占用多排面板，而不會饋入更大的逆變器中

1. 大于20kW的較大型逆變器通常使用電源模塊。 2. 以前是IGBT模塊，然后在過去的5年中向混合模塊（IGBT + SiC二極管）發展，現在我們看到使用SiC MOSFET模塊。

充電樁：

充電樁有4級功率。1級和2級是1/3相交流充電器。這些充電器不使用SiC，而是使用汽車的車載充電器(OBC)為電池充電。3級和4級的功率更高，并且在充電樁上使用AC - DC，因此，當您連接到汽車時，它將直接為電池充電。

此外，我們將充電樁的3個“市場”細分

1）住宅– 1級或2級充電器

2）商業– 2級或3級（商場，工作場所，汽車停放處）

3）高速公路– 3級或4級（將在此處使用SiC）

總之，充電市場特別是高功率仍在發展。在這里，由于功率高，我們看到其中大部分使用電源模塊，但也看到LLC或次級整流級使用分立器件。