飛兆半導體的PowerEdge雙頻WCDMA/UMTS射頻功率放大器模塊（ PAM）將功率附加效率（PAE）提高到42％，這是對競爭產品的重大改進。作為首款采用3x3 mm LCC封裝提供1850-1910 MHz和1920-1980 MHz工作頻率的3G PAM，該器件比其他4x4 mm封裝小約44％。

PAM解決了當今3G手機，PDA和無線PC數據卡的高效率，頻率靈活性和尺寸要求。它還符合新興的高速下行鏈路分組接入（HSDPA）標準。

“飛兆半導體的PowerEdge雙頻段PAM使OEM能夠設計產品，使客戶能夠獲得更大的頻段選擇，并顯著擴大覆蓋范圍，”飛兆半導體RF功率產品部總經理Russ Wagner說。 “隨著手機功能日益融合，以及對功率效率的需求，RMPA2265在業界最小的封裝中提供了減少電路板空間，延長通話時間和雙頻段靈活性的優勢。”

通過飛兆半導體專有的InGaP異質結雙極晶體管（HBT）技術，該產品具有出色的線性度和高功率附加效率。該器件具有可選的高/低功耗模式，用于進一步優化電流消耗。兩級功率放大器內部匹配輸入和輸出至50歐姆，以最大限度地減少外部元件的使用，從而簡化設計要求。

無鉛（Pb）RMPA2265符合或超過IPC/JEDEC聯合標準J-STD-020B的要求，并符合現已生效的歐盟要求。