因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
超高真空環境的特征為其真空壓力低于 10-8 至 10-12托, 超高真空環境對于科學研究非常重要, 因實驗通常要求在整個過程中, 表面應保持無污染狀態并可使用較低能量的電子和離子的實驗技術使用, 而不會受到氣相散射的干擾并可以在這樣超高真空環境下使用濺鍍系統以提供高質量的薄膜.
上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備 UHV Sputter 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池,科研等行業, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東超高真空磁控濺鍍設備配置和優點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達12寸晶圓
薄膜均勻度小于±3％
磁控濺鍍源 (最多8個源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電與導電靶材
精準流量控制器 (最多4條氣體管線)
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調節的
每個濺鍍源和基板均安裝遮板
 | 上海伯東代理超高真空磁控濺鍍設備針對超高真空和高溫加熱設計的基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷, 來保護機構以確保長時間運轉的穩定. |  |
磁控濺鍍設備基本參數
| 系統類型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 緊湊型高真空 |
| 極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| 電子槍 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
| 電源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
| Load-lock | 標準(HV) | 標準(HV) | 標準(HV)/可選 | 標準(HV)/可選 |
| 基板 | 4-6 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C | 4-6 英寸 加熱至 800°C |
| 真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
| 監控 | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron | 真空規和Baratron |
| 工藝控制 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 |
| 氣體 | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣 | 氬氣, 氮氣, 氧氣 |
| 射頻偏壓清潔 | 300W RF(清潔和蝕刻) | 300W RF(清潔和蝕刻) | 可選 | 可選 |
| 離子源 | 100 KRi 離子源 | 100 KRi 離子源 | 可選 | 可選 |
| 薄膜 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150 oC
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約10-10 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合離子源, 熱蒸發源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監控的額外備用端口
應用領域
半導體類, 納米科技
產品質量控制和質量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究
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