Flexfilm文章

• 聚焦位置對光譜橢偏儀膜厚測量精度的影響2025-07-22 09:54

  

  在半導體芯片制造中，薄膜厚度的精確測量是確保器件性能的關鍵環節。隨著工藝節點進入納米級，單顆芯片上可能需要堆疊上百層薄膜，且每層厚度僅幾納米至幾十納米。光譜橢偏儀因其非接觸、高精度和快速測量的特性，成為半導體工業中膜厚監測的核心設備。1寬光譜橢偏儀工作原理flexfilm寬光譜橢偏儀通過分析偏振光與樣品相互作用后的偏振態變化，測量薄膜的厚度與光學性質。其核心

  光譜 測量 1014瀏覽量

• 薄膜厚度測量技術的綜述：從光譜反射法（SR）到光譜橢偏儀（SE）2025-07-22 09:54

  

  薄膜在半導體、顯示和二次電池等高科技產業中被廣泛使用，其厚度通常小于一微米。對于這些薄膜厚度的精確測量對于質量控制至關重要。然而，能夠測量薄膜厚度的技術非常有限，而光學方法因其非接觸和非破壞性特點而被廣泛采用。Flexfilm全光譜橢偏儀不僅能夠滿足工業生產中對薄膜厚度和光學性質的高精度測量需求，還能為科研人員提供豐富的光譜信息，助力新材料的研發和應用。1光

  光譜 測量 薄膜 2510瀏覽量

• 基于像散光學輪廓儀與單點膜厚技術測量透明薄膜厚度2025-07-22 09:53

  

  透明薄膜在生物醫學、半導體及光學器件等領域中具有重要應用，其厚度與光學特性直接影響器件性能。傳統接觸式測量方法（如觸針輪廓儀）易損傷樣品，而非接觸式光學方法中，像散光學輪廓儀（基于DVD激光頭設計）雖具備高分辨率全場掃描能力，但對厚度小于25μm的薄膜存在信號耦合問題。本研究通過結合FlexFilm單點膜厚儀的光學干涉技術，開發了一種覆蓋15nm至1.2mm

  光學器件 測量 表面輪廓儀 855瀏覽量

• 大面積薄膜光學映射與成像技術綜述：全光譜橢偏技術2025-07-22 09:53

  

  在微電子制造與光伏產業中，大面積薄膜的均勻性與質量直接影響產品性能。傳統薄膜表征方法（如濺射深度剖析、橫截面顯微鏡觀察）雖能提供高精度數據，但測量范圍有限且效率較低，難以滿足工業級大面積表面的快速檢測需求。本文聚焦光學表征技術的革新，重點闡述橢偏儀等光學方法在大面積薄膜映射與成像中的突破性應用。其中，Flexfilm全光譜橢偏儀以其獨特的技術優勢，在大面積薄

  測量 薄膜光伏 1461瀏覽量

• 生物聚合物薄膜厚度測定：從傳統觸探輪廓儀到全光譜橢偏儀2025-07-22 09:53

  

  生物聚合物薄膜（如纖維素、甲殼素、木質素）因其可調控的吸水性、結晶度和光學特性，在涂層、傳感器和生物界面模型等領域應用廣泛。薄膜厚度是決定其性能的關鍵參數，例如溶脹行為、分子吸附和光學響應。然而，生物聚合物的高親水性、軟質結構及表面異質性使厚度精確測定面臨挑戰。本文系統總結了現有測定技術，以纖維素為代表性案例，探討方法優勢與局限性。近年來，Flexfilm全

  傳感器 機械 806瀏覽量

• 白光色散干涉：實現薄膜表面輪廓和膜厚的高精度測量2025-07-22 09:53

  

  薄膜結構在半導體制造中扮演著至關重要的角色，廣泛應用于微電子器件、光學涂層、傳感器等領域。隨著半導體技術的不斷進步，對薄膜結構的檢測精度和效率提出了更高的要求。傳統的檢測方法，如橢圓偏振法、反射法和白光掃描干涉法等，雖然在一定程度上能夠滿足測量需求，但存在一些局限性。針對這些現有技術的不足，本文提出了一種基于白光色散干涉法（WLDI）的高精度測量系統。該系統

  測量 表面輪廓儀 1747瀏覽量

• 臺階高度的測量標準丨在臺階儀校準下半導體金屬鍍層實現測量誤差<1%2025-07-22 09:53

  

  在半導體芯片制造過程中，臺階結構的精確測量至關重要，通常采用白光干涉儀或步進儀等非接觸式測量設備進行監控。然而，SiO?/Si臺階高度標準在測量中存在的問題顯著影響了測量精度。傳統標準的上表面（SiO?）和下表面（Si）的折射率（n）和消光系數（k）差異導致了反射光的干涉相消現象，進而影響白光干涉儀的測量結果。為解決這一問題，本研究結合半導體濺射工藝，提出在

  半導體 測量 779瀏覽量

• 薄膜質量關鍵 | 半導體/顯示器件制造中薄膜厚度測量新方案2025-07-22 09:53

  

  在半導體和顯示器件制造中，薄膜與基底的厚度精度直接影響器件性能。現有的測量技術包括光譜橢偏儀（SE）和光譜反射儀（SR）用于薄膜厚度的測量，以及低相干干涉法（LCI）、彩色共焦顯微鏡（CCM）和光譜域干涉法（SDI）用于基板厚度的測量。本研究提出SR-SDI集成光學系統，通過可見光反射譜與近紅外干涉譜的協同處理，實現跨尺度同步厚度測量，并開發模型化干涉分析算

  半導體 顯示器件 測量 1668瀏覽量

• 傳輸線法（TLM）優化接觸電阻：實現薄膜晶體管電氣性能優化2025-07-22 09:53

  

  本文通過傳輸線方法（TLM）研究了不同電極材料（Ti、Al、Ag）對非晶Si-Zn-Sn-O（a-SZTO）薄膜晶體管（TFT）電氣性能的影響，通過TLM接觸電阻測試儀提取了TFT的總電阻（RT）和接觸電阻（RC），結合電學表征和能帶分析，發現Ti電極因形成歐姆接觸且功函數差最小，顯著提升了遷移率和亞閾值擺幅等關鍵參數。1實驗設計與制備flexfilm(a)

  TLM 接觸電阻 晶體管 1622瀏覽量

• 觸針式輪廓儀 | 臺階儀 | 納米級多臺階高度的精準測量2025-07-22 09:52

  

  臺階高度作為納米結構的關鍵參數，其測量精度直接影響相關研究與應用。本文利用觸針式輪廓儀對三臺階高度樣品進行測量與表征的方法。原始測量數據通過多項式擬合與低通濾波處理消除低頻偽影和高頻噪聲。實現了納米級三臺階高度樣本（8nm/18nm/26nm）的高精度測量。并應用于薄膜沉積速率的計算與驗證，結果顯示輪廓儀與光譜橢偏儀的沉積速率測量結果一致。1觸針輪廓儀測量f

  測量 表面輪廓儀 高精度 721瀏覽量