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向欣電子

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向欣電子文章

  • 800V 快充電動汽車電機用絕緣膜材料要求 | 二維氮化硼熱管理材料2025-11-26 06:32

    1.800V快充電動汽車電機絕緣膜材技術要求1.1電氣性能要求800V快充電動汽車電機絕緣膜材的電氣性能要求遠超傳統400V系統,主要體現在耐壓強度、局部放電起始電壓(PDIV)、介電性能等關鍵指標的大幅提升。耐壓強度要求方面,800V平臺要求骨架主絕緣耐壓從傳統400V系統的≥3kVAC提升至≥6kVAC(IEC60664-1標準),部分關鍵區域(如電池包
    材料 電動汽車 電機 1320瀏覽量
  • IGBT是電子電力行業的“CPU” | 氮化硼高導熱絕緣材料2025-11-21 12:21

    文章大綱IGBT是電子電力行業的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結晶”·IGBT技術不斷迭代,產品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長空間天花板·新能源汽車市場成為IGBT增長最充足動力·新能源發電前景廣闊驅動IGBT增長·工業控制平穩發展支撐IGBT行業需求國產IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業壁壘成為IGBT集中度高的內在因素·海外龍頭主導
    IGBT 氮化硼 絕緣材料 2671瀏覽量
  • 第三代半導體碳化硅 IGBT/MOSFET導熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導熱絕緣墊片2025-11-19 07:30

    引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體材料,相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場強達3MV/cm,是硅的10倍;熱導率高達4.9W/cm?K,是硅的3.3倍。這些優異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作,功率密度可提升3倍以上。然而,SiCIGBT的高性能也帶
    IGBT MOSFET 半導體 碳化硅 1766瀏覽量
  • 一文吃透產業鏈:PCB材料(AI浪潮+新能源車)2025-11-09 08:39

    隨著AI服務器、5G通信與智能汽車的持續爆發,一塊小小的電路板正在重新定義電子世界的底層邏輯。這就是——PCB(印制電路板)材料,電子行業的“神經中樞”,也是AI硬件浪潮中最隱蔽卻最關鍵的賽道之一。01行業概述:從“銅板”到“算力骨架”PCB是所有電子設備的“載體與神經”,承載著信號傳輸、電氣連接與熱管理等核心功能。其上游的關鍵材料——覆銅板(CCL)、銅箔
    PCB材料 新能源 電路板 3017瀏覽量
  • 一文讀懂 · 電氣間隙與爬電距離 · 來龍去脈:設計指南、影響因素、計算方法、案例說明2025-11-08 07:01

    -關于《電氣間隙與爬電距離的全面解析與設計指南》的解析-文字原創,素材來源:TI、IEC、IPC、GB、網絡-「SysPro|電動汽車標準解讀」專欄內容,全文13700字-本篇為節選,完整內容會在知識星球發布,詳細分布見目錄頁導語:在高壓設備的設計與制造過程中,確保電氣安全和系統可靠性是至關重要的。其中,爬電距離(Creepage,CPG)和電氣間隙(Cle
  • 如何解決導熱墊片的老化問題?2025-11-07 06:33

    電子設備運行時,元件發熱會導致性能下降。導熱墊片,它能填充元件與散熱器間的縫隙,排出空氣,建立高效導熱通道。此外,它還兼具絕緣、防短路、減震和密封等多重功能,滿足設備小型化需求。然而,導熱墊片在長期使用后會老化。那么,老化有何表現?成因是什么?又該如何應對?這篇文章是小編之前還在廠里上班時候認真總結的一些問題,如果有描述不全面的地方,請大家可以在評論區補充一
    墊片 導熱 電子設備 1060瀏覽量
  • 儲能技術新路線---液流電池2025-11-06 08:20

    液流電池是一種新的電化學儲能技術。它將正負極電解液分開,并各自循環的一種高性能蓄電池。根據電解液的不同,液流電池可以分為:全釩液流電池、鋅溴液流電池、多硫化鈉/溴液流電池、鋅/鎳液流電池等。液流電池是一種新的電化學儲能技術。它將正負極電解液分開,并各自循環的一種高性能蓄電池。1、液流電池組成液流電池由電池單元、電解液、電解液存儲供給單元等部分構成,如圖1所示
    儲能 液流電池 電池 2737瀏覽量
  • 破解“散熱天花板”:金剛石銅復合材料的百億征程(附分析報告)2025-11-05 06:34

    在AI算力爆發、新能源汽車普及、6G通信加速落地的今天,電子設備正以前所未有的速度向高功率、高密度演進。隨之而來的,是“散熱”這一曾經被邊緣化的技術環節,正悄然成為制約設備性能與可靠性的“天花板”。傳統散熱材料在熱流密度突300W/cm²時已全面失效,而金剛石銅復合材料,憑借其接近極限的導熱性能與優異的環境適應性,正成
    復合材料 散熱 金剛石 1166瀏覽量
  • SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料2025-10-31 09:01

    引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體材料,相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場強達3MV/cm,是硅的10倍;熱導率高達4.9W/cm?K,是硅的3.3倍。這些優異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作,功率密度可提升3倍以上。然而,SiCIGBT的高性能也帶
    IGBT MOSFET SiC 碳化硅 2478瀏覽量
  • 一文讀懂 · 節能與新能源汽車技術路線圖3.02025-10-25 08:30

    -「SysPro系統工程智庫|標準解讀專欄」-文字原創,素材來源:汽車工程學會、網絡-本篇為知識星球節選,完整版報告與解讀在知識星球發布-1500+全球前瞻技術報告與解析已上傳知識星球導語:當前全球汽車產業正處于“電動化加速、智能化突破”的關鍵轉型期,2022年全球新能源汽車銷量突破1000萬輛,2024年我國新能源汽車滲透率超40%,L3級自動駕駛逐步量產