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• 發布了文章 2023-05-19 08:16

  凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季，重磅來襲！

  

  如果要說當前半導體行業最熱的話題是什么，無疑是第三代半導體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達30年的時間里，英飛凌不斷地進行技術打磨和沉淀，幫助新材料在新應用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲能、充電設施以及各類電源應用以外，還會

  半導體 英飛凌

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• 發布了文章 2023-05-18 08:16

  英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  

  近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發揮出了其高效率高功率密度的優點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端”，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的

  硅晶 英飛凌

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• 發布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列

  

  新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護OCP的1200VSOI半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列產品型號：2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產品，用于高功率應用，如商用

  二極管 驅動器

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• 發布了文章 2023-05-17 08:16

  新品 | 120-200A 750V EDT2工業級分立IGBT，采用TO-247PLUS SMD封裝

  

  新品120-200A750VEDT2工業級分立IGBT120-200A750VEDT2工業級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產品型號：IKQB120N75CP2IKQB160N75CP2IKQB200N75CP2采用750VEDT2IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc。高可

  IGBT 封裝

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• 發布了文章 2023-05-16 08:16

  新品 | 采用iMOTION™ IPM IMI111T-026H高效風機控制參考板

  

  新品采用iMOTIONIPMIMI111T-026H高效風機控制參考板iMOTIONIPM---一個緊湊的DSO封裝中實現完整的三相逆變器，包括電機控制器、三相柵極驅動器和基于IGBT的功率級，用于50W以下的電機驅動。產品型號：REF-MHA50WIMI111T評估板相關產品：IMI111T-iMOTION帶有微控制器、門驅動器和IGBT的IPM智能功率模

  控制 逆變器

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• 發布了文章 2023-05-04 17:06

  如何利用快速開關的TRENCHSTOP™ 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

  

  本文作者作者：akbarsyeda翻譯：趙佳緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數（PF）。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正（PFC）是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT（絕緣柵雙極型晶體

  IGBT 二極管

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• 發布了文章 2023-04-20 21:48

  集成電源管理的160V三相MOTIX™門級驅動器

  

  我們身邊有很多電池供電的應用比如打掃衛生時使用的手持吸塵器、裝家具時使用電動工具、大街上穿梭的電動自行車、隨處可見的服務機器人和公園里看到的無人機等，這些應用有一些共有的特點，就是設計緊湊并因地制宜的充分利用空間！MOTIX3相柵極驅動器6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員。之前的文章《新品|-1A/2A，160VMOTIX三相SOI柵極驅動

  電源 驅動器

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• 發布了文章 2023-04-20 02:33

  隔離型驅動芯片下面到底能不能走線

  

  首先給出結論：一般我們把隔離驅動芯片的垂直面下方的PCB設為禁止布線層，既不走任何的信號也不放置各類元器件，如圖1所示。然后再討論為什么不能布線，最后介紹例外的應用情況。左右滑動可進行查看圖1為什么芯片下面不建議布線？因為會影響正常的信號傳輸啊！既然是使用電氣隔離型的驅動芯片，你肯定是希望原邊和副邊之間不要有任何牽絆，而且兩者的供電是獨立且符合應用隔離要求的

  芯片 驅動

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• 發布了文章 2023-04-11 14:21

  SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

  

  作者簡介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2023-04-07 06:38

  英飛凌強化低碳化形象：工業應用部門將以零碳工業功率（GIP）事業部為名開展經營

  

  德國慕尼黑-2023年4月3日-英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）已將其工業功率控制（IPC,IndustrialPowerControl）事業部更名為零碳工業功率（GIP,GreenIndustrialPower）事業部。自此，英飛凌強調其將持續緊跟低碳化和數字化趨勢。對于重新命名為零碳工業功率（GIP）的事業部，綠色能源

  數字化 英飛凌

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