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• 發布了文章 2024-01-08 08:13

  英飛凌MOTIX™系列再添新成員：推出適用于電池供電應用的160V雙通道柵極驅動器IC

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）宣布其適用于汽車和工業電機控制應用的MOTIX系列再添新成員。為進一步擴大這一先進產品系列的陣容，英飛凌推出了MOTIX雙通道柵極驅動器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160V的絕緣體上硅片（SOI）柵極驅動器均為

  電池 英飛凌 驅動器IC

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• 發布了文章 2024-01-05 08:13

  全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模塊讓驅動器實現尺寸小型化和效率最大化

  

  許多應用都出現了采用更小IGBT模塊，將復雜設計轉移給產業鏈上游的明顯趨勢。為了順應小型化和集成化的全球趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP3IGBT模塊，用于改變目前采用兩電平和三電平拓撲結構、使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。這款新半導體器件將給諸多應

  IGBT模塊 變頻器 驅動器

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• 發布了文章 2023-12-30 08:14

  英飛凌榮獲年度國際功率器件行業卓越獎

  

  英飛凌是全球半導體領域的領導者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅動器IC獲得年度國際功率器件行業卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選出行業中優秀的企業，助力行業蓬勃發展。英飛凌榮獲2023年度國際功率器件行業卓越獎160VMOTIX三相柵極驅動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新

  功率器件 半導體 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-29 08:14

  英飛凌EiceDRIVER™ IC用“芯”驅動新一代電動夾爪

  

  提起電動夾爪領域，大寰機器人占據著領先的市場地位。作為一家專注為工業智能制造場景提供核心零部件的高科技企業，大寰機器人推出的電動夾爪，憑借其自主研發的精密力控直驅技術，可代替人手在產線上完成各種動作。而如此精妙的機械手，背后來自于英飛凌的EiceDRIVER柵極驅動器的用“芯”驅動。從電源管理到核心驅動，大寰機器人推出的電動夾爪集結了來自英飛凌的多款產品，包

  IC 機器人 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-29 08:14

  英飛凌零碳之路——2023年度盤點（1）

  

  2023年，對于半導體行業而是言充滿挑戰和機遇的一年。根據英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領域貢獻了約13%的年度營收。根據Omdia9月公布的最新數據，英飛凌功率半導體器件繼續穩居全球第一，占據超20%的市場份額。今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道

  半導體 新能源 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-22 08:14

  英飛凌入選全球最具可持續發展能力的企業

  

  英飛凌科技再次入選道瓊斯可持續發展全球指數（DowJonesSustainabilityWorldIndex），標普全球（S&PGlobal）日前在美國紐約公布了相關評估報告。負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart表示

  功率器件 物聯網 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-22 08:14

  門極驅動正壓對功率半導體性能的影響

  

  /引言/對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。1對導通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型

  半導體 器件 驅動

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• 發布了文章 2023-12-21 08:14

  英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產品獎

  

  11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎，再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力和行業領先地位，得到了業內專家和客戶的認可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數、可靠性及壽命

  模塊 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-16 08:14

  SiC MOSFET用于電機驅動的優勢在哪里

  

  在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的電機應用中，SiC仍然具有不可比擬的優勢，他們是：1低電感電機低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關

  IGBT MOSFET SiC 電機驅動

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• 發布了文章 2023-12-11 17:31

  擴展 IGBT7 產品組合，實現bast-in-Class功率密度

  

  我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)

  IGBT 二極管 英飛凌

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