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• 發布了文章 2023-01-16 22:11

  是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

  

  作者簡介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術相比，SiCMOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這

  逆變器 SiC

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• 發布了文章 2023-01-12 22:11

  如何手動計算IGBT的損耗

  

  現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。我們先來看一個IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 損耗

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• 發布了文章 2023-01-11 15:09

  SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，Si

  MOSFET SiC

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• 發布了文章 2023-01-11 15:09

  探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性

  

  探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性

  二極管 MOSFET

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• 發布了文章 2023-01-11 15:09

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板

  

  新品采用IPMIM3231500W電機驅動的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估，它的目標應用為三相電機驅動，大家電，如空調、泵、風扇和其他變頻驅動器。產品型號：EVAL-M1-IM323產品特點輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時最大12A的輸入電流220V

  驅動 電機 評估板

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• 發布了文章 2023-01-11 15:08

  通過柵極驅動器提高開關電源功率密度

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場總監校對：柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在3.3kW開關電源(SMPS)中，產品效率高達98%，1U結構尺寸，其功率密度可達100W/in3。這之所以可以實現是因為我們在圖騰柱PFC級中明智地選擇了超結(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅動器

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• 發布了產品 2023-01-04 10:01

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板

  

  產品型號：EVAL-M1-IM323

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• 發布了文章 2023-01-04 09:45

  探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性

  

  SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概

  二極管 MOSFET

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• 發布了文章 2022-05-27 01:47

  魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是

  asic

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• 發布了文章 2022-05-26 02:14

  IGBT窄脈沖現象解讀

  

  什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A

  IGBT

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