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發布了文章 2023-12-09 08:14

感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析（上）

經常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應用的IGBT需要有什么特點？今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如這個世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會怎么做？最常見的方式，就是點燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統燃氣加熱然而這種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋

IGBT 感應加熱電磁

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上傳了資料 2023-12-06 11:56

IGBT單管數據手冊參數解析（下）

IGBT

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上傳了資料 2023-12-06 11:54

IGBT單管數據手冊參數解析(上)

IGBT

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發布了文章 2023-12-02 08:14

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應

SiC 封裝英飛凌

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發布了文章 2023-12-01 08:14

英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對SiC MOSFET驅動的挑戰

碳化硅MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業功率技術大會上，發表了《英飛凌EiceDRIVER技術以及應對SiCMOSFET驅動的挑戰》的演講，詳細剖析了SiCMOSFET對驅動芯片的需求，以及我們

MOSFET SiC 英飛凌驅動

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發布了文章 2023-11-28 08:13

增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業，如何使用創新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強型M1HCoolSiC芯片又“強“在哪里？英飛凌零碳工業功率事業部高級工程師趙佳女士，在2023英

MOSFET SiC 碳化硅

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發布了文章 2023-11-21 08:14

英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器

IGBT 電源英飛凌

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發布了文章 2023-11-19 08:13

英領綠色能源｜產學聯動，探討實現“雙碳”更優解

作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日第一期上線現在開約！雙碳，一個持續熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯，從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結合產業熱點，打造業界獨家欄目！在這檔欄目中，通過研究“雙

功率半導體能源英飛凌

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發布了文章 2023-11-17 08:14

產學聯動，探討實現“雙碳”更優解

作為全球功率半導體的市場領導者英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌11月21日（下周二）第一期上線現在開約！雙碳，一個持續熱門的話題，可謂宏大而復雜。為了理清該領域的最新發展邏輯，從產業宏觀和底層科技綜合視角來探討實現“雙碳”目標的更快路徑，2023年尾聲，英飛凌推出“英飛凌綠色能源”系列線上圓桌直播活動，結合產業熱點，打造業界獨家欄目！在這檔欄目中，通

功率半導體英飛凌

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