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• 發布了文章 2025-12-20 16:05

  一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當導致的焊接不良？

  

  助焊劑是電子封裝焊接的關鍵輔料，使用不當易引發虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良，嚴重影響器件可靠性。其選用需精準匹配場景：汽車電子需車規級無鹵助焊劑，耐極端環境且過AEC-Q101認證；消費電子側重環保與細間距適配；工業功率器件需耐高溫助焊劑。同時要遵守環保規范（RoHS 2.0等）、可靠性規范（IPC-TM-650等）及企業生產規范。正確使用助焊劑的核心是

  BGA 功率器件 助焊劑 印刷工藝 汽車電子

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• 發布了文章 2025-12-16 17:36

  BGA植球中助焊劑的應用工序及核心要求

  

  BGA植球中，助焊劑是保障焊球定位與焊接質量的核心輔料，僅在焊球放置前的焊盤預處理后集中涂覆，兼具粘結固定焊球、清除氧化層、防二次氧化的作用。其性能要求精準：常溫粘度5000-15000cP（細間距需更高）以防焊球漂移，中等活性（有機酸3%-5%）避免腐蝕焊盤，免清洗且殘留量≤0.3mg/cm2以防漏電，活性溫度需匹配焊料熔點。

  BGA smt 功率器件 助焊劑

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• 發布了文章 2025-12-12 15:40

  淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應用匹配要求

  

  本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應用環節與匹配要求，其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護焊點。應用環節覆蓋焊接前預處理、焊接中成型潤濕、焊接后防護。不同功率器件對助焊劑要求差異顯著：小功率器件側重工藝性與環保合規；中功率器件需平衡活性與抗熱疲勞性；大功率器件則要求高溫活性穩定、殘留量低且絕緣性優異。匹配需遵循工藝、器件、合規三大原則，同時規避盲

  IGBT SiC 功率器件 助焊劑 錫膏

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• 發布了文章 2025-12-10 15:36

  焊點空洞成因深度解析：傲牛SAC305錫膏的空洞抑制方案

  

  焊點空洞源于焊接中氣體未充分逸出，核心成因涉及錫膏配方與焊接工藝。配方層面，助焊劑活性不足、揮發失衡或含量異常，焊粉氧化吸潮、球形度不達標，合金配比偏差，均會增加氣體生成；工藝層面，印刷參數失控（錫膏過量/殘留）、回流曲線紊亂（升溫快/保溫短）、焊盤預處理不充分，會阻礙氣體逸出。傲牛科技推出帶空洞抑制劑的SAC305錫膏，其抑制劑通過“浸潤泡膜—凝集氣泡—拉

  IGBT 助焊劑 消費電子 錫膏

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• 發布了文章 2025-12-04 10:03

  焊材導致的功率器件焊接失效的“破局指南”

  

  本文以焊材廠家工程師視角，科普焊材導致功率器件封裝焊接失效的核心問題，補充了晶閘管等此前未提及的器件類型。不同器件焊材適配邏輯差異顯著：小功率MOSFET用SAC305錫膏，中功率IGBT選SnSb10Ni焊片或銀膠，中壓晶閘管適配SnAg3.5錫膏，高壓晶閘管需銀銅釬料，高功率SiC模塊依賴納米燒結銀，均需匹配功率、電壓、溫循等需求。焊材引發的失效主要有虛

  IGBT MOSFET 晶閘管 燒結工藝 錫膏

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• 發布了文章 2025-11-22 17:00

  晶圓級封裝Bump制作中錫膏和助焊劑的應用解析

  

  本文聚焦晶圓級封裝 Bump 制作中錫膏與助焊劑的核心應用，以焊料印刷法、植球法為重點展開。印刷法中，錫膏是凸點主體，需依凸點尺寸選 6/7 號超細粉，助焊劑融入其中實現氧化清除與潤濕；植球法里錫膏起粘結預成型焊球作用，助焊劑常單獨涂覆強化活性。電鍍法雖無需錫膏，但回流時需低殘留助焊劑輔助塑形。材料選型需匹配 Bump 尺寸與場景，如細間距用 7 號粉，熱敏

  助焊劑 晶圓級封裝 電鍍 錫膏

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• 發布了文章 2025-11-10 14:21

  MOSFET焊料選型避坑指南：焊材廠家研發工程師帶你看透匹配的核心邏輯

  

  MOSFET作為高頻高效功率器件，焊料選型需遵循溫度匹配、性能平衡、工藝適配、可靠性與合規四大核心原則，這源于其結溫特性、低阻優勢、多樣封裝及長期工作需求。選型關鍵需把控耐高溫性（熔點比結溫高 50℃以上）、導熱導電性（高功率場景導熱率≥150 W/m?K）、抗熱疲勞性（1000 次溫循強度保留率≥80%）等六大細節。

  MOSFET 回流焊 新能源汽車 燒結工藝 錫膏

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• 發布了文章 2025-11-04 09:59

  從不同類型IGBT封裝對焊料要求差異看結構和場景的適配邏輯

  

  不同 IGBT 封裝對焊料的要求差異，本質是場景決定性能優先級。中低功率、低成本場景（TO 封裝）：焊料需“夠用就行”，優先控制成本；中高功率、工業場景（標準模塊）：焊料需“可靠耐用”，平衡性能與成本； 高功率、極端環境（汽車主驅、SiC 模塊）：焊料需“極致性能”，成本可忽略；小型化、低寄生場景（先進封裝）：焊料需“適配工藝”，滿足精細連接需求。

  IGBT sic器件 功率器件 新能源汽車 逆變器

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• 發布了文章 2025-10-23 14:49

  晶圓級封裝（WLP）中Bump凸點工藝：4大實現方式的技術細節與場景適配

  

  在晶圓級封裝（WLP）中，Bump 凸點是芯片與基板互連的關鍵，主流實現方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發 / 濺射法、球放置法四類，差異顯著。選型需結合凸點密度、成本預算與應用特性，平衡性能與經濟性。

  wlp 晶圓級封裝 晶圓級芯片 濺射系統 電鍍

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• 發布了文章 2025-10-17 16:35

  銀膠vs銀漿：一字之差，卻是電子焊接的“兩種技術路線”！

  

  銀膠與銀漿是差異顯著的材料：銀膠是“銀粉+樹脂”的粘結型材料，靠低溫固化實現導電與固定，適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場景，設備簡單（點膠機+烘箱），成本中等；導電銀漿是“銀粉+樹脂+溶劑”的涂層材料，僅用于制作電極/屏蔽層（如光伏電池電極），靠絲網印刷成型，成本最低；燒結銀漿是“納米銀粉+低樹脂”的互連材料，高溫燒結形成冶金連接，適配SiC模塊、航天

  功率器件 燒結 銀膠

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