動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-12-30 15:14

  一文搞懂焊點(diǎn)金脆性問(wèn)題的成因與破解方案

  

  焊點(diǎn)金脆性是指過(guò)量金元素進(jìn)入焊點(diǎn)后，與錫等形成脆性金屬間化合物，導(dǎo)致焊點(diǎn)韌性下降、易開(kāi)裂的現(xiàn)象，嚴(yán)重影響電子器件在溫循、振動(dòng)場(chǎng)景下的可靠性。其核心成因是焊點(diǎn)中金含量超標(biāo)。改善與避免需全流程把控：控制焊盤金層厚度在0.05——0.1μm，優(yōu)先選用Ni/Pd/Au 鍍層；選用SAC305等無(wú)金焊料；優(yōu)化回流曲線，避免反復(fù)焊接；杜絕焊接工具與輔料的金污染；適當(dāng)增大

  IMC 功率器件 回流焊 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-12-25 11:37

  一次講透二次回流工藝的核心邏輯

  

  二次回流工藝是通過(guò)兩次分步高溫焊接，解決復(fù)雜封裝中多層級(jí)器件互連、敏感器件與大功率器件共存焊接難題的核心技術(shù)，核心邏輯為“高溫打底、低溫疊加”。其主要應(yīng)用于PoP堆疊封裝、SiP系統(tǒng)級(jí)封裝、汽車電子ADAS模塊、IGBT 功率模塊及高端消費(fèi)電子（折疊屏、VR）等產(chǎn)品。焊料選擇需遵循熔點(diǎn)差≥15℃的原則，不同場(chǎng)景適配不同組合。核心要求為精準(zhǔn)控溫（二次峰值低 1

  MEMS封裝 POP封裝 sip封裝 回流焊 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-12-20 16:05

  一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良？

  

  助焊劑是電子封裝焊接的關(guān)鍵輔料，使用不當(dāng)易引發(fā)虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良，嚴(yán)重影響器件可靠性。其選用需精準(zhǔn)匹配場(chǎng)景：汽車電子需車規(guī)級(jí)無(wú)鹵助焊劑，耐極端環(huán)境且過(guò)AEC-Q101認(rèn)證；消費(fèi)電子側(cè)重環(huán)保與細(xì)間距適配；工業(yè)功率器件需耐高溫助焊劑。同時(shí)要遵守環(huán)保規(guī)范（RoHS 2.0等）、可靠性規(guī)范（IPC-TM-650等）及企業(yè)生產(chǎn)規(guī)范。正確使用助焊劑的核心是

  BGA 功率器件 助焊劑 印刷工藝 汽車電子

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• 發(fā)布了文章 2025-12-16 17:36

  BGA植球中助焊劑的應(yīng)用工序及核心要求

  

  BGA植球中，助焊劑是保障焊球定位與焊接質(zhì)量的核心輔料，僅在焊球放置前的焊盤預(yù)處理后集中涂覆，兼具粘結(jié)固定焊球、清除氧化層、防二次氧化的作用。其性能要求精準(zhǔn)：常溫粘度5000-15000cP（細(xì)間距需更高）以防焊球漂移，中等活性（有機(jī)酸3%-5%）避免腐蝕焊盤，免清洗且殘留量≤0.3mg/cm2以防漏電，活性溫度需匹配焊料熔點(diǎn)。

  BGA smt 功率器件 助焊劑

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• 發(fā)布了文章 2025-12-12 15:40

  淺析助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用匹配要求

  

  本文聚焦助焊劑在功率器件封裝焊接中的應(yīng)用環(huán)節(jié)與匹配要求，其核心作用為清除氧化層、降低焊料表面張力、保護(hù)焊點(diǎn)。應(yīng)用環(huán)節(jié)覆蓋焊接前預(yù)處理、焊接中成型潤(rùn)濕、焊接后防護(hù)。不同功率器件對(duì)助焊劑要求差異顯著：小功率器件側(cè)重工藝性與環(huán)保合規(guī)；中功率器件需平衡活性與抗熱疲勞性；大功率器件則要求高溫活性穩(wěn)定、殘留量低且絕緣性優(yōu)異。匹配需遵循工藝、器件、合規(guī)三大原則，同時(shí)規(guī)避盲

  IGBT SiC 功率器件 助焊劑 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-12-10 15:36

  焊點(diǎn)空洞成因深度解析：傲牛SAC305錫膏的空洞抑制方案

  

  焊點(diǎn)空洞源于焊接中氣體未充分逸出，核心成因涉及錫膏配方與焊接工藝。配方層面，助焊劑活性不足、揮發(fā)失衡或含量異常，焊粉氧化吸潮、球形度不達(dá)標(biāo)，合金配比偏差，均會(huì)增加氣體生成；工藝層面，印刷參數(shù)失控（錫膏過(guò)量/殘留）、回流曲線紊亂（升溫快/保溫短）、焊盤預(yù)處理不充分，會(huì)阻礙氣體逸出。傲牛科技推出帶空洞抑制劑的SAC305錫膏，其抑制劑通過(guò)“浸潤(rùn)泡膜—凝集氣泡—拉

  IGBT 助焊劑 消費(fèi)電子 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-12-04 10:03

  焊材導(dǎo)致的功率器件焊接失效的“破局指南”

  

  本文以焊材廠家工程師視角，科普焊材導(dǎo)致功率器件封裝焊接失效的核心問(wèn)題，補(bǔ)充了晶閘管等此前未提及的器件類型。不同器件焊材適配邏輯差異顯著：小功率MOSFET用SAC305錫膏，中功率IGBT選SnSb10Ni焊片或銀膠，中壓晶閘管適配SnAg3.5錫膏，高壓晶閘管需銀銅釬料，高功率SiC模塊依賴納米燒結(jié)銀，均需匹配功率、電壓、溫循等需求。焊材引發(fā)的失效主要有虛

  IGBT MOSFET 晶閘管 燒結(jié)工藝 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-11-22 17:00

  晶圓級(jí)封裝Bump制作中錫膏和助焊劑的應(yīng)用解析

  

  本文聚焦晶圓級(jí)封裝 Bump 制作中錫膏與助焊劑的核心應(yīng)用，以焊料印刷法、植球法為重點(diǎn)展開(kāi)。印刷法中，錫膏是凸點(diǎn)主體，需依凸點(diǎn)尺寸選 6/7 號(hào)超細(xì)粉，助焊劑融入其中實(shí)現(xiàn)氧化清除與潤(rùn)濕；植球法里錫膏起粘結(jié)預(yù)成型焊球作用，助焊劑常單獨(dú)涂覆強(qiáng)化活性。電鍍法雖無(wú)需錫膏，但回流時(shí)需低殘留助焊劑輔助塑形。材料選型需匹配 Bump 尺寸與場(chǎng)景，如細(xì)間距用 7 號(hào)粉，熱敏

  助焊劑 晶圓級(jí)封裝 電鍍 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-11-10 14:21

  MOSFET焊料選型避坑指南：焊材廠家研發(fā)工程師帶你看透匹配的核心邏輯

  

  MOSFET作為高頻高效功率器件，焊料選型需遵循溫度匹配、性能平衡、工藝適配、可靠性與合規(guī)四大核心原則，這源于其結(jié)溫特性、低阻優(yōu)勢(shì)、多樣封裝及長(zhǎng)期工作需求。選型關(guān)鍵需把控耐高溫性（熔點(diǎn)比結(jié)溫高 50℃以上）、導(dǎo)熱導(dǎo)電性（高功率場(chǎng)景導(dǎo)熱率≥150 W/m?K）、抗熱疲勞性（1000 次溫循強(qiáng)度保留率≥80%）等六大細(xì)節(jié)。

  MOSFET 回流焊 新能源汽車 燒結(jié)工藝 錫膏

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• 發(fā)布了文章 2025-11-04 09:59

  從不同類型IGBT封裝對(duì)焊料要求差異看結(jié)構(gòu)和場(chǎng)景的適配邏輯

  

  不同 IGBT 封裝對(duì)焊料的要求差異，本質(zhì)是場(chǎng)景決定性能優(yōu)先級(jí)。中低功率、低成本場(chǎng)景（TO 封裝）：焊料需“夠用就行”，優(yōu)先控制成本；中高功率、工業(yè)場(chǎng)景（標(biāo)準(zhǔn)模塊）：焊料需“可靠耐用”，平衡性能與成本； 高功率、極端環(huán)境（汽車主驅(qū)、SiC 模塊）：焊料需“極致性能”，成本可忽略；小型化、低寄生場(chǎng)景（先進(jìn)封裝）：焊料需“適配工藝”，滿足精細(xì)連接需求。

  IGBT sic器件 功率器件 新能源汽車 逆變器

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