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FQB8N60CTM

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

Datasheet：

在線詢價
  • Digikey
    Digikey
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數

Function

  • 額定電流
    8 A
  • 額定電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 連續漏極電流
    7.5 A
  • 輸入偏置電容@25V
    1.255 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    1.2 Ω
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導通電阻@10V,3.75A
    1.2 Ω
  • 漏源導通電阻
    1.2 Ω
  • 柵源電壓
    30 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    36 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    16.5 ns
  • 功率耗散
    147 W, 3.13 W
  • 關閉延遲時間
    81 ns
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    64.5 ns
  • 上升時間
    60.5 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數量
    800
  • 制造商封裝
    D2PAK

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    4.83 mm
庫存量：0
預計交期：
數量
單價
總價(階梯最低數量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料