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深圳市首質誠科技有限公司

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深圳市首質誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 12:10

    仁懋電子(MOT)推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT15N50F為N溝道功率MOSFET,核心參數表現為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
    MOS 仁懋電子 晶體管 461瀏覽量
  • 選型手冊:MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 12:01

    仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝,廣泛適用于DC/DC轉換器等高效電源轉換場景。一、產品基本信息MOT1793G為P溝道增強型功率MOSFET,漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))達-100V;導通電阻(\(R_{DS(on)}
    MOS 仁懋電子 晶體管 409瀏覽量
  • 選型手冊:MOT4025G 互補增強型 MOSFET2025-11-04 16:33

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4025G是一款互補增強型MOSFET,集成N溝道與P溝道管,憑借40V耐壓、超低導通電阻及優異開關特性,適用于電機驅動、DC-DC轉換器等大功率場景。以下從器件特性、電氣參數、應用場景等維度展開說明。一、產品基本信息器件類型:互補增強型MOSFET(N溝道+P溝道)耐壓規格:漏源極耐壓(\(V_{DS}\))均為40V導通電阻
    MOS MOSFET 仁懋電子 597瀏覽量
  • 選型手冊:MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-04 15:59

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規性,廣泛適用于電子鎮流器、電子變壓器、開關模式電源等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT4N65F為N溝道功率MOSFET,核心參數表現為:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):6
    MOS 仁懋電子 晶體管 785瀏覽量
  • 選型手冊:MOT13005DA NPN 硅晶體管2025-11-04 15:28

    仁懋電子(MOT)推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶體管,憑借400V高耐壓、8A大電流及1700V擊穿能力,廣泛適用于熒光燈、電子變壓器、開關模式電源等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息核心參數:集電極-發射極耐壓(\(V_{CEO}\)):400V集電極連續電流(\(I_C\)):8A封裝形式:TO-220F
    MOS 仁懋電子 晶體管 394瀏覽量
  • 選型手冊:MOT9N50D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-04 15:22

    仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT9N50D為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現為:漏源極耐壓(\(V_{DSS
    MOS 仁懋電子 晶體管 362瀏覽量
  • 選型手冊:MBR10200F 肖特基勢壘整流二極管2025-11-03 17:01

    仁懋電子(MOT)推出的MBR10200F是一款10A規格的肖特基勢壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性,適用于開關電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息核心參數:峰值反向耐壓(\(V_{RRM}\)):200V平均整流輸出電流(\(I_o\)):10A(總電流)/5A
    MOS 二極管 仁懋電子 809瀏覽量
  • 選型手冊:MOT10150D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 16:41

    仁懋電子(MOT)推出的MOT10150D是一款面向中低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、超大電流承載能力及優異開關特性,適用于高功率DC-DC轉換器、工業大電流負載開關、儲能電源模塊等領域。一、產品基本信息(推導)電壓與電流:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))預計為100V級,適配中低壓大電流供電場景;連續漏極電流(\(I_D
    MOS 仁懋電子 晶體管 586瀏覽量
  • 選型手冊:MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 16:33

    仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉換場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導通損耗及優異開關特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉換器、高效電源模塊等領域。以下從器件特性、電氣參數、應用場景等維度展開說明。一、產品基本信息MOT90N03D為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現為:漏源極耐壓(\(V
    MOS 仁懋電子 晶體管 647瀏覽量
  • 選型手冊:MOT5N50MD 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-03 15:26

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等領域。以下從器件特性、電氣參數、封裝應用等維度展開說明。一、產品基本信息MOT5N50MD為N溝道增強型功率MOSFET,核心參數表現為:漏源極耐壓(\(V_{D
    MOS 仁懋電子 晶體管 458瀏覽量