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• 選型手冊：MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:31

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

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• 選型手冊：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:23

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

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• 選型手冊：MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:15

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R

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• 選型手冊：MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:12

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

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• 選型手冊：MOT20100D 肖特基勢壘整流二極管2025-11-06 16:08

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20100D是一款20A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借100V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：100V平均整流輸出電流（\(I_o\)）：20A（總電流）正向壓降（\(V_F\)）：\(I_F=10A\)時典型

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• 選型手冊：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:05

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

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• 選型手冊：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 15:44

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等）。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場

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• 選型手冊：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 16:01

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等）。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS

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• 選型手冊：MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:53

  

  選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池管理系統(tǒng)（BMS）、無人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：

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• 選型手冊：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:28

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、無人機(jī)等大功率場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V

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