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深圳市首質誠科技有限公司

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深圳市首質誠科技有限公司文章

  • 選型手冊:MOT3145J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:29

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝,適用于便攜設備、電池供電系統及筆記本電腦電源管理等場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場
    MOS 仁懋電子 晶體管 414瀏覽量
  • 選型手冊:MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:23

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借快速開關特性、穩定雪崩能力及650V耐壓,廣泛適用于高效開關電源、半橋式電子鎮流器、LED電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓供電場景;導通電阻(\(R_{DS(
    MOS 仁懋電子 晶體管 403瀏覽量
  • 選型手冊:MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-11 09:18

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、50A大電流承載能力及快速開關特性,適用于各類開關應用(如DC-DC轉換器、大功率負載開關等)。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場景;導通
    MOS 仁懋電子 晶體管 569瀏覽量
  • 選型手冊:MOT2914J 雙 N 溝道增強型 MOSFET2025-11-10 16:17

    仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性,適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件類型:雙N溝道增強型MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):20V,適配低壓大電流供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
    MOS MOSFET 仁懋電子 415瀏覽量
  • 選型手冊:MOT3920J 雙 N 溝道增強型 MOSFET2025-11-10 16:12

    仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導通電阻及優異的高頻開關特性,適用于DC/DC轉換器、高頻開關電路及同步整流等場景。一、產品基本信息器件類型:雙N溝道增強型MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
    MOSFET MOT 仁懋電子 441瀏覽量
  • 選型手冊:MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-10 16:01

    仁懋電子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借6mΩ超低導通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統逆變器、輕型電動車、BMS(電池管理系統)、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\))
    MOS 仁懋電子 晶體管 634瀏覽量
  • 選型手冊:MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-10 15:50

    仁懋電子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借1.5mΩ超低導通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統逆變器、輕型電動車、無人機等大功率場景。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓大電
    MOS 仁懋電子 晶體管 424瀏覽量
  • 選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級結功率 MOSFET 晶體管2025-11-10 15:42

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正(PFC)、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道超級結功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓功率轉換場景;導通電阻(\(R_
    MOS 仁懋電子 晶體管 399瀏覽量
  • 選型手冊:MOT70R280D N 溝道超級結功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:54

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結功率MOSFET,憑借700V耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性,適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道超級結功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓功率轉換場景;導通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
    MOS 仁懋電子 晶體管 270瀏覽量
  • 選型手冊:MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:40

    仁懋電子(MOT)推出的MOT10N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統;導通電阻(\(R_{DS(o
    MOS 仁懋電子 晶體管 387瀏覽量