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如何保護電子元器件以延長生命周期2024-05-31 13:59
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國產8英寸碳化硅晶圓邁入新紀元,芯聯集成引領行業突破2024-05-30 11:24
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碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較2024-05-30 11:23
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英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列,滿足AI服務器需求2024-05-29 11:36
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單片機選型的原則與建議2024-05-29 11:35
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功率半導體市場迎飛躍,預測2035年市場規模將增4.7倍2024-05-28 10:53
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如何降低功率元器件發生絕緣品質異常2024-05-28 10:51
當絕緣體內存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時,在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發生局部放電(PartialDischarge,PD),導致絕緣劣化造成絕緣品質異常。例如:樹酯內有氣泡或漆包線間的氣隙,因為空氣的介電系數較低,氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低,所以會分到相對高比例的電壓,且在相同間隙距離條件下,氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發生于氣泡或氣隙等局部瑕疵功率元器件 990瀏覽量 -
SemiQ 開始針對 SiC 產品組合實施已知良品芯片(KGD)計劃2024-05-27 11:19
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MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解2024-05-27 11:16
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韓國籌劃622萬億韓元半導體補貼計劃,吸引國內外中小企業強化產業生態2024-05-24 11:46
據悉,韓國政府正積極籌劃一項半導體補貼計劃,旨在面對全球半導體產業競爭加劇的背景下,培育和吸引國內外中小企業加入其半導體產業生態系統。該計劃補貼預計622萬億韓元,對半導體產業集群目標所采取的重要舉措。韓國,作為半導體產業的重要參與者,近年來一直努力加強其在全球半導體市場中的地位。此次半導體補貼計劃的提出,標志著韓國政府在應對全球產業競爭方面邁出了重要步伐。根據韓國政府的計劃,補貼將針對有潛力的中半導體 780瀏覽量