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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 適用于集成存儲和電動汽車充電的光伏系統(tǒng)的 SiC MOSFET 模塊2024-05-24 11:45

    因為使用化石燃料帶來的問題,世界正面臨各種氣候挑戰(zhàn),所以很多能源部門正轉型以應對,不僅電力生產(chǎn)轉向更多可再生能源,住宅部門也在改變用電方式,如電動汽車的普及和熱泵取暖。這些變化導致電力需求增加和住宅用電成本上升,進而推動了太陽能光伏、家庭電力存儲和電動汽車充電設備的普及。這篇文章將討論SiCMOSFET如何通過創(chuàng)新封裝技術,有效整合這些電力需求,推動電力電子
    MOSFET SiC 電動汽車 942瀏覽量
  • Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業(yè)應用增長需求2024-05-23 10:57

    近日,全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項,RDSon值分別為30、40、60和80mΩ,進一步豐富了公司的SiCMOSFET產(chǎn)品線。Nexperia的這一最新發(fā)布是對其SiCMOSFET產(chǎn)品組合的快速擴展。此前,該公司
    MOSFET smd封裝 半導體 1224瀏覽量
  • 基于 GaN 的 MOSFET 如何實現(xiàn)高性能電機逆變器2024-05-23 10:56

    推動更高效的能源利用、更嚴格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術都能夠實現(xiàn)減少電動機的功耗,雖然硅MOSFET等開關技術已得到廣泛應用,但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標。相反,設計人員可以使用氮化鎵(GaN)來實現(xiàn)這些目標,氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術,在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進和進步。GaN器件是主流,已
    MOSFET 電機 逆變器 1702瀏覽量
  • 聊聊幾種常見的單片機通信方式2024-05-22 12:28

    在這個數(shù)字化和智能化的時代,單片機(MicrocontrollerUnits,MCUs)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子設備中不可或缺的核心組件。從簡單的家用電器如微波爐和洗衣機,到復雜的工業(yè)控制系統(tǒng),甚至是高科技的自動駕駛汽車,單片機都扮演著至關重要的角色。它們不僅負責執(zhí)行基本的控制任務,還處理數(shù)據(jù)、管理用戶界面,并與其他設備進行通信,今天,我們就來深入了解一下單片機的幾
  • 碳化硅(SiC)引領電力電子革命,成本優(yōu)勢顯著2024-05-21 11:11

    近期,市場對碳化硅(SiC)在高電流需求應用中的應用越來越感興趣,各大集成器件制造商正加速擴大SiC的產(chǎn)能投資,并推出多款新產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心、電力基礎設施和電動車等領域的需求。SiC的滲透率上升,顯著降低了系統(tǒng)成本,成為推動市場接受度提高的重要因素。在最近的第三類半導體論壇上,SiC領軍企業(yè)Wolfspeed指出,SiC的應用顯著降低了系統(tǒng)成本,不僅節(jié)省
  • 浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術應用2024-05-21 11:09

    SiCModule,即碳化硅功率模塊,是一種利用碳化硅(SiC)半導體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比,SiC模塊具有更高的熱導率、更高的擊穿電場強度和更低的導通電阻,這使得它們能夠在更高的溫度、頻率和電壓下工作,同時減少能量損耗。這些特性使得SiC模塊在工業(yè)電機驅動等領域中具有顯著的優(yōu)勢,推動了電子技術的發(fā)展。MPRA1C65-S61模塊經(jīng)
    Module SiC 半導體 碳化硅 1170瀏覽量
  • 敦泰(FocalTech)觸控芯片F(xiàn)T6000系列說明2024-05-20 11:35

    觸控芯片是一種專用的微處理器,它處理觸摸屏上的輸入信號。這些芯片能夠解析用戶的觸摸,包括輕觸、滑動和手勢,并將這些物理交互轉換為數(shù)字信號,使設備能夠響應用戶操作。觸控芯片廣泛應用于智能手機、平板電腦、觸控屏幕等多種電子設備中,為現(xiàn)代交互式設備提供核心功能。敦泰(FocalTech)觸控芯片敦泰(FocalTech)觸控芯片可支持1吋~25吋運用各種結構、工藝
  • SemiQ 600V SiC Diode Modules說明介紹2024-05-17 11:01

    與傳統(tǒng)的硅基二極管相比,SiC二極管模塊具有更快的開關速度、更低的反向恢復損耗和更高的工作溫度。SiC技術的發(fā)展推動了電力電子設備的能效提升和尺寸縮小。
    Modules 半導體 碳化硅 1070瀏覽量
  • 2024顯示驅動芯片市場回暖,智能手機需求強勁推動增長2024-05-16 11:18

    據(jù)群智咨詢數(shù)據(jù)顯示,隨著下游需求的逐步恢復,顯示驅動芯片(DisplayDriverIC)預計將迎來筑底回升。預計到2024年,全球顯示驅動芯片的營收將達到約111.3億美元,同比增長約0.8%。同時,2024年全年DDIC的供需比約為34.0%,整體供應相對寬松。然而,預計全球主要晶圓廠的高壓制程產(chǎn)能利用率將達到約80.2%,同比增長8.3個百分點。圖片來
  • SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹2024-05-16 11:16

    SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,SiCMOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導通電阻、更快的開關速度和更好的熱導率,SiCMOSFET模塊的引入有助于提高系統(tǒng)效率,減小系統(tǒng)尺寸和重量,是現(xiàn)代電力
    Module MOSFET 半導體 1162瀏覽量