深圳市浮思特科技有限公司文章

• TRINNO特瑞諾1200V太陽能逆變器專用IGBT助力光伏發電2024-06-24 11:24

  

  在當今快速發展的可再生能源領域，太陽能作為一種清潔、無限的能源，正受到越來越多人的關注和利用。為了最大化太陽能的轉換效率，選擇一款高性能的逆變器IGBT至關重要。TRINNO特瑞諾，作為作為追求創新的電力半導體的開發多年的品牌，推出了一款專為太陽能逆變器設計的IGBT——TGHP75N120FDR，其卓越的性能和穩定性，為太陽能發電系統提供了強有力的支持。T

  IGBT 光伏發電 太陽能逆變器 1246瀏覽量

• 中國晶圓產能預計2024年將同比增長超13%2024-06-21 11:08

  

  隨著全球半導體產業格局的深刻變革，中國半導體行業正迎來快速發展的黃金時期。根據國際半導體產業協會(SEMI)在2024年1月發布的最新數據，中國半導體行業在2023年已成為全球最大的半導體設備消費國，投入金額超過360億美元。這一趨勢預計將在2024年持續，中國晶圓產能有望實現同比超過13%的增長。SEMI的報告顯示，在政府資金和其他激勵措施的推動下，中國正

  半導體 晶圓 芯片 1072瀏覽量

• 特瑞諾(TRINNO)采用最新技術的1350V高頻IGBT器件2024-06-21 11:08

  

  隨著技術的不斷進步，IGBT的設計和制造也在持續優化。現代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性，還減小了尺寸和重量，這對于空間受限的應用尤為重要。此外，通過集成智能控制和保護功能，IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統，確保其安全穩定運行。隨著全球對高效能源利用和減少碳排放的需求日益增長，IGBT技術的發展將繼續扮演關鍵角色，推動電力電子技術向更高效、更環保的方

  IGBT 封裝 開關器件 1436瀏覽量

• 晶豐明源(BPS)終止可轉債發行，聚焦電源管理芯片領域長期發展2024-06-20 11:29

  

  近日，知名電源管理芯片制造商晶豐明源(BPS)發布公告，宣布終止本次向不特定對象發行可轉換公司債券，并撤回相關申請文件。這一決策引發了業界的廣泛關注與討論。晶豐明源此次擬發行的可轉換公司債券原計劃募資不超過7.09億元，這筆資金原本將用于高端電源管理芯片產業化項目、研發中心建設項目以及補充流動資金。這些項目旨在進一步拓展公司的業務規模，鞏固并提升其在電源管理

  BPS 電源管理 管理芯片 1010瀏覽量

• 特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹2024-06-20 11:24

  

  今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅固耐用、性能卓越的IGBT，這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復反并聯二極管，漏電流極低，在高結溫和低結溫下也表現出出色的傳導和開關特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先進的細溝槽柵極場截止(FS)技術，可確保整個器件的電場分布一致。該技術使IGBT能夠承受更高的擊穿電壓，

  IGBT 二極管 額定電壓 1501瀏覽量

• 半導體行業供需分化，晶圓代工產能激增引價格上漲2024-06-19 11:15

  

  在全球宏觀經濟形勢的波動背景下，半導體市場下游需求展現出明顯的分化趨勢。傳統消費終端如顯示、PC、手機等領域的需求持續低迷，而新興領域如AI服務器、物聯網、新能源車等則呈現出強勁的增長勢頭。這一變化不僅重塑了半導體行業的市場格局，也推動了晶圓代工廠產能利用率的顯著提升。根據行業觀察，自今年第二季度開始，晶圓代工廠的產能利用率已經出現了明顯的回升。不少廠商已接

  半導體 新能源車 晶圓 1159瀏覽量

• 用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率2024-06-19 11:13

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該技術與硅的不同之處，以及如何優化電路技術(例如軟開關)，超越硅的實際應用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導通電阻。與硅相比，SiC的開關速度

  MOSFET SiC 電阻 碳化硅 1854瀏覽量

• 深圳集成電路進口額穩健增長，前五月增幅達21.1%2024-06-18 11:13

  

  在全球集成電路市場持續發展的背景下，深圳作為中國重要的經濟特區，其集成電路進口額展現出強勁的增長勢頭。據深圳海關最新數據，今年前五月，深圳集成電路進口額同比增長了21.1%，這一顯著增長不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產業領域的持續繁榮。從數據上看，今年前五個月，深圳集成電路進口額達到2668.5億元，同比增長21.1%。

  電子信息 集成電路 839瀏覽量

• 氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星2024-06-18 11:12

  

  超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結了氧化鎵材料的一些固有特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評估UWBG材料選擇的關鍵候選。多個因素促成了這一點。表1列出了

  SiC 半導體 電力器件 1820瀏覽量

• 全球芯片產業競速，汽車芯片產業迎發展風口2024-06-17 11:34

  

  在全球科技浪潮的推動下，人工智能技術的飛速發展正為芯片產業帶來前所未有的挑戰與機遇。特別是在汽車芯片市場，供不應求的局面已成為行業共識，全球目光紛紛聚焦于此。汽車芯片近日，在重慶舉辦的一場由大聯大商貿主辦的峰會上，業內專家與業界領袖共同探討了新能源汽車芯片產業的未來發展趨勢。大聯大商貿中國區總裁沈維中表示，重慶憑借其獨特的地理位置、豐富的資源和政策支持，在新

  人工智能 汽車芯片 芯片 837瀏覽量