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　　STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是通過自旋電流實現信息寫入的。