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LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （GaN FET） 驅(qū)動(dòng)器，專為要求超高頻率、高效率的 應(yīng)用 而開發(fā)， 具有 可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側(cè)/低側(cè)匹配，以優(yōu)化系統(tǒng)效率。