一、核心特性
集成 700V GAN FET：
具備高耐壓、高開關速度特性，提升電源轉換效率。
內置高壓啟動與 X 電容放電功能：
省去傳統啟動電阻，降低待機功耗。
交流輸入移除時，HV 引腳實現 X 電容快速放電，進一步減少待機損耗。
高效性能：
寬輸入/輸出電壓條件下保持高效率。
寬開關頻率范圍（自適應調節），優化輕載與滿載效率。
結合頻率折返與谷底導通技術，減少開關損耗。
低 EMI 設計：內置抖頻電路，降低輻射干擾與共模噪聲。
超低待機功耗：
輕載/空載時進入突發模式（工作電流僅 160μA）。
滿足 CoC V5 和 DoE VI 等嚴格能效標準。
多模式控制：支持準諧振（QR）、PFM、CCM 模式，適應不同負載場景。
全面保護功能：
輸入/輸出過壓/欠壓保護（Line_OVP、VS_OVP、VS_UVP）。
VDD 過壓保護（VDD_OVP）、過溫保護（OTP）、Brown-in/Brown-out 檢測。
帶補償的過功率保護（OLP），防止過載損壞。
高度可定制化：支持最大頻率、保護閾值（如 VVS_OVP、VVS_UVP）等參數配置。
封裝形式：DFN18L（6×8mm），緊湊設計，適合高功率密度應用。

二、技術優勢
自適應多模式控制（MMC）：根據負載動態切換工作模式，平衡效率與響應速度。
二次側調節（SSR）支持：提升輸出電壓/電流精度，滿足精密設備需求。
優化頻率管理：
最大頻率經優化設計，降低器件溫升，提升滿載效率。
最小峰值電流優化，平衡待機功耗與音頻噪聲。
高可靠性保護：內置多重保護機制，確保系統在異常工況下安全運行。

三、典型應用場景
移動設備適配器：手機、平板電腦、筆記本電腦等充電器的核心控制芯片。
高功率密度快速充電器：支持快充協議，實現高效、緊湊的電源設計。
高能效反激式輔助電源：工業設備、通信基站等場景的輔助供電模塊。

四、設計價值
簡化電路設計：集成 GAN FET 與啟動電路，減少外圍元件數量。
提升能效表現：通過多模式控制與低待機功耗技術，滿足全球能效法規。
增強系統可靠性：完善的保護功能降低故障風險，延長產品壽命。
支持高密度設計：小型封裝與高效性能，助力緊湊型電源產品開發。